KR19980081368A - 전자빔 노출용 마스크와 전자빔 드로잉 방법 - Google Patents

전자빔 노출용 마스크와 전자빔 드로잉 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자빔 노출용 마스크와 전자빔 드로잉 방법에 관한 것으로서, 전자빔 노출용 마스크는 복수의 콘택트 드로잉용 홀을 가지며, 이들 홀들은 전자빔에 의하여 드로잉되는 영역에 상응하는 복수의 크기를 갖는다. 복수의 콘택트 드로잉용 홀들 중에서 설계상의 크기에 따라 하나의 홀이 선택된 후에, 레지스트 필름 위에 전자빔 노출용 마스크가 위치되며 그 결과로 콘택트 드로잉용으로 선택된 홀이 웨이퍼의 콘택트 형성 소정 면적 위에 위치될 수 있다. 다음에 마스크의 상측으로부터 전자빔을 조사하므로써, 선택된 홀을 통하여 웨이퍼의 콘택트 형성 소정 면적 위의 레지스트 필름에 전자빔이 적용된다. 결과적으로 레지스트 필름에 콘택트 패턴이 노출된다.

Description

전자빔 노출용 마스크와 전자빔 드로잉 방법
본 발명은 전자빔을 이용하여 레지스트 필름(resist film) 위에 원하는 패턴을 노출하는 전자빔 노출용 마스크와, 전자빔 노출용 마스크를 이용한 전자빔 드로잉 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조에서는 우수한 처리 능력(through put)을 얻을 수 있는 제조 방법을 개발시킬 필요가 있다. 또한 최근의 리쏘그라피 프로세스(lithography process)에서, 반도체 웨이퍼 위에 미세한 패턴을 형성하는 경우에는 처리 능력을 향상시키기 위한 여러 가지 기술 형태가 제안되어 있다. 예를 들어, 자외광에 의한 광학 리쏘그라피와 X-레이에 의한 X-레이 리쏘그라피 뿐만 아니라 전자빔에 의한 전자빔 리쏘그라피에서, 전자빔 노출용 마스크를 이용한 전달 방법이 사용된다. 이러한 전자빔 노출용 마스크는 광학 및 X-레이 마스크 그리고 레티클(reticle)과 유사하게 미리 형성된, 원하는 패턴의 홀을 갖는다.
전자빔 노출용 마스크를 이용하는 드로잉 방법은 일반적으로 많은 반복 패턴을 갖는 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 및 SRAM(Static Random Access Memory)과 같은 메모리 장치의 제조에 이용된다. 한편, ASIC(Application Specific Integrated Circuit)과 몇 개의 반복 패턴을 갖는 마이크로 컴퓨터와 같은 로직 장치(logic device)를 제조할 때는 가변 성형용 전자빔에 의한 종래의 노출이 이용된다.
도 1a 내지 도 1c는 가변 성형용 전자빔을 이용한 종래의 드로잉 방법을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1a에 도시한 바와 같이 가변 성형용 전자빔에서, 한 번에 1회 발사만으로 드로잉될 수 있는 최대 면적이 제한되므로 이 면적이 최대 조사 면적(maximum irradiated area;17)이 되도록 제작되어야 한다는 것을 유념해야 한다. 도 1b에 도시한 바와 같이 원하는 패턴(15)이 최대 조사 면적(17)보다 더 큰 경우에, 먼저 원하는 패턴(15)을 최대 조사 면적(17)보다 작은 직사각형 면적으로 나누기 위하여, 직사각형의 분할선(16)을 긋는다. 그리고 나서 도 1c에 도시한 바와 같이, 원하는 패턴(15)을 직사각형 패턴(18, 19, 20, 21)들로 나눈 후에, 전자빔 조사 영역들은 2 조각의 틈을 이용하여 직사각형 패턴(18 내지 20)들로 분할되며 전자빔이 레지스트 필름의 특정 영역에 순서대로 적용된다. 결과적으로 레지스트 필름 위에 원하는 패턴(15)이 노출된다.
가변 성형용 전자빔에 의하여 노출이 수행되는 경우에, 가변 성형용(직사각형)의 전자빔의 크기를 미리 조절할 필요가 있다. 이것은 전자빔의 외부 환경이 전자빔과 전자빔 노출 장치의 성형 편향(formation deflection)을 저하시키며 성형 렌즈(formation lens), 대물 렌즈, 기타 유사한 장치의 안정성 및 반복성을 저하하기 때문이다. 즉 전자빔의 광학 시스템과 전자빔 노출 장치는 전자빔의 대기 온도, 진동, 자계, 전압 가속용 고전압 전원과 장치의 동력원과 부속품 사이에 발생된 회선 잡음(line noise) 등과 같은 불안정 요소에 의하여 불안정하게 될 수 있다. 결과적으로 원하는 치수 정밀도는 얻을 수 없으며, 특히 레지스트 필름에서의 노출 영역에 치수 변화가 발생한다.
또한 전자빔의 조사 영역의 치수 안정성은 시간이 경과함에 따라 낮아지기 때문에, 보통 10시간 내지 12시간마다 조정할 필요가 있다. 게다가 설계상의 크기가 다른 여러 가지 장치에 따라 크기를 조정하므로써 높은 치수 정밀도로 유지될 때, 안정 상태에서 원하는 패턴으로 노출될 수 있다.
특별히 이하에서, 가변 성형용 전자빔을 이용하는 리쏘그라피에 의하여 원하는 형상으로 레지스트 필름을 패턴화하는 프로세스를 설명할 것이다. 도 2는 가변 성형용 전자빔을 이용하여 레지스트 필름을 패턴화하는 종래의 방법을 도시한 순서도이다. 웨이퍼의 표면 위에 형성된 레지스트 필름을 패턴화하는 경우에, 스텝(31)으로서 전자빔 드로잉 장치가 미리 조절된다. 이때 전자빔이 적용된 조사 영역의 크기가 조정되어 가변 성형용(직사각형)의 전자빔이 특정 크기로 레지스트 필름에 적용될 수도 있다. 다음 스텝(32)으로서, 원하는 크기의 레지스트 패턴을 얻기 위한 가장 우수한 노출량 조건을 유출하기 위하여 파일로트 드로잉(pilot drawing)이 수행된다. 리쏘그라피 프로세스 후에 엣칭 프로세스에 의하여 얻은 레지스트 필름의 크기와 설계상의 크기 사이의 차이를 고려하여 가장 양호한 노출량 조건을 결정할 필요가 있다.
게다가 상기 스텝(32)에서, 원하는 형상으로 미리 패턴화된 베킹 필름(backing film)에 겹치기 노출을 수행하도록 정렬 조건이 선택될 수도 있다. 그러나 보통 미리 결정된 패턴의 위치(좌표)와 크기에 의하여 노출이 수행될 수 있기 때문에, 항상 정렬 조건을 선택할 필요는 없다.
다음 스텝(33)으로서, 스텝(32)에서의 파일롯트 드로잉의 결과로 선택된 가장 우수한 노출량을 이용하여, 한 묶음의 모든 웨이퍼에 메인 드로잉을 실시하고 계속해서 레지스트 필름을 패턴화한다. 그 후 스텝(34)으로서, 드로잉의 결함이나 찌거기 등을 검사하기 위하여 외양 체크를 실시한다. 그 후 스텝(35)으로서, 마스크로서 특정 형상에 따라 패턴화된 레지스트 필름을 이용하여 베킹 필름을 엣칭한다. 그 후 스텝(36)으로서, 외양 체크가 추가로 실시되며, 그리고 나서 프로세스는 다음 프로세스로 진행한다.
그리하여 가변 성형용 전자빔을 이용한 종래의 전자빔 리쏘그라피 프로세스에서, 설계상의 크기가 상이한 모든 생산품에 스텝(31 내지 36)이 실시된다.
그러나 로직 장치의 회로 형성 시기에 적용된 가변 성형용 전자빔에 의한 전자빔 리쏘그라피의 종래 프로세스에서, 가변 성형용 전자빔의 조사 영역의 크기를 조절하는 프로세스(스텝 31)와 파일롯트 드로잉에 의하여 원하는 레지스트 패턴 크기를 얻기 위한 가장 우수한 노출량 조건을 선택하는 프로세스(스텝 32)가 설계상의 크기가 다른 모든 생산품에 필요하다.
또한 전자빔 리쏘그라피의 종래 프로세스에서는 엣칭 프로세스에 의하여 얻은 레지스트 필름의 크기와 설계상의 크기 사이의 차이를 고려할 필요가 있기 때문에, 베킹 필름의 설계상 크기, 재료, 구조, 두께 등이 다르다면 모든 웨이퍼마다 가장 우수한 노출 조건을 선택하는 작업이 필요하게 된다. 따라서 전자빔 리쏘그라피의 프로세스에 대하여 필요한 시간(TAT;반환 시간)이 몇 시간 연장된다는 문제가 발생한다.
게다가 가변 성형용 전자빔의 조사 면적은 2 조각의 틈과 성형 렌즈 등의 전압 변동을 조절하는 방법으로 변화될 수도 있으며, 결과적으로 레지스트 패턴의 치수 정확성이 저하되는 문제도 발생한다. 특히 콘택트 패턴을 드로잉할 때, 정밀하게 설계된 직사각형 패턴이 가변 성형용 전자빔으로 드로잉되며, 그 결과로서 얻어진 레지스트 패턴의 치수 정밀도는 현저히 저하된다.
최근의 로직 장치에 대한 경향은 생산품의 종류는 증가하며 생산품의 질은 감소하고 이에 추가하여 생산 기간이 감소(TAT의 감소)하는 것이다. 그 결과 TAT의 감소를 방해하는 프로세싱 스텝을 감소시키기 위한 연구가 실시된다. 또한 장치들의 집적화(integration)와 미세화(fineness)의 경향에 추가하여, 특히 최소 설계 법칙을 이용한 콘택트 드로잉 프로세스에서 치수 정밀도가 설계상의 크기에 대하여 ±10% 이내, 즉 0.03㎛ 정도일 수 있는 방식으로 드로잉을 실시할 필요가 있다. 따라서 치수 정밀도의 저하에 기여하는 가변 성형용 전자빔이 사용될 때, 드로잉 정밀도의 저하를 개선하는 것이 중요한 목적이 되었다.
본 발명의 목적은, 전자빔에 의한 드로잉 면적의 크기 변화를 억제할 수 있으며, 설계상의 크기에 따라 안정적으로 노출을 실시하며, 전자빔 리쏘그라피의 프로세스에 대한 시간을 감소할 수 있는 전자빔 드로잉 방법과 전자빔 노출용 마스크를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 전자빔 노출용 마스크는 복수개의 콘택트 드로잉용 홀을 갖는다. 이 홀은 전자빔에 의하여 드로잉되어야 하는 영역에 상응하는 복수의 크기를 갖는다.
이러한 복수의 콘택트 드로잉용 홀은 전자빔에 의하여 한 번에 조사되는 최대 면적보다 작을 수 있고, 이 최대 면적에서 한두개 정도의 콘택트 드로잉용 홀이 제공될 수 있다. 본 발명에 따른 전자빔 노출용 마스크는 콘택트 드로잉용 홀을 구비한 본체부와 이 본체부를 지지하는 각부를 가질 수도 있다. 게다가 전자빔 노출용 마스크는 전자빔에 의하여 한 번에 조사된 최대 면적의 크기보다 더 크거나 동일 크기를 갖는 가변 성형용 전자빔을 위한 홀을 가질 수도 있다.
본 발명에 따른 전자빔 드로잉 방법은 웨이퍼 위에 전자빔 노출용 마스크를 셋팅하는 스텝과, 콘택트 드로잉용 홀을 통하여 전자빔으로 웨이퍼 위에 소정의 드로잉 면적을 노출시키기 위하여 마스크의 상측으로부터 전자빔을 조사하는 스텝을 포함한다. 마스크는 복수개의 콘택트 드로잉용 홀을 가지며, 홀은 전자빔에 의하여 드로잉되어야 하는 영역에 상응되는 복수의 크기를 갖는다.
상기 영역에 일치하는 복수개의 콘택트 드로잉용 홀들 중에서 한두개 정도의 콘택트 드로잉용 홀이 선택될 수 있다.
본 발명에서, 웨이퍼 위에 결정된 면적은 전자빔 노출용 마스크에서 미리 제공된 콘택트 드로잉용 홀을 통하여 전자빔의 조사에 의하여 드로잉된다. 따라서, 이러한 스텝에 의하여 얻어진 노출 면적은 직사각형 전자빔을 형성하는 틈의 조절과, 가변 성형용 전자빔 등을 형성하는 렌즈의 변동에 의하여 영향을 받지 않으며, 드로잉 크기의 변동은 최소로 억제될 수 있으며, 결과적으로 원하는 크기의 노출 면적이 안정적으로 얻어질 수 있다.
게다가 본 발명에서 전자빔의 조사 면적에 대한 종래 치수 조절 프로세스와 종래의 파일롯트 드로잉 프로세스가 생략되기 때문에, 전자빔에 의한 리쏘그라피 프로세스에 필요한 시간(TAT)이 현저히 감소될 수 있다.
도 1a 내지 도 1c는 가변 성형용 전자빔을 이용한 종래의 드로잉 방법을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 가변 성형용 전자빔을 이용하여 레지스트 필름의 종래의 패턴화 방법을 도시한 순서도.
도 3a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전자빔 노출용 마스크를 도시한 평면도.
도 3b는 도 3a의 선 A-A를 따라 절취한 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전자빔 노출용 마스크를 이용한 리쏘그라피 프로세스를 도시한 순서도.
도 5a는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전자빔 노출용 마스크를 도시한 평면도.
도 5b는 원하는 콘택트 패턴을 개략적으로 도시한 도면.
☆도면의 주요부분에 대한 부호의 설명☆
1 : 전자빔 노출용 마스크 1a : 평면부
1b : 각부
2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 11, 13, 22, 23, 24, 25, 26 : 홀
7, 7a, 7b, 7c, 7d, 7e : 마스크내의 조사 면적
9, 9a, 9b, 9c, 9d, 9e : 콘택트 패턴
12a, 12b : 레지스트 필름내의 조사 면적
특히 이하에서 본 발명의 실시예를 첨부 도면과 관련하여 설명한다. 도 3a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전자빔 노출용 마스크를 도시한 평면도이며, 도 3b는 도 3a의 선 A-A를 따라 절취한 단면도이다. 도 3a와 도 3b에 도시한 바와 같이, 전자빔 노출용 마스크(1)는 직사각형 평면부(1a)와 평면부(1a)의 주변으로부터 밑으로 뻗어 나온 각부(leg portion : 1b)를 갖는다.
본 발명의 실시예에 따른 전자빔 노출용 마스크(1)는 전자빔의 1회 조사에 의하여 하나의 콘택트 패턴을 원하는 크기로 드로잉한다. 따라서 평면부(1a)는 1회 주사에 의하여 드로잉될 수 있는 전자빔의 최대 조사 면적과 같은 형상과 크기를 갖는 복수의 면적(7)으로 나누어 진다. 그후에 이들 면적(7)에서, 각각 다른 크기를 갖는 콘택트 드로잉용 홀(2, 3, 4, 5, 6)이 제공된다. 또한 전자빔 노출용 마스크(1)의 평면부(1a) 중심에서, 가변 성형용 전자빔의 홀(8)이 제공된다.
특히 이하에서, 이와 같이 제작된 전자빔 노출용 마스크(1)를 이용하므로써 원하는 패턴을 드로잉하는 전자빔 리쏘그라피 프로세스를 설명한다. 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전자빔 노출용 마스크를 이용한 리쏘그라피 프로세스를 도시한 순서도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에서 전자빔의 치수 조절과 파일롯트 드로잉을 실시할 필요는 없다. 즉 스텝(41)으로서, 전자빔 노출용 마스크(1)에 미리 제공된 홀(2, 3, 4, 5, 6)들 중에서, 예를 들어 모든 생산품에 대하여 설계된 원하는 콘택트 크기에 따라 홀(4)이 선택된다. 그후에 전자빔 노출용 마스크(1)가 레지스트 필름 위에 위치되며, 그 결과로 웨이퍼의 콘택트 형성 소정 면적 위에 위치될 수 있다. 다음에 마스크(1)의 상측으로부터 면적(7)에 전자빔을 조사하므로써, 홀(4)을 통하여 웨이퍼의 콘택트 형성 소정 면적 위에 레지스트 필름 위에까지 전자빔이 적용된다. 그리하여 레지스트 필름에 모든 콘택트 패턴이 드로잉된다.
다음 스텝(42)으로서, 드로잉 결함이나 찌꺼기 등의 검사를 위하여 외양 체크를 실시한다. 그 후에 스텝(43)으로서, 마스크로서 원하는 형상으로 패턴화된 레지스트 필름을 이용하므로써 베킹 필름이 엣칭된다. 그 후에 스텝(44)으로서 외양 체크가 추가로 실시되며, 그리고 나서 다음 프로세스로 진행한다.
그리하여 본 발명에서는 전자빔 노출용 마스크(1)에 미리 제공된 홀(2, 3, 4, 5, 6)을 사용하므로써, 콘택트 패턴이 드로잉된다. 따라서 전자빔의 조사 면적은 직사각형 전자빔을 형성하는 틈의 조절과 가변 성형용 전자빔을 형성하는 렌즈의 변동 등에 영향을 받지 않는다. 결과적으로 전자빔에 의한 노출 면적은 원하는 크기로 안정적으로 얻어질 수 있으며, 얻어진 콘택트 패턴의 크기의 변화는 최소로 억제될 수 있다.
또한 본 발명에서는 전자빔 조사 면적의 치수 조절에 대한 종래 프로세스와 종래의 파일롯트 드로잉 프로세스가 생략될 수 있기 때문에, 전자빔에 의한 리쏘그라피 프로세스에 필요한 시간(TAT)은 현저히 감소될 수 있다.
홀(2, 3, 4, 5, 6)에 원하는 노출 면적이 적용되지 않는 경우에, 홀(8)을 통하여 가변 성형용 전자빔을 이용하므로써 레지스트 필름은 원하는 형상과 크기로 노출될 수 있다.
도 5a는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전자빔 노출용 마스크를 도시한 평면도이며, 도 5b는 원하는 콘택트 패턴을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 5a에 도시한 제 2 실시예에서 도 3에 도시한 제 1 실시예의 부품과 동일한 부품은 동일부호로 표시하며 이것의 상세한 설명은 생략한다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 1회의 전자빔 조사에 의하여 2개의 콘택트 패턴을 원하는 크기로 드로잉할 수 있도록 제 2 실시예에 따른 전자빔 노출용 마스크가 배치된다. 즉 제 1 실시예와 유사하게, 평면부(1a)는 전자빔의 최대 조사 면적과 같은 형상과 크기를 갖는 복수의 면적(7a, 7b, 7c, 7d, 7e)으로 나누어진다. 그 후에 면적(7a)에서 2개의 콘택트 드로잉용 홀(22, 23)이 제공된다. 또한 다른 면적(7b)에서 홀(10, 11)과 같은 크기를 갖는 하나의 콘택트 드로잉용 홀(13)이 제공된다. 유사하게 면적(7c)에서 홀(10, 11, 13)의 크기와 다른 크기를 갖는 2개의 콘택트 드로잉용 홀(22, 23)이 제공된다. 또한 면적(7d)에서 홀(22, 23)과 같은 크기를 갖는 하나의 콘택트 드로잉용 홀(24)이 제공된다. 또한 다른 면적(7e)에서 홀(10, 11, 13, 22, 23, 24)의 크기와 다른 크기를 갖는 2개의 콘택트 드로잉용 홀(25, 26)이 제공된다.
2개의 콘택트 드로잉용 홀이 한 면적에 제공된 경우에, 이들 2개의 홀들 사이의 상대 위치와 거리 등은 반도체 장치의 설계 시점에서 미리 결정된 원하는 콘택트 패턴들 사이의 상대 위치와 거리에 기초하여 설계됨을 유념해야 한다.
특히 이하에서, 이와 같이 제작된 전자빔 노출용 마스크(1)를 이용하므로써 원하는 패턴을 드로잉하는 전자빔 리쏘그라피 프로세스를 설명한다. 도 5b에 도시한 바와 같이, 예를 들어 원하는 콘택트 패턴(9a, 9b)과 콘택트 패턴(9c, 9d)이 홀(10)과 홀(11)에 각각 일치하는 경우에, 먼저 레지스트 필름 위에 전자빔 노출용 마스크(1)가 위치하여 콘택트 패턴(9a, 9b)을 형성하는 콘택트 형성 소정 면적 위에 홀(10, 11)이 위치될 수도 있다. 이때, 레지스트 필름내의 면적(12a)과 마스크(1)내의 면적(7a)은 서로의 위치가 일치하는 관계이다. 다음에 마스크(1)의 상측으로부터 면적(7a)에 전자빔을 조사하므로써, 홀(10, 11)을 통하여 웨이퍼의 콘택트 형성 소정 면적 위의 레지스트 필름에 전자빔이 조사된다. 결과적으로 레지스트 필름에 콘택트 패턴(9a, 9b)이 드로잉된다.
그 후, 콘택트 패턴(9c, 9d)을 형성하기 위하여 웨이퍼 위에 전자빔 노출용 마스크(1)가 이동되어 콘택트 형성 소정 면적 위에 홀(10, 11)이 위치될 수도 있다. 결과적으로 레지스트 필름내의 면적(12b)과 마스크(1)내의 면적(7a)은 서로의 위치가 일치하는 관계가 된다. 그 후 마스크(1)의 상측으로부터 면적(7a)에 전자빔을 조사하므로써, 홀(10, 11)을 통하여 웨이퍼의 콘택트 형성 소정 면적 위의 레지스트 필름에 전자빔이 조사된다. 결과적으로 레지스트 필름 위에 콘택트 패턴(9c, 9b)이 드로잉된다.
콘택트 패턴(9e)이 홀(10, 11)에 일치하지 않기 때문에, 홀(13)이 사용됨을 유념해야 한다. 즉 웨이퍼 위에 전자빔 노출용 마스크(1)가 이동되어, 콘택트 패턴(9e)을 형성하기 위하여 콘택트 형성 소정 면적 위에 홀(13)이 위치될 수도 있다. 결과적으로 레지스트 필름내의 면적(14)과 마스크(1)내의 면적(7b)는 서로의 위치가 일치하는 관계가 된다. 그 후 마스크(1)의 상측으로부터 면적(7b)에 전자빔을 조사하므로써, 홀(13)을 통하여 웨이퍼의 콘택트 형성 소정 면적 위의 레지스트 필름에 전자빔이 조사된다. 결과적으로 레지스트 필름 위에 콘택트 패턴(9e)이 드로잉된다. 그리하여 전자빔에 의하여 웨이퍼 위의 레지스트 필름에 원하는 콘택트 패턴 그룹(9)이 드로잉될 수 있다.
그 후 제 1 실시예와 유사하게, 드로잉 결함, 찌꺼기 등의 검사를 위하여 외양이 체크된다. 그 후 마스크로서 원하는 형상에 따라 패턴화된 레지스트 필름을 이용하여 베킹 필름이 엣칭되고, 이어서 추가 외양 체크를 실시하며, 그 후에 다음 프로세스로 진행한다.
그리하여 제 2 실시예에서는 제 1 실시예와 유사하게, 얻은 레지스트 패턴의 치수 정밀도도 개선된다. 게다가 제 2 실시예에서 콘택트 패턴을 드로잉할 때 조사수(the number of shots)가 감소될 수 있기 때문에, 전자빔에 의한 드로잉 시간(TAT)은 현저히 감소될 수 있으며 처리 능력이 개선될 수 있다.

Claims (11)

  1. 전자빔 노출용 마스크에 있어서,
    전자빔으로 드로잉되는 영역에 상응하는 복수의 크기를 갖는 복수의 콘택트 드로잉용 홀을 포함하는 전자빔 노출용 마스크.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 콘택트 드로잉용 홀은 상기 전자빔으로 한 번에 조사된 최대 면적보다 더 작은 전자빔 노출용 마스크.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 최대 면적에 한두개의 콘택트 드로잉용 홀이 제공되는 전자빔 노출용 마스크.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 콘택트 드로잉용 홀을 갖는 본체부와, 상기 본체부를 지지하는 각부(leg portion)를 포함하는 전자빔 노출용 마스크.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 전자빔에 의하여 한 번에 조사된 최대 면적의 크기보다 크거나 같은 가변 성형 전자빔용 홀을 추가로 포함하는 전자빔 노출용 마스크.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 콘택트 드로잉용 홀을 갖는 본체부와, 상기 본체부를 지지하는 각부를 포함하는 전자빔 노출용 마스크.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 본체부의 중심에 상기 가변 성형 전자빔용 홀이 제공되는 전자빔 노출용 마스크.
  8. 전자빔 드로잉 방법에 있어서,
    웨이퍼 위에, 전자빔으로 드로잉되는 영역에 상응하는 복수의 크기를 갖는 복수의 콘택트 드로잉용 홀을 갖는 전자빔 노출용 마스크를 셋팅하는 스텝과,
    상기 콘택트 드로잉용 홀을 통하여 전자빔으로 상기 웨이퍼 위의 상기 영역을 노출시키기 위하여 상기 마스크의 상측으로부터 전자빔을 조사하는 스텝을 포함하는 전자빔 드로잉 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 전자빔 노출용 마스크는 상기 전자빔으로 한 번에 조사된 최대 면적에 한두개의 콘택트 드로잉용 홀을 갖는 전자빔 드로잉 방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 한두개의 콘택트 드로잉용 홀은 상기 영역에 일치하는 복수의 콘택트 드로잉용 홀들 중에서 선택되는 전자빔 드로잉 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 전자빔 노출용 마스크는 웨이퍼 위에 셋팅되어, 상기 선택된 콘택트 드로잉용 홀은 상기 영역 위에 위치되는 전자빔 드로잉 방법.
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