KR0172561B1 - 노강 마스크의 근접 효과 억제방법 - Google Patents

노강 마스크의 근접 효과 억제방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 노광 마스크의 근접효과 억제방법에 관한 것으로, 패턴의 조밀도에 따라 근접효과가 크게 나타나는 패턴의 레이아웃상에 노광 마스크 작업시 형성되지 않는 최소선폭 이하의 미세형상을 가진 더미(Dummy) 패턴들을 추가 삽입배열하고, 미세형상의 더미패턴들이 삽입된 레이아웃으로 레티컬을 제작한 후, 상기 레티컬로 실리콘 기판 상부의 패턴형성물질을 노광함으로써 포토 작업시 근접효과에 의한 패턴의 손실 차이를 최소화할 수 있으며, 반도체 장치의 특성을 미리 예측 가능하게 되어 제조공정의 수율증대 효과를 가져올 수 있다.

Description

노광 마스크의 근접효과 억제방법
제1a도 내지 제1d도는 종래의 일반적인 노광공정에서 마스크패턴의 형상밀도 차이에 의해 근접효과가 나타나는 것을 도시한 도면.
제2a도와 제2b도는 본 발명에 따른 제 1 실시예를 도시한 도면.
제3a도와 제3b도는 본 발명에 따른 제 2 실시예를 도시한 도면.
제4a도와 제4b도는 본 발명에 따른 제 3 실시예를 도시한 도면.
제5a도 내지 제5c도는 상기 본 발명에 따른 제 1,2,3 실시예의 적용예를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 실리콘 기판
11,14,21,31,41,51,53,55 : 특정형상 형성부위의 레이아웃
13,16,23,33,43 : 노광후 형성된 패턴
22,32,42,52,54,56 : 미세형상의 더미(Dummy) 패턴 레이아웃
본 발명은 노광 마스크의 근접효과 억제방법에 관한 것으로, 특히 패턴의 조밀도에 따라 패턴이 되지 않는 더미(Dummy) 패턴을 의도적으로 노광마스크에 삽입함으로써 포토 작업시 근접효과에 의한 패턴의 손실(Loss)차이를 최소화하는 노광 마스크의 근접효과 억제방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자 제조공정중 반도체 소자의 고립적화에 따라 실리콘 기판에 소정형상의 패턴을 형성하기 위한 노광공정에 있어서, 패턴의 형상밀도(Pattern Density)에 따라 노광작업시 빛의 굴절 및 산란, 간섭등에 의해 근접효과(Proximity effect)가 나타나게 되고, 이로인해 노광 마스크(또는 레티컬)의 차광막 패턴이 투사되는 웨이퍼상의 이미지는 폭이 불균일하게 변형된 상태로 투사되어 불균일한 감광막패턴이 형성되므로 이에따라 식각시에도 형상이 끊어지는 등의 패턴형성에 어려움이 따르는 문제점이 있다.
제1a도 내지 제1d도는 종래의 일반적인 노광공정에서 마스크패턴의 형상밀도 차이에 의해 근접효과가 나타나는 것을 도시한 도면이다.
제1a도는 근접효과가 적게 나타나는 형상밀도에서의 특정 형상의 레이아웃(11)을 도시한 도면이고, 제1b도는 상기 제1a도의 레이아웃(11)을 가진 레티컬을 제작한 후, 상기 레티컬로써 실리콘 기판(10)상의 패턴형성물질에 노광을 실시하여 얻어진 패턴(13) 형상을 도시한 도면이다.
상기 도면에서 알 수 있는 바와같이, 근접효과에 의한 선폭의 변화가 거의 없음을 알 수 있다.
제1c도는 근접효과가 크게 나타나는 패턴밀도를 가진 선 간격(Line space)에서의 레이아웃(14)을 도시한 도면이고, 제1d도는 상기 제1c도의 레이아웃(14)을 가지고 레티컬을 만든 후, 상기 레티컬로써 실리콘 기판(10)상의 패턴형성물질을 노광하여 얻어진 패턴(16)의 형상을 도시한 도면이다.
상기 도시된 도면에서 알 수 있는 바와같이, 근접효과에 의한 선폭이 가늘어진 형태의 패턴(16)이 형성되어 있음을 알 수 있다. 즉, 상기의 현상으로써 근접효과가 크게 일어나는 패턴밀도를 가진 패턴에 있어서는 노광경향(Photo Bias)이 심하게 나타나 얻고자 하는 패턴의 형상을 형성하기가 어려워지게 되는 문제점이 있다. 또한, 일반적으로 근접효과가 나타나는 패턴밀도에서는 식각시에도 부하 영향(Loading effect)에 의해서 식각경향(Etch Bias)이 크게 나타나므로 노광작업시 상기 노광경향을 줄여야 하는 작업이 필요하게 되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 패턴 밀도에 상관없이 원하는 선폭의 선을 형상할 수 있는 노광 마스크의 근접효과 억제방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 노광 마스크의 근접효과 억제방법에 있어서, 패턴의 조밀도에 따라 근접효과가 크게 나타나는 패턴의 레이아웃상에 노광 마스크 작업시 형상되지 않는 최소선폭 이하의 미세형상을 가진 더미패턴들을 추가 삽입배열하는 공정과, 상기 미세형상의 더미패턴들이 삽입된 레이아웃으로 레티컬을 제작하는 공정과, 상기 레티컬로 실리콘 기판 상부의 패턴형성물질을 노광하는 공정을 구비하여, 포토 작업시 근접효과에 의한 패턴의 손실차이를 최소화하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 노광 마스크의 근접효과 억제방법의 실시예에 대한 상세한 설명을 하기로 한다.
제2a도와 제2b도는 본 발명의 제 1 실시예를 도시한 도면으로서, 제2a도는 근접효과가 크게 나타나는 패턴밀도 즉, 선 간격에서의 레이아웃(21)상에 노광 마스크 작업시, 패턴이 되지 않는 최소선폭 이하의 미세형상의 더미패턴(22)들을 상기 레이아웃(21)의 근접부로 부터 멀어질수록 밀도가 순차적으로 낮아지는 형태로 배열한 상태를 도시하고 있다.
제2b도는 상기 제2a도의 레이아웃을 가지고 레티컬을 제작한 후, 상기 레티컬로써 실리콘 기판(10)상에 패턴(23)을 형성한 후의 단면도이다.
상기 제2b도에서 알 수 있는 바와같이, 실리콘 기판(10) 상에 형성된 패턴(23)은 근접효과에 의해 선폭이 가늘어지는 것을 선 주위의 미세형사의 더미패턴(22)들에 의해 말도증가의 효과가 나타나 근접효과가 방지되어 선폭이 제 크기대로 노광됨을 알 수 있다.
제3a도와 제3b도는 본 발명에 따른 제 2 실시예를 도시한 도면으로서, 제3a도는 근접효과가 크게 나타나는 형상밀도 즉, 선 간격에서의 레이아웃(31) 상에 노광 마스크 작업시 패턴이 되지않는 최소선폭 이하의 미세형상의 더미패턴(32)들을 상기 제2a도와는 달리 균일한 밀도로 추가하여 레이아웃한 상태를 도시하고 있다.
제3b도는 상기 제3a도의 레이아웃을 가지고 레티컬을 제작한 후, 상기 레티컬로써 실리콘 기판(10)상에 패턴(33)을 형성한 상태의 단면도이다.
상기 제3b도에서 알 수 있는 바와같이, 실리콘 기판(10) 상에 형성된 패턴(33)은 근접효과에 의해 선폭이 가늘어지는 것을 선 주위의 미세형상들(32)에 의해 밀도증가의 효과가 나타나 근접효과가 방지되어 선폭이 제 크기대로 노광됨을 알 수 있다.
제4a도와 제4b도는 본 발명에 따른 제 3 실시예를 도시한 도면으로서, 제4a도는 근접효과가 크게 나타나는 형상밀도 즉, 선 간격에서의 레이아웃(41)상에 노광 마스크 작업시, 형상되지 않는 최소선폭 이하의 선형상의 더미패턴(42)들을 추가삽입하여 레이아웃한 상태를 도시하고 있다.
제4b도는 상기 제4a도의 레이아웃을 가지고 레티컬을 제작한 후, 상기 레티컬로써 실리콘 기판(10)상에 패턴(43)을 형성한 상태의 단면도이다.
상기 제4b도에서 알 수 있는 바와같이, 실리콘 기판(10) 상에 형성된 패턴(43)은 근접효과에 의해 선폭이 가늘어지는 것을 선 주위의 작은 형상들 즉 최소선폭 이하의 선형상의 더미패턴(42)들에 의해 밀도증가의 효과가 나타나 근접효과가 방지되어 선폭이 제 크기대로 노광됨을 알 수 있다.
제5a도 내지 제5c도는 상기 근접효과를 억제하는 각 실시예들을 적용하는 방법들을 예시한 도면이다.
제5a도는 근접효과가 나타나는 특정형상밀도의 레이아웃(51)상에 노광 마스크 작업시, 형상되지 않는 최소선폭 이하의 점 형상로 된 더미패턴(52)들을 추가하여 배열한 상태를 도시한 도면이고, 제5b도는 상기 제5a의 경우보다 근접효과가 더 크게 나타나는, 즉 상기 제5a도보다 형상밀도가 적은 형상밀도의 레이아웃(53)상에 노광 마스크 작업시, 형상이 되지않는 최소선폭 이하의 더미패턴(54)들을 상기 제5a의 경우보다 더 높은 밀도로 추가하여 레이아웃한 상태를 도시하고 있다.
제5c도는 상기 제5b도와 같은 정도로 근접효과가 크게 나타나는 형상밀도에서의 레이아웃(55)상에 노광 마스크 작업시, 형상화되지 않는 최소선폭 이하이고, 상기 제5b도의 미세형상보다 큰 더미패턴(56)들을 상기 제5b의 경우보다 적은 밀도로 추가하여 레이아웃한 상태를 도시하고 있다.
따라서, 상기와 같이 반도체 소자 제조공정중 노광공정에 있어서, 패턴의 형상밀도에 따라 발생되는 근접효과에 의해 패턴이 제 크기대로 형성되지 않는 것을 마스크 작업시 형상이 되지 않는 최소선폭 이하의 미세형상들을 적절하게 추가 배열하여 밀도증가를 가져오게 함으로써 방지하고 아울러, 형상밀도에 무관하게 근접효과가 동일하게 나타나게 할 수 있고 이에따라 원하는 선폭의 선을 형상하는 것이 가능하게 되어 제조 공정의 수율증대효과를 얻을 수 있다.
한편, 상기 본 발명에 따른 형상밀도 증가 효과를 얻기위한 레이아웃을 함에 있어서, 형상밀도에 따라 상기 각 레이아웃을 하기 힘든 경우에, 레이아웃 툴 소프트웨어(Layout Tool Software)에 혹은, 레티컬 제작 소프트웨어에 미세형상의 더미패턴들을 추가 배열함으로써 형상밀도를 조절하는 기능을 추가하여 형상밀도에 따라 밀도증가 효과를 자동적으로 실행하게 할 수도 있다.
이상, 상술한 바와같이, 본 발명에 따른 노광 마스크의 근접효과 억제방법은 패턴의 형상밀도 즉, 조밀도에 따라 미세형상의 더미 패턴을 의도적으로 삽입함으로써, 포토 작업시 근접효과에 의한 패턴의 손실 차이를 최소화할 수 있으며, 반도체 장치의 특성을 미리 예측 가능하게 되며 이로인해 제조공정의 수율증대 효과를 가져올 수 있다.

Claims (6)

  1. 패턴의 조밀도에 따라 근접효과가 크게 나타나는 부분의 패턴 레이아웃상의 노광 마스크 작업시 패턴으로 형성되지 않는 최소선폭 이하의 더미패턴들을 추가 삽입배열하는 공정과, 상기 더미패턴들이 삽입된 레이아웃으로 레티컬을 제작하는 공정과, 상기 레티컬로 실리콘 기판 상부의 패턴형성물질을 노광하는 공정을 구비하여, 포토 작업시 근접효과에 의한 패턴의 손실 차이를 최소화하는 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 근접효과 억제방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 근접효과가 크게 나타나는 레이아웃상에 미세형상들을 배열하되, 레이아웃의 근접부로 부터 멀어질수록 밀도가 순차적으로 낮아지도록 배열하는 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 근접효과 억제방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 미세형상의 더미패턴들은 노광 마스크 작업시 형상되지 않는 최소선폭 이하의 점 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 근접효과 억제방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 미세형상의 더미패턴은 노광 마스크 작업시 형상되지 않는 최소선폭 이하의 선 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 근접효과 억제방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 미세형상의 더미패턴을 추가하는 공정은 패턴의 형상밀도를 고려하여 레티컬 제작 프로그램에 의해 자동적으로 실행할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 근접효과 억제방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 미세형상의 더미패턴을 추가하는 공정은 패턴의 형상밀도를 고려하여 패턴형성의 레이아웃 프로그램에 의해 자동적으로 실행할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 근접효과 억제방법.
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