KR940004719A - 위상반전 마스크 형성방법 - Google Patents

위상반전 마스크 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940004719A
KR940004719A KR1019920015166A KR920015166A KR940004719A KR 940004719 A KR940004719 A KR 940004719A KR 1019920015166 A KR1019920015166 A KR 1019920015166A KR 920015166 A KR920015166 A KR 920015166A KR 940004719 A KR940004719 A KR 940004719A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
phase
forming
resist
phase inversion
Prior art date
Application number
KR1019920015166A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950005442B1 (ko
Inventor
김영식
함영목
허익범
김홍일
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019920015166A priority Critical patent/KR950005442B1/ko
Priority to JP20956093A priority patent/JPH06295053A/ja
Publication of KR940004719A publication Critical patent/KR940004719A/ko
Priority to US08/297,666 priority patent/US5498497A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR950005442B1 publication Critical patent/KR950005442B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조공정에 사용하는 위상반전 마스크 형성방법에 관한 것으로, 포토마스크의 크롬패턴을 이용한 자기정렬방식으로 크롬패턴의 후면에 위상반전 마스크를 형성하는 방법을 기술한 것이다.

Description

위상반전 마스크 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명의 제1실시예에 의한 위상반전 마스크 형성단계를 나타낸 단면도.
제3a도 내지 제3d도는 본 발명의 제2실시예에 의한 위상반전 마스크 형성단계를 나타낸 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 제조공정에 사용하는 위상반전 마스크 형성방법에 있어서, 투명 글래스상에 크롬패턴을 형성한 후, 상기 크롬패턴이 없는 면의 투명글래스상에 산화물로 이루어진 위상반전층을 형성하는 단계와, 상기 위상반전층상에 레지스트를 도포한다음, 상기 크롬패턴을 마이크로하여 노광 및 현상공정으로 레지스트의 예정부분을 제거하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 레지스트 패턴을 마스크로하여 건식 또는 습식식각방식으로 위상반전층의 예정부분을 제거하여 위상반전 패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 위상반전층상에 도포하는 레지스트를 포지티브 중합체로하는 경우 위상반전 패턴 형성공정시 불완전 식각으로 위상반전 패턴폭이 크롬패턴 폭보다 넓게 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 위상반전층상에 도포하는 레지스트를 네가티브 중합체로 하는 경우 위상반전 패턴형성공정시 과식각으로 이웃하는 위상반전 패턴과의 사이의 폭이 크롬패턴 폭보다 넓게 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920015166A 1992-08-24 1992-08-24 위상반전 마스크 형성방법 KR950005442B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920015166A KR950005442B1 (ko) 1992-08-24 1992-08-24 위상반전 마스크 형성방법
JP20956093A JPH06295053A (ja) 1992-08-24 1993-08-24 位相シフトマスクの形成方法
US08/297,666 US5498497A (en) 1992-08-24 1994-08-29 Method for manufacturing a phase shift mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920015166A KR950005442B1 (ko) 1992-08-24 1992-08-24 위상반전 마스크 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940004719A true KR940004719A (ko) 1994-03-15
KR950005442B1 KR950005442B1 (ko) 1995-05-24

Family

ID=19338350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920015166A KR950005442B1 (ko) 1992-08-24 1992-08-24 위상반전 마스크 형성방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5498497A (ko)
JP (1) JPH06295053A (ko)
KR (1) KR950005442B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW353157B (en) * 1998-06-25 1999-02-21 United Microelectronics Corp Double faced mask
JP2006017798A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク及びその検査方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8825826D0 (en) * 1988-11-04 1988-12-07 Gen Electric Co Plc Deposition processes
JP2641589B2 (ja) * 1990-03-09 1997-08-13 三菱電機株式会社 フォトマスク
US5130263A (en) * 1990-04-17 1992-07-14 General Electric Company Method for photolithographically forming a selfaligned mask using back-side exposure and a non-specular reflecting layer
JPH04190352A (ja) * 1990-11-26 1992-07-08 Seiko Epson Corp フォトマスク
JP3009492B2 (ja) * 1991-02-28 2000-02-14 川崎製鉄株式会社 位相シフトマスクとその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06295053A (ja) 1994-10-21
KR950005442B1 (ko) 1995-05-24
US5498497A (en) 1996-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940005606B1 (ko) 측벽 식각을 이용한 위상 반전 마스크 제조방법
KR950021058A (ko) 위상반전마스크 제조방법
KR940004719A (ko) 위상반전 마스크 형성방법
KR100192360B1 (ko) 위상 반전 마스크 제조방법
KR930018661A (ko) 콘택트홀의 형성방법
KR910020802A (ko) 마스크의 제작방법
KR940005608B1 (ko) 위상반전마스크 제조방법
KR950021030A (ko) 위상반전마스크 및 그 제조방법
KR930018675A (ko) 위상반전마스크 및 그의 제조방법
KR950012589A (ko) 위상반전마스크 및 그 제조방법
KR980005324A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR970016789A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR950015617A (ko) 반도체소자의 미세패턴 제조방법
KR970016794A (ko) 하프톤 위상 반전 마스크의 제조 방법
KR950021059A (ko) 하프톤형 위상반전마스크 제조 하프톤형 위상반전마스크 제조방법 하프톤형 위상반전마스크 제조방법
KR950021711A (ko) 위상반전마스크 및 그 제조방법
KR100345072B1 (ko) 반도체 소자의 위상 반전 마스크
KR970062807A (ko) 위상반전마스크 형성방법
KR970016772A (ko) 위상반전마스크
KR950021038A (ko) 위상반전마스크 및 그 제조방법
KR940001288A (ko) 위상반전마스크 및 그 제조방법
KR970028803A (ko) 위상반전마스크와 그의 제조방법
KR970048946A (ko) 반도체 소자 제조용 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법
KR950015577A (ko) 반도체소자의 제조방법
KR950021036A (ko) 위상반전 마스크 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110429

Year of fee payment: 17

LAPS Lapse due to unpaid annual fee