KR970048977A - 반도체 소자 제조시 감광층 패턴을 정확하게 형성하기 위한 패턴을 함유한 포토마스크 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조시 감광층 패턴을 정확하게 형성하기 위한 패턴을 함유한 포토마스크에 있어서, 웨이퍼 상에 소정 모양의 패턴을 형성하기 위한 주 패턴(11); 및 상기 주 패턴 중 웨이퍼 상에 형성될 패턴이 손상을 입으리라 예상되는 패턴 경계에 웨이퍼 상이 자신의 그림자를 형성하지 않으면서, 상기 주 패턴 중 밀집된 부위의 패턴과 같은 광학 효과를 주는 보조 패턴(12)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시 감광층 패턴을 정확하게 형성하기 위한 패턴을 함유한 포토마스크에 관한 것으로, 특히, 밀집된 감광층 패턴과 격리된 감광층을 동시에 형성할 때 디자인시 요구되는 정확한 선폭을 가질수 있도록 하여 제품의 제조수율을 향상시키도록 한 것이다.

Description

반도체 소자 제조시 감광층 패턴을 정확하게 형성하기 위한 패텬을 함유한 포토마스크

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3A도 및 제3B도는 격리된 감광층 패턴을 형성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 포토마스크 패턴의 평면도 및 그를 이용하여 웨이퍼 상에 형성한 감광층 패턴의 단면도.

Claims (3)

1. 반도체 소자 제조시 감광층 패턴을 정확하게 형성하기 위한 패턴을 함유한 포토마스크에 있어서, 웨이퍼 상에 소정 모양의 패턴을 형성하기 위한 주 패턴; 및 상기 주 패턴 중 웨이퍼 상에 형성될 패턴이 손상을 입으리라 예상되는 패턴 경계에 웨이퍼 상이 자신의 그림자를 형성하지 않으면서, 상기 주 패턴 중 밀집된 부위의 패턴과 같은 광학 효과를 주는 보조 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시 감광층 패턴을 정확하게 형성하기 위한 패턴을 함유한 포토마스크.
2. 제1항에 있어서, 상기 주 패턴 중 웨이퍼 상에 형성될 패턴이 손상을 입으리라 예상되는 패턴은 격리된 패턴인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시 감광층 패턴을 정확하게 형성하기 위한 패턴을 함유한 포토마스크.
3. 제2항에 있어서, 상기 보조 패턴은 상기 주 패턴의 경계로부터 소정 거리 떨어져 상기 주 패턴의 경계를 따라 형성되는 선형 패턴인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시 감광층 패턴을 정확하게 형성하기 위한 패턴을 함유한 포토마스크.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.