KR950025855A - 중첩 패턴 형성용 마스크 제조방법 - Google Patents

중첩 패턴 형성용 마스크 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 미세패턴 형성시 사용되는 중첩패턴 형성용 마스크의 제조방법에 관한 것으로, 다수의 크롬 패턴을 형성하되, 상기 크롬 패턴간의 스페이스 크기가 크롬패턴 선폭:스페이스영역 폭=3:5의 비율이 되게 형성하고, 빛이 투과될 스페이스부분에 위상반전물질 및 기타 보조패턴을 첨가하여 노광 및 컨트라스트가 스페이스 가장자리에서 최대가 되는 양호한 컨트라스트를 얻을 수 있는 중첩패턴 형성용 마스크의 제조방법에 관해 기술된다.

Description

중첩 패턴 형성용 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 본 발명에 의한 중첩패턴 형성용 마스크의 일측단면도.

Claims (3)

  1. 중첩패턴 형성용 마스크 제조방법에 있어서, 석영기판(12)상에 소정의 크롬패턴(13)을 다수 형성하되, 상기 크롬패턴(13)간의 스페이스 크기가 크롬패턴선폭:스페이스 영역폭=3:5가 되도록 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 스페이스 영역폭의 중심부분에 소정의 폭을 갖는 위상반전물질(14)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 위상반전물질(14) 양측부에 보조패턴(15)을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 위상반전물질(14)과 그 양측부에 형성된 보조패턴(15)의 폭은 노광 및 컨트라스트가 스페이스 가장자리에서 최대, 중심부분에서 낮은 강도를 이루도록 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 위상반전물질(14)은 SOG 또는 10%투과 크롬이고, 상기 보조패턴(15)은 반투명물질 또는 와전차단물질인 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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