KR970003408A - 노광 마스크의 근접효과 억제방법 - Google Patents
노광 마스크의 근접효과 억제방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 노광 마스크의 근접효과 억제방법에 관한 것으로, 패턴의 조밀도에 따라 근접효과가 크게 나타나는 패턴의 레이아웃상에 노광 마스크 작업시 형상되지 않는 최소선폭 이하의 미세형상을 가진 더미(Dummy) 패턴들을 추가 삽입배열하고, 미세형상의 더미패턴들이 삽입된 레이아웃으로 레티컬을 제작한 후, 상기 레티컬로 실리콘 기판 상부의 패턴형성물질을 노광함으로써 포토 작업시 근접효과에 의한 패턴의 손실 차이를 최소화할 수 있으며, 반도체 장치의 특성을 미리 예측 가능하게 되어 제조공정의 수율증대 효과를 가져올 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 종래의 일반적인 노광공정에서 마스크 패턴의 형상밀도 차이에 의해 근접효과가 나타나는 것을 도시한 도면, 제2A도와 제2B도는 본 발명에 따른 제1실시예를 도시한 도면, 제3A도와 제3B도는 본 발명에 따른 제2실시예를 도시한 도면, 제4A도와 제4B도는 본 발명에 따른 제3실시예를 도시한 도면, 제5A도 내지 제5C도는 상기 본 발명에 따른 제1, 2, 3실시예의 적용예를 도시한 도면.
Claims (6)
- 노광 마스크의 근접효과 억제방법에 있어서, 패턴 조밀도에 따라 근접효과가 크게 나타나는 패턴의 레이아웃상에 노광 마스크 작업시 형상되지 않는 최소선폭 이하의 미세형상을 가진 더미패턴들을 추가 삽입배열하는 공정과, 상기 미세형상의 더미패턴들이 삽입된 레이아웃으로 레티컬을 제작하는 공정과, 상기 레티컬로 실리콘 기판 상부의 패턴형성물질을 노광하는 공정을 구비하여, 포토 작업시 근접효과에 의한 패턴의 손실차이를 최소화하는 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 근접효과 억제방법.
- 제1항에 있어서, 상기 근접효과가 크게 나타나는 레이아웃상에 미세형상들을 배열하되, 레이아웃의 근접부로부터 멀어질수록 밀도가 순차적으로 낮아지도록 배열하는 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 근접효과 억제방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서 상기 미세형상의 더미패턴들은 노광 마스크 작업시 형상되지 않는 최소선폭이하의 점 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 근접효과 억제방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서 상기 미세형상의 더미패턴들은 노광 마스크 작업시 형상되지 않는 최소선폭이하의 선 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 근접효과 억제방법.
- 제1항에 있어서 상기 미세형상의 더미패턴을 추가하는 공정은 패턴의 형상밀도를 고려하여 레티컬 제작 프로그램에 의해 자동적으로 실행할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 근접효과 억제방법.
- 제1항에 있어서 상기 미세형상의 더미패턴을 추가하는 공정은 패턴의 형상밀도를 고려하여 패턴형성의 레이아웃 프로그램에 의해 자동적으로 실행할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 노광 마스크의 근접효과 억제방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000000592A (ko) * | 1998-06-01 | 2000-01-15 | 김영환 | 전자빔 리소그래피의 스텐실 마스크 |
KR20000043250A (ko) * | 1998-12-28 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
US6818480B2 (en) | 2002-08-02 | 2004-11-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a pattern of a semiconductor device and photomask therefor |
KR100464385B1 (ko) * | 1997-06-03 | 2005-02-28 | 삼성전자주식회사 | 패턴의변형이발생되는부분주위에더미패턴이형성된포토마스크 |
KR100533884B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2005-12-07 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체의 테스트 마스크 패턴, 그 형성 방법 및 이를이용한 마스크 에러 증강 요소 측정방법 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3085259B2 (ja) * | 1997-09-17 | 2000-09-04 | 日本電気株式会社 | 露光パターン及びその発生方法 |
KR100282695B1 (ko) * | 1998-04-28 | 2001-03-02 | 윤종용 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2000349145A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-12-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP4860023B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2012-01-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | フォトマスク |
US6555895B1 (en) | 2000-07-17 | 2003-04-29 | General Semiconductor, Inc. | Devices and methods for addressing optical edge effects in connection with etched trenches |
KR100624951B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2006-09-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
DE10203358A1 (de) * | 2001-08-31 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Photolithographische Maske |
WO2003021353A1 (de) * | 2001-08-31 | 2003-03-13 | Infineon Technologies Ag | Photolithographische maske |
KR100571390B1 (ko) | 2003-12-27 | 2006-04-14 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 마스크 패턴 형성 방법 |
KR100598104B1 (ko) | 2004-06-07 | 2006-07-07 | 삼성전자주식회사 | 노광 차단 영역을 갖는 포토 마스크 및 그 제조 방법 |
US7339272B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-03-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device with scattering bars adjacent conductive lines |
KR20060041547A (ko) * | 2004-11-09 | 2006-05-12 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Opc 마스크 제조 방법 |
US8003545B2 (en) * | 2008-02-14 | 2011-08-23 | Spansion Llc | Method of forming an electronic device including forming features within a mask and a selective removal process |
KR20140029050A (ko) * | 2012-08-31 | 2014-03-10 | 삼성전자주식회사 | 패턴 형성 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5008553A (en) * | 1988-04-22 | 1991-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electron beam lithography method and apparatus |
US5057462A (en) * | 1989-09-27 | 1991-10-15 | At&T Bell Laboratories | Compensation of lithographic and etch proximity effects |
JP2906658B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1999-06-21 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US5597668A (en) * | 1995-07-19 | 1997-01-28 | Vlsi Technology, Inc. | Patterned filled photo mask generation for integrated circuit manufacturing |
-
1995
- 1995-06-23 KR KR1019950017091A patent/KR0172561B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-06-20 US US08/666,263 patent/US5900349A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-24 CN CN96107116A patent/CN1142121A/zh active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100464385B1 (ko) * | 1997-06-03 | 2005-02-28 | 삼성전자주식회사 | 패턴의변형이발생되는부분주위에더미패턴이형성된포토마스크 |
KR20000000592A (ko) * | 1998-06-01 | 2000-01-15 | 김영환 | 전자빔 리소그래피의 스텐실 마스크 |
KR20000043250A (ko) * | 1998-12-28 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
US6818480B2 (en) | 2002-08-02 | 2004-11-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a pattern of a semiconductor device and photomask therefor |
KR100472412B1 (ko) * | 2002-08-02 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 패턴 형성방법 및 이에 사용되는 포토 마스크 |
KR100533884B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2005-12-07 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체의 테스트 마스크 패턴, 그 형성 방법 및 이를이용한 마스크 에러 증강 요소 측정방법 |
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