KR970048992A - 반도체 리소그라피 방법, 이에 사용되는 포토마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 리소그라피 방법, 이에 사용되는 포토마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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KR970048992A
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

신규한 반도체 리소그라피 방법, 이에 사용되는 포토마스크 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 미세패턴의 선폭이 작은 부위에, 주변의 투광영역에서의 빛을 상쇄하기 위한 위상반전 패턴을 형성한다. 인접한 패턴과의 브리지나 라인의 끊어짐을 방지할 수 있다.

Description

반도체 리소그라피 방법, 이에 사용되는 포토마스크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 더미 위상반전마스크 패턴을 삽입한 DRAM 셀의 레이아웃도.

Claims (5)

  1. 광학적 방법으로 미세패턴을 형성하는 반도체 리소그라피 방법에 있어서, 상기 미세패턴의 선폭이 작은 부위에, 주변의 투광영역에서의 빛을 상쇄하기 위한 위상반전 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 리소그라피 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 미세패턴은 라인형태로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 리소그라피 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 위상반전 패턴은, 쉬프터를 패터닝하여 형성하거나, 석영기판을 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 리소그라피 방법.
  4. 마스크기판; 및 패턴을 형성하고자 하는 피노광물의 제1방향에 따라, 상기 패턴의 선폭이 작은 부위에 대응하는 상기 마스크기판의 소정부위 상에 형성된 위상반전 쉬프터를 구비하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  5. 마스크기판 상에 쉬프터 및 크롬층을 형성하는 단계; 사진식각 공정으로 상기 크롬층을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 크롬층을 마스크로 하여 상기 쉬프터를 식각함으로써, 위상반전 패턴이 형성될 부위에만 쉬프터를 남기는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법 .
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950051047A 1995-12-16 1995-12-16 반도체 리소그라피 방법, 이에 사용되는 포토마스크 및 그 제조방법 KR0165360B1 (ko)

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