KR970016772A - 위상반전마스크 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조기술 중 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는 리소그라피(lithography) 공정 기술에 관한 것으로, 위상반전 마스크를 이용하여 미세 패턴을 형성할 경우 패턴과 패턴 사이를 원하는 크기로 조절할 수 있도록 하는 것이다. 즉, 위상차가 발생하는 위상반전막 패턴의 경계면에서 원하는 수준으로 공간폭을 얻기 위하여 위상반전막 패턴과 석영 기판의 경계면에 위상반전막 패턴의 일측에 눈금 모양의 패턴이나 보조 패턴을 구비한 위상반전 마스크에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3도는 본 발명에 의해 제조된 크롬이 없는 위상반전 마스크를 도시한 평면도,
제 4도는 제 3도에 도시된 위상반전 마스크를 이용하여 네가티브 감광막 패턴을 형성한 평면도,
제 5도는 본 발명의 다른 실시예에 의해 보조 패턴이 구비된 위상반전 마스크를 도시한 평면도.
Claims (6)
- 위상반전 마스크에 있어서, 석영기판의 상부에 형성되는 위상반전막 패턴의 경계면에 위상차에 의한 소멸, 간섭이 발생되도록 눈금 모양의 패턴이 구비되어 그로 인하여 웨이퍼에 상부에 네가티브 감광막 패턴을 형성할 때 감광막 패턴들의 공간폭을 확대할 수 있도록 한 것을 특징으로 한 위상반전 마스크.
- 제 1항에 있어서, 상기 눈금 모양의 패턴은 위상반전막 패턴으로 구비되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 제 1항에 있어서, 상기 위상반전 마스크는 네가티브 감광막을 노광하여 패턴을 형성하는데 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 위상반전 마스크에 있어서, 석영 기판의 상부에 형성되는 위상반전막 패턴의 경계면에 빛의 강도를 줄일 수 있는 보조 패턴이 구비되어 그로 인하여 웨이퍼에 상부에 네가티브 감광막 패턴을 형성할 때 감광막 패턴들의 공간폭을 학대할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 제 4항에 있어서, 상기 보조 패턴은 크롬 패턴으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 제 5항에 있어서, 상기 크롬 패턴은 10~100㎚의 두께로 형성되어 어느 정도 빛을 투과시키는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950033159A KR970016772A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 위상반전마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950033159A KR970016772A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 위상반전마스크 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970016772A true KR970016772A (ko) | 1997-04-28 |
Family
ID=66583277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950033159A KR970016772A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 위상반전마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970016772A (ko) |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950033159A patent/KR970016772A/ko not_active Application Discontinuation
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