KR950021038A - 위상반전마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

위상반전마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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KR950021038A
KR950021038A KR1019930028888A KR930028888A KR950021038A KR 950021038 A KR950021038 A KR 950021038A KR 1019930028888 A KR1019930028888 A KR 1019930028888A KR 930028888 A KR930028888 A KR 930028888A KR 950021038 A KR950021038 A KR 950021038A
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허익범
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

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Abstract

본 발명은 위상반전마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 크롬패턴만을 사용하는 마스크보다 패턴의 해상도를 높일 수 있는 위상반전마스크를 이용하여 웨이퍼에 전사할 때, 위상반전층패턴이 석영기판에 직접 맞닿은 부분의 가장자리에서 급격한 위상변화로 인하여 불필요한 패턴이 남는 것을 방지하기위해 상기 가장자리를 덮을 수 있는 만큼 투과성물질을 경사지게 도포하여 위상변화를 완화시킴으로써, 180도의 위상반전이 일어나지 않도록 하여 촛점심도 및 해상력을 향상시키는 기술이다.

Description

위상반전마스크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3D도는 본 발명에 의한 실시예인 위상반전마스크를 도시한 도면.

Claims (4)

  1. 위상반전마스크에 있어서, 석영기판의 상부에 막대형태의 크롬패턴이 형성되고 위상반전층패턴이 크롬패턴의 사이에 번갈아서 도포되고 위상반전층패턴의 측벽에 위상변화를 완만하게하는 투과성물질이 경사를 이루며 도포된 것을 특징으로 하는 위상반전마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투과성물질은 도포할때 위상변화를 완화시키기 위하여 점도가 낮은 물질을 사용하는 경사를 줄이는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크.
  3. 위상반전마스크 제조방법에 있어서, 석영기판의 상부에 막대형태의 크롬패턴을 형성한 다음, 위상반전층패턴을 상기 크롬패턴의 사이에 번갈아서 형성하는 공정과, 전체구조상부에 투과성물질을 도포하는 공정과, 상기 투과성물질을 상부에서 수직으로 건식식각하여 위상반전층의 측벽에 경사지게 형성되는 공정을 포함하는 위상반전마스크의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 투과성물질은 될수록이면 점도가 낮은 물질을 사용하여 위상변화를 완화시키는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR93028888A 1993-12-21 1993-12-21 Phase shift mask and manufacturing method KR970004422B1 (en)

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