JPH06123963A - 露光マスク及び露光方法 - Google Patents

露光マスク及び露光方法

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JPH06123963A
JPH06123963A JP3487793A JP3487793A JPH06123963A JP H06123963 A JPH06123963 A JP H06123963A JP 3487793 A JP3487793 A JP 3487793A JP 3487793 A JP3487793 A JP 3487793A JP H06123963 A JPH06123963 A JP H06123963A
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JP3487793A
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Fumikatsu Uesawa
史且 上澤
Michio Negishi
三千雄 根岸
Hideo Shimizu
秀夫 清水
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Original Assignee
Sony Corp
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Abstract

(57)【要約】 【目的】 中央パターンの周部に配置される周部パター
ン（サブシフター）間の干渉による悪影響を抑制した露
光マスク及び露光方法を提供する。 【構成】 中央パターンＣ１１，Ｃ１２と、該中央パタ
ーンの周部に位置するサブシフターパターン等の周部パ
ターンＳ１１〜Ｓ１４，Ｓ１１′〜Ｓ１４′を備えたパ
ターン群が隣り合って配置されて成る露光マスクであっ
て、隣り合う周部パターン（Ｓ１１′とＳ１１）相互の
干渉を、互いに角度をもたせることや、位相差を与える
ことや、周部パターンをひとつにして光透過量を下げる
こと等によって、低減する構成とした露光マスク、及び
これを用いた露光方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光マスク及び露光方
法に関する。本発明は例えば、位相シフト露光マスク及
びこれを用いた位相シフト露光方法として適用できる。
本発明の露光マスク及び露光方法は、各種のパターン形
成用技術として利用することができ、例えば半導体装置
製造プロセスにおいてレジストパターン等の各種パター
ンを形成する場合の露光について利用することができ
る。
【０００２】
【従来の技術】フォトマスクを利用してパターンを形成
するもの、例えば半導体装置等は、その加工寸法が年々
微細化される傾向にある。このような背景で、微細化し
た半導体装置を得るフォトリソグラフィーの技術におい
て、その解像度を更に向上させるため、位相シフト技術
が注目されている。位相シフト技術は、マスクを透過す
る光に位相差を与え、これにより光強度プロファイルを
改善するものである。
【０００３】従来の位相シフト技術については、特開昭
５８−１７３７４４号公報や、ＭＡＲＣ Ｄ．ＬＥＶＥ
ＮＳＯＮ 他“Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ Ｒｅｓｏｌｕｔｉ
ｏｎｉｎ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｗｉｔ
ｈ ａ Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａｓｋ”Ｉ
ＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＥＬＥＣＴ
ＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ．Ｖｏｌ．ＥＤ−２９ Ｎｏ．
１２，ＤＥＣＥＭＢＥＲ １９８２，Ｐ１８２８〜１８
３６、また、ＭＡＲＣ Ｄ． ＬＥＶＥＮＳＯＮ他“Ｔ
ｈｅ Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａｓｋ Ｉ：
Ｉｍａｇｉｎｇ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓ ａｎｄ Ｓ
ｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ Ｅｘｐｏｓ
ｕｒｅｓ”同誌Ｖｏｌ．ＥＤ−３１，Ｎｏ．６，ＪＵＮ
Ｅ １９８４，Ｐ７５３〜７６３に記載がある。
【０００４】また、特公昭６２−５０８１１号には、透
明部と不透明部とで形成された所定のパターンを有し、
不透明部をはさむ両側の透明部の少なくとも一方に位相
部材を設け、該両側の透明部に位相差を生ずる構成とし
た位相シフトマスクが開示されている。
【０００５】従来より知られている位相シフト技術の
内、レベンソン型と称されるものを例にとって、これに
ついて図５を利用して説明すると、次のとおりである。
例えばライン・アンド・スペースのパターン形成を行う
場合、通常の従来のマスクは、図５（ａ）に示すよう
に、石英基板等の透明基板１上に、Ｃｒ（クロム）やそ
の他金属、金属酸化物などの遮光性の材料を用いて遮光
部１０を形成し、これによりライン・アンド・スペース
の繰り返しパターンを形成して、露光用マスクとしてい
る。露光用マスクを透過した光の強度分布は、図５
（ａ）に符号Ａ１で示すように、理想的には遮光部10の
ところではゼロで、他の部分（透明部１２ａ，１２ｂ）
では透過する。１つの透過部１２ａについて考えると、
被露光材に与えられる透過光は、光の回折などにより、
図５（ａ）にＡ２で示す如く、両側の裾に小山状の極大
をもつ光強度分布になる。透過部１２ｂの方の透過光Ａ
２′は、一点鎖線で示した。各透過部１２ａ，１２ｂか
らの光を合わせると、Ａ３に示すように光強度分布はシ
ャープさを失い、光の回折による像のぼけが生じ、結
局、シャープな露光は達成できなくなる。これに対し、
上記繰り返しパターンの光の透過部１２ａ，１２ｂの上
に、１つおきに図５（ｂ）に示すように位相シフト部１
１ａ（シフターと称される。ＳｉＯ2 やレジストなどの
材料が用いられる）を設けると、光の回折による像のぼ
けが位相の反転によって打ち消され、シャープな像が転
写され、解像力や焦点裕度が改善される。即ち、図５
（ｂ）に示す如く、一方の透過部１２ｂに位相シフト部
１１ａが形成されると、それが例えば１８０°の位相シ
フトを与えるものであれば、該位相シフト部１１ａを通
った光は符号Ｂ１で示すように反転する。それに隣り合
う透過部１２ｂからの光は位相シフト部１１ａを通らな
いので、かかる反転は生じない。被露光材に与えられる
光は、互いに反転した光が、その光強度分布の裾におい
て図にＢ２で示す位置で互いに打ち消し合い、結局被露
光材に与えられる光の分布は図５（ｂ）にＢ３で示すよ
うに、シャープな理想的な形状になる。
【０００６】上記の場合、この効果を最も確実ならしめ
るには位相を１８０°反転させることが最も有利である
が、このためには、 （ｎは位相シフト部の形成材料の屈折率、λは露光波
長）なる膜厚Ｄで膜形成した位相シフト部１１ａを設け
る。
【０００７】なお露光によりパターン形成する場合、縮
小投影するものをレティクル、１対１投影するものをマ
スクと称したり、あるいは原盤に相当するものをレティ
クル、それを複製したものをマスクと称したりすること
があるが、本発明においては、このような種々の意味に
おけるマスクやレティクルを総称して、マスクと称する
ものである。
【０００８】上述したような、隣り合う光透過部で光の
位相をシフト（理想的には１８０°反転）させる位相シ
フトマスクは、空間周波数変調型（あるいはレベンソン
型）と称されている。その他、位相シフトマスクには、
エッジ強調型、遮光効果強調型などと称されるような各
種のものがあり、この中には遮光部を有さない形状のも
の（クロムレスタイプなどと称されているもの）もある
が、いずれも、露光光を透過する部分の少なくとも一部
には位相をシフトさせる位相シフト部が設けられてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記位相シフト
マスク利用の技術は、図５で説明したようなライン・ア
ンド・スペースパターンの如き繰り返しのパターンには
極めて有効であるが、繰り返しでない孤立のパターン形
成の場合には使いにくいという問題がある。
【００１０】即ち、位相シフト技術は、隣接するパター
ンを露光する光に位相差を与えることにより双方の光強
度が互いに打ち消される効果を利用するものであるが、
孤立ラインやコンタクトホールの形成の場合には近接光
が存在しないので、そのままでは位相シフト技術を実現
できない。
【００１１】このため、図６に示すように、露光光を位
相シフトさせることなく透過させる光透過部１２（位相
シフト量０°）を、形成すべきパターンに対応して設け
るとともに、露光光を位相シフトさせる位相シフト部１
１（例えば位相シフト量１８０°）を該光透過部１２に
近接して形成する必要があった（寺澤らによる報告。昭
和６３年秋季，第４９回応用物理学会学術講演会予稿集
２第４９７頁の４ａ−Ｋ−７参照）。
【００１２】このように従来技術にあっては、遮光部１
０内に、パターン形成用の光透過部１２を構成するメイ
ンスペースを要するとともに、位相シフト部１１を構成
するためのサブスペースを要する。かかる位相シフト部
１１は、図６（ａ）の孤立ラインパターン形成用マスク
についてはメインスペースであるたて長の光透過部１２
に近接して、この両側に沿って形成され、図６（ｂ）に
示すホールパターン形成用マスクについては四角形の光
透過部１２の４辺に近接して、これらに沿って形成され
る。この図６（ｂ）のマスクパターンは、特にポジ型レ
ジストを用いるコンタクトホール形成に相当の効果があ
る。
【００１３】このように、中央パターン（例えば孤立コ
ンタクトホール形成用パターン）の辺に沿ってシフター
部（これはサブシフターと称されている）が形成される
露光マスクを用いる手法は、サブシフター型位相シフト
法と言われている。
【００１４】サブシフター型位相シフト法は、孤立パタ
ーンの解像度を上げること等に有効な方法である。これ
について以下更に詳述する。サブシフター型位相シフト
法は、代表的には、図７に示したように、パターンＣ
（中央パターン）の４辺に周部パターンＳ１〜Ｓ４とし
て位相シフター（サブシフター）を配置してパターンの
コントラストを上げようというものである。当然、サブ
シフターの配置距離には最適道が存在する。例えばｉ線
を露光光とする場合で言えば、１辺の長さ（Ｌ3）が
０．４０μｍの正方形状中央パターンＣ（ホールパター
ン）について、サブシフターの長さＬ1 は０．４５μ
ｍ、幅Ｌ4 は０．２０μｍ、中央パターンと周辺のサブ
シフターパターンとの距離Ｌ2 は０．５７５μｍであ
る。
【００１５】図７からも明らかなように、このようにし
てサブシフターを４辺に配置すれば、パターン全体の大
きさは増し、結果としてかかるパターン群が２以上ある
場合、２つのコンタクトホールを近づけ得る距離にも制
限が加えられることになる。図８は２つのコンタクトホ
ール（中央パターンＣ１，Ｃ２）を近接させ過ぎたため
に、サブシフターパターンＳ１〜Ｓ４，Ｓ１′〜Ｓ４′
の内、隣合う内側のシフターＳ２，Ｓ２′が融合した１
つのピークを形成してしまった例である。Ｄは２つのコ
ンタクトホール（中央パターンＣ１，Ｃ２）間距離であ
る。外側のシフターがつくるピークの強度よりもこの融
合したピークの強度は強い。他のシフターが中央のコン
タクトホール１個分の影響しか受けないのにたいし、中
間のシフターは両側のコンタクトホールの回折光の影響
を受けて光強度が大きくなってしまうからである。また
メインピークの強度も近接の影響を受けて弱まる。これ
らの現象は今後更なるＬＳＩの高集積化を進める上で当
然問題となる。
【００１６】上述のようにサブシフター型位相シフト法
では、シフターを最適な距離に配置する必要がある。例
えば光源にｉ線を使用し、以下に示すような条件で、
０．４０μｍのコンタクトホールを形成しようとした場
合、シフターをホールの中心から０．５７５μｍの位置
に配置する必要がある。 λ＝３６５ｎｍ ＮＡ＝０．５０ σ＝０．３ Ｆｏｃｕｓ＝Ｂｅｓｔ Ｆｏｃｕｓ
【００１７】図９に、シュミレーションによって得られ
たサブシフターを配置した時としない時の光強度分布を
示す。実線でシフター有りの場合を示し、破線でシフタ
ー無しの場合を示す。なお、計算は全てシフター長：
０．４５μｍ、シフター幅：０．２０μｍとして行って
いる。図からも明らかなようにシフターを配置すること
でコントラストは格段に向上する。
【００１８】図８はこのような条件の元に２つのコンタ
クトホール間距離：Ｄを１．６μｍに配置してシュミレ
ーションを行ったときに得られたコンター図である。隣
り合う内側のシフターが融合した１つのピークを形成し
ている。外側のピーク強度が０．２３であるのに対し
て、この融合したピークの強度は０．３１とかなり高
い。
【００１９】図１０にＤ＝２．０の場合と、Ｄ＝１．６
μｍの光強度分布を示す。メインピークの強度も近接の
影響を受けて０．８から０．７８と僅かではあるが落ち
込んでいる。更に距離を短くし、Ｄ＝１．４μｍにまで
近接させると、図１１に示すように、サブシフターのも
たらすピークの強度は０．７１にまで上がる。これは実
質的にはレベンソン型位相シフト法を用いて３つのコン
タクトホールを形成しようとしている状態と同じであ
る。
【００２０】
【発明の目的】本発明は、上記周部パターン（サブシフ
ター）間の干渉による悪影響を抑制した露光マスク及び
露光方法を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本出願の請求項１の発明
は、中央パターンと、該中央パターンの周部に位置する
周部パターンを備えたパターン群が隣り合って配置され
て成る露光マスクであって、隣り合う周部パターン相互
の干渉を低減する構成としたことを特徴とする露光マス
クであり、これにより上記目的を達成するものである。
【００２２】本出願の請求項２の発明は、フォトマスク
上の孤立パターンの周辺に、該孤立パターン開口部の解
像度を上げるため自身は解像されないサブシフター部を
設け露光を行うサブシフター位相シフト露光方法であっ
て、前記サブシフター部を、隣り合う孤立パターンの間
で、近接する前記サブシフター部の干渉を低減する位相
に配置し、前記近接サブシフター間の干渉を低減したこ
とを特徴とする露光方法であり、これにより上記目的を
達成するものである。
【００２３】本出願の請求項３の発明は、フォトマスク
上の孤立パターンの周辺に、該孤立パターン開口部の解
像度を上げるため自身は解像されないサブシフター部を
設け露光を行うサブシフター位相シフト法に用いられる
サブシフター位相シフト露光マスクであり、前記サブシ
フター部を、隣り合う孤立パターンの間で、近接する前
記サブシフター部が角度を持つ位置に設けたことを特徴
とするサブシフター位相シフト露光マスクであり、これ
により上記目的を達成するものである。
【００２４】本出願の請求項４の発明は、フォトマスク
上の孤立パターンの周辺に、該孤立パターン開口部の解
像度を上げるため自身は解像されないサブシフター部を
設け露光を行うサブシフター位相シフト法に用いられる
サブシフター位相シフト露光マスクであり、前記サブシ
フター部と隣り合う孤立パターンの間で近接する前記サ
ブシフター部が位相差を持つ構成にしたことを特徴とす
る位相シフト露光マスクであり、これにより上記目的を
達成するものである。
【００２５】本出願の請求項５の発明は、フォトマスク
上の孤立パターンの周辺に、該孤立パターン開口部の解
像度を上げるため自身は解像されないサブシフター部を
設け露光を行うサブシフター位相シフト露光方法であ
り、前記サブシフター部を、隣り合う孤立パターンの間
で、近接する前記サブシフター部が角度を持つ位置に設
けたことを特徴とするサブシフター位相シフト露光方法
であり、これにより上記目的を達成するものである。
【００２６】本出願の請求項６の発明は、フォトマスク
上の孤立パターンの周辺に、該孤立パターン開口部の解
像度を上げるため自身は解像されないサブシフター部を
設け露光を行うサブシフター位相シフト露光方法であ
り、前記サブシフター部を隣り合う孤立パターンの間で
近接する前記サブシフター部が位相差を持つ構成にした
ことを特徴とする位相シフト露光方法であり、これによ
り上記目的を達成するものである。
【００２７】本出願の請求項７の発明は、フォトマスク
上の孤立パターンの周辺に、該孤立パターン開口部の解
像度を上げるため自身は解像されないサブシフター部を
設け露光を行うサブシフター位相シフト法に用いられる
サブシフター位相シフト露光マスクであり、該孤立パタ
ーン同士が一定距離以上接近するとともに、該孤立パタ
ーン間にサブシフター部がひとつ形成されたことを特徴
とする位相シフト露光マスクであり、これにより上記目
的を達成するものである。
【００２８】本出願の請求項８の発明は、前記一定距離
以上接近した孤立パターン間に形成されたサブシフター
部と、該孤立パターンとの中心間距離が０．７５×λ／
ＮＡ〜１．０×λ／ＮＡの範囲にあることを特徴とする
請求項７に記載の位相シフト露光マスクであり、これに
より上記目的を達成するものである。
【００２９】本出願の請求項９の発明は、フォトマスク
上の孤立パターンの周辺に、該孤立パターン開口部の解
像度を上げるため自身は解像されないサブシフター部を
設け露光を行うサブシフター位相シフト法に用いられる
サブシフター位相シフト露光マスクであり、該孤立パタ
ーン同士が一定距離以上接近するとともに、該孤立パタ
ーン間に最近接の孤立パターンが共有するサブシフター
部がひとつ形成され、該サブシフター部を複数の領域に
分割して各領域の位相をずらしたことを特徴とする位相
シフト露光マスクであり、これにより上記目的を達成す
るものである。
【００３０】本出願の請求項１０の発明は、前記一定距
離以上接近した孤立パターン間に形成されたサブシフタ
ー部が、他の部分のサブシフター部に比して小さい面積
となる構成としたことを特徴とする請求項７ないし９の
いずれかに記載の位相シフト露光マスクであり、これに
より上記目的を達成するものである。
【００３１】本出願の請求項１１の発明は、前記一定距
離以上接近した孤立パターン間に形成されたサブシフタ
ー部が、その露光光の透過率を他の部分のサブシフター
に比して低く構成したものであることを特徴とする請求
項７ないし９のいずれかに記載の位相シフト露光マスク
であり、これにより上記目的を達成するものである。
【００３２】本出願の請求項１２の発明は、フォトマス
ク上の孤立パターンの周辺に、該孤立パターン開口部の
解像度を上げるため自身は解像されないサブシフター部
を設け露光を行うサブシフター位相シフト法に用いられ
るサブシフター位相シフト露光マスクであり、該孤立パ
ターン同士が一定距離以上接近するとともに、該サブシ
フター部の両側に最近接する複数の孤立パターンに位相
シフト効果をもたらすサブシフター部がひとつ形成され
たことを特徴とする位相シフト露光マスクであり、これ
により上記目的を達成するものである。
【００３３】本出願の請求項１３の発明は、フォトマス
ク上の孤立パターンの周辺に、該孤立パターン開口部の
解像度を上げるため自身は解像されないサブシフター部
を設け露光を行うサブシフター位相シフト法に用いられ
るサブシフター位相シフト露光マスクであり、該孤立パ
ターン同士が一定距離以上接近する場合において、該孤
立パターン間に最近接の孤立パターンが共有するサブシ
フター部がひとつ形成され、該サブシフター部を複数の
領域に分割して各領域の位相をずらしたことを特徴とす
る位相シフト露光マスクであり、これにより上記目的を
達成するものである。
【００３４】本出願の請求項１４の発明は、フォトマス
ク上の孤立パターンの周辺に、該孤立パターン開口部の
解像度を上げるため自身は解像されないサブシフター部
を設け露光を行うサブシフター位相シフト法に用いられ
るサブシフター位相シフト露光マスクであり、該孤立パ
ターン同士が一定距離以上接近する場合において、該孤
立パターン間に最近接の孤立パターンが共有するサブシ
フター部がひとつ形成され、該サブシフター部を複数の
領域に分割して各領域の位相をずらして構成するととも
に、該サブシフター部の中央部は位相シフト量ゼロとし
たことを特徴とする位相シフト露光マスクであり、これ
により上記目的を達成するものである。
【００３５】請求項１３及び請求項１４の発明において
は、孤立パターン間に形成されたサブシフター部と、該
孤立パターンとの中心間距離が１×λ／ＮＡを超え、
３．０×λ／ＮＡ未満であるように構成することができ
る。
【００３６】本出願の請求項１５の発明は、フォトマス
ク上の孤立パターンの周辺に、該孤立パターン開口部の
解像度を上げるため自身は解像されないサブシフター部
を設け露光を行うサブシフター位相シフト露光方法であ
って、該孤立パターン同士が一定距離以上接近する場合
において、該孤立パターン間に形成されるサブシフター
がひとつ形成された位相シフトマスクを用いサブシフタ
ー間の露光強度ピークを低減させたことを特徴とする露
光方法であり、これにより上記目的を達成するものであ
る。
【００３７】本出願の請求項１６の発明は、前記一定距
離以上接近した孤立パターン間に形成されたサブシフタ
ー部が、その他の部分のサブシフター部に比して小さい
面積である位相シフトマスクを用いサブシフター間の露
光強度ピークを低減させたことを特徴とする請求項１５
に記載の露光方法であり、これにより上記目的を達成す
るものである。
【００３８】本出願の請求項１７の発明は、前記一定距
離以上接近した孤立パターン間に形成されたサブシフタ
ー部の透過率を他の部分のサブシフター部に比して下げ
た位相シフトマスクを用いサブシフター間の露光強度ピ
ークを低減させたことを特徴とする請求項１５に記載の
露光方法であり、これにより上記目的を達成するもので
ある。
【００３９】本出願の請求項１８の発明は、前記一定距
離以上接近した孤立パターン間に形成されたサブシフタ
ー部を複数の領域に分割して各領域の位相をずらし該サ
ブシフター部を透過する露光光の強度を低下させたこと
を特徴とする請求項１４ないし１７のいずれかに記載の
露光方法であり、これにより上記目的を達成するもので
ある。
【００４０】
【作用】本出願の請求項１ないし６の発明によれば、サ
ブシフターパターン等の周部パターンの隣り合う部分に
ついて、両者間の干渉を取り除くことができる。これ
は、片側、あるいは両側のパターンを４５°回転させて
配置すること等により、容易に実現できる。また、位相
シフト技術に適用して、片側のパターンの位相順序を逆
転することにより、位相シフト効果を増して、より強度
の高いメインピークを得ることができる。
【００４１】本出願の請求項７ないし１８の発明による
と、孤立パターン（中央パターン）の間のサブシター部
をひとつにすることによりその影響を小さくでき、その
面積も小さくできる。また、サブシフター部の光透過率
を下げることにより、あるいは位相シフト量を異ならし
めた部分（例えば位相シフト量を０°とする部分）をサ
ブシフター部に設けることにより、サブシフター部の光
強度を抑えることができる。
【００４２】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。但し、当然のことではあるが、本発明は以
下の実施例により限定を受けるものではない。
【００４３】実施例１ この実施例は、サブシフター型位相シフト露光技術に本
発明を適用したもので、特に、互いのシフターが干渉し
合うまで近接した２つのコンタクトホールパターンにつ
いて、サブシフターパターンを回転させて（角度をもた
せて）配置することにより、近接したパターンにおいて
もサブシフター型位相シフト法の適用を可能にしたもの
である。図１を参照する。
【００４４】図１に示すのは、右側のパターン群のサブ
シフターパターンを４５°回転させて配置した場合のコ
ンター図である。即ち、左側の中央パターンＣ１２の周
辺のサブシフターパターンＳ１１′〜Ｓ１４′は、従来
と同様、中央パターンＣ１２の４辺に沿っているが、右
側のパターン群については、その中央パターンＣ１１及
びその周辺のサブシフターパターンＳ１１〜Ｓ１４は、
４５°回転させた配置になっている。この場合も、内側
のパターンが融合してはいるものの、その強度は０．２
４で、外側のピーク強度と変わらない。このときメイン
ピークの強度は０．７８であった。干渉効果がないよう
に十分遠ざけて配置したときのメインピーク強度が０．
８０であったから、この配置法により、メインピーク強
度を０．０２、融合ピーク強度を０．４７減少させるこ
とができたものである。
【００４５】実施例２ 本実施例は、実施例１の場合を更に改良して、更に左側
のパターンも（中央パターンＣ１２，サブシフターパタ
ーンＳ１１′〜Ｓ１４′）も４５°回転させて配置した
場合の例である。この場合のコンター図を図２に示す。
【００４６】この配置を用いると、メインピーク強度は
変化せず、融合ピーク強度のみ０．２１と減少し、非常
に効果的に干渉の悪影響を削減させることができる。
【００４７】実施例３ この実施例は、シフターの配置順序を変えることによ
り、近接したパターンにおいてもサブシフター型位相シ
フト法の適用を可能にしたものである。
【００４８】即ち、パターンを回転させるのではなく、
シフターの配置順序を変えることで近接干渉作用を逆に
有効利用しようという例であり、これを図３に示す。
【００４９】図示のように、左側のパターン群では、中
央パターンＣ１２ａの透過先の位相シフト量は０°とし
その周辺のサブシフターパターンＳ１１ｂ〜Ｓ１４ｂに
ついての位相シフト量は１８０°とし、これに対し、右
側のパターン群では、０°と１８０°の位相関係を逆転
させて配置している。即ち、中央パターンＣ１１ｂの位
相シフト量が１８０°であり、その周辺のパターンＳ１
１ａ〜Ｓ１４ａの位相シフト量を０°とした。図４はこ
の時の光強度分布である。図からも明らかなように、こ
の方法を用いると２つのホール間にできるピークはほぼ
完全に取り除くことができる。またメインピーク強度も
０．８１で通常の方法よりも増加している。
【００５０】なお、以上の実施例１〜３については、ｉ
線を用いて０．４０μｍのコンタクトホールを開口する
場合を具体例に挙げて説明を行ってきたが、各構成はそ
の条件のみに限定されるものではなく、本発明の範囲
で、光源波長，ＮＡ，σ等は適宜変更可能である。
【００５１】実施例４ この実施例は、図１２に示すように、孤立パターンＣ４
１，Ｃ４２間のサブシフター部Ｓ４をひとつ設けたもの
である。
【００５２】即ち、本実施例の位相シフトマスクは、フ
ォトマスク上の孤立パターンＣ４１，Ｃ４２の周辺に、
該孤立パターンＣ４１，Ｃ４２開口部の解像度を上げる
ため自身は解像されないサブシフター部Ｓ４，Ｓ４１〜
Ｓ４６を設け露光を行うサブシフター位相シフト法に用
いられるサブシフター位相シフト露光マスクであり、該
孤立パターンＣ４１，Ｃ４２同士が一定距離以上接近す
るとともに、該孤立パターンＣ４１，Ｃ４２間にひとつ
のサブシフター部Ｓ４が形成されているものである。
【００５３】本実施例において、λを露光波長、ＮＡを
露光機の開口部とすると、孤立パターンＣ４１，Ｃ４２
間に形成されたサブシフター部Ｓ４と、該孤立パターン
Ｃ４１，Ｃ４２との中心間距離Ｌ6 は、０．７５×λ／
ＮＡ〜１．０×λ／ＮＡの範囲にあり、具体的にはＫｒ
Ｆエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）で露光する場合
について、上記中心間距離Ｌ6 は１μｍとした。
【００５４】本実施例において、孤立パターンＣ４１，
Ｃ４２間に形成されたサブシフター部Ｓ４は、他の部分
のサブシフター部Ｓ４１〜Ｓ４６に比して、小さい面積
となるようにした。具体的には、シフター幅を、孤立パ
ターンＣ４１，Ｃ４２間のサブシフター部Ｓ４について
は０．１４μｍとし、その他のサブシフター部Ｓ４１〜
Ｓ４６については、０．１６μｍとした。このように孤
立パターンＣ４１，Ｃ４２間のサブシフター部Ｓ４につ
いてはその面積を小さくすることによって、該サブシフ
ター部Ｓ４２を透過する光量を抑え、このサブシフター
部Ｓ４２による解像を防止したのである。
【００５５】以下本実施例について、更に詳しく述べ
る。本実施例の露光マスクは、次のような考え方に基づ
いて設計した。０．４μｍのコンタクトホールにサブシ
フター（補助シフター）を配置してＫｒＦエキシマレー
ザ（２４８ｎｍ）により露光する場合を考える。簡単の
ため、ホールパターンは孤立パターンＣ４１，Ｃ４２の
２つとする。一般に、補助シフターとホール間の距離
（Ｌ5 ）、２つのホール間の距離（Ｌ6 ）は、（λ／Ｎ
Ａ）で規格化した場合、前者が０．７〜０．８×（λ／
ＮＡ）、後者が２．５×（λ／ＮＡ）以上と言われてい
る。従ってホール間の距離が１．４〜１．６（λ／Ｎ
Ａ）になるようにデバイスを設計し、間に１つのシフタ
ーを配置すれば、ホール間の距離を２．５×（λ／Ｎ
Ａ）よりかなり小さくとることができる。ところがこの
場合、中間のシフター部Ｓ４では、前記説明したよう
に、シフター透過光が両側のホールの回折光と干渉し、
他のシフター部Ｓ４１〜Ｓ４６より強度が上昇してしま
う。図１４に示す、マスク描画時の近接効果の影響（中
央のサブシフターＳ４は、両サイドのパターンＣ４１，
Ｃ４２による描画の影響を受けて、ドーズ量が多くなっ
てしまう）もある。シフターの幅は大きいほど位相シフ
ト効果が大きいが、大きすぎるとレジストが解像してし
まうため、解像限界ぎりぎりが望ましい。サブシフター
Ｓ４１〜Ｓ４６をぎりぎりで設計すると、サブシフター
部Ｓ４は解像してしまうことになる。
【００５６】そこで、本実施例では、この中間のサブシ
フター部Ｓ４をあらかじめ、他のサブシフター部Ｓ４１
〜Ｓ４６よりも小さく形成した。これによりこの部分の
光強度を下げたのである。
【００５７】サブシフター部Ｓ４のシフター幅を０．１
４μｍにした場合のシミュレーション結果を、図１３に
示す。本実施例の構成により、中間のみでシフター部Ｓ
４の光強度は、他のシフター部Ｓ４１〜Ｓ４６と同程度
に抑えられる。しかも中心のホールパターン（孤立パタ
ーンＣ４１，Ｃ４２）の強度には、ほとんど影響を与え
ない。
【００５８】実際にはマスクパターンのＥＢ描画時に図
１４で述べた近接効果が働くため、描画用のＣＡＤデー
タ入力時には、更にシフター線幅を小さく設計しておく
ことが望ましい。
【００５９】実施例５ 本実施例は、孤立パターンＣ４１，Ｃ４２間に形成され
たサブシフター部Ｓ４を、その露光光についての透過率
を他の部分のサブシフターに比して低く構成することに
よって、実施例４と同様な効果を得るようにした例であ
る。本実施例も、図１２と同じようなマスクパターン配
置をとるが、但し、中間のサブシフター部Ｓ４の面積は
他のサブシフター部Ｓ４１〜Ｓ４６と同じとし、そのか
わりに、このサブシフター部Ｓ４の光透過率を８０％と
した。
【００６０】このようにサブシフター部Ｓ４の透過率を
落とすことにより、面積の縮小と同じ効果を得ることが
できた。図１５に中間のシフター部分の透過率を８０％
にした場合のシミュレーション結果を示す。
【００６１】特定のサブシフター部のみの透過率を落と
すためには、イオン注入によるのが簡便であり、ここで
はＧａのイオン（ＦＩＢ）を注入した。シフターとして
ＳＯＧ等ＳｉＯ2 系の物質を使用すればＧａイオンの注
入により透過率が低下することは広く知られている。そ
のほか、透過率を下げる他のイオン種の注入を採用して
もよい。
【００６２】実施例６ 上述した実施例４，５は、２つのホール（孤立パター
ン）間にシフター１個だけしか配置できないほど接近し
たパターンが１ケ所以上あれば適用できるが、図１６に
示すように、碁の目状に並べた場合でも、デバイスに端
がある以上、必ず１つのホールのみにしか影響しないサ
ブシフターが存在する（図１６において白抜きしたＳ′
で示したシフター）。よって、その他のサブシフター、
即ち孤立パターン間に位置するサブシフターＳ（特に斜
線を付して示す）を、上述したように小面積にするか、
ないしは透過率を落として構成することにより、所期の
効果を得ることができる。図１６において、斜線を付し
たシフターＳはすべて２つのホールパターンＣの共有と
なるが、周辺のシフターＳ′だけは、１つのホールにし
か影響しない。
【００６３】実施例７ 本実施例の位相シフト露光マスクは、図１７に示すよう
に、孤立パターンＣ７１，Ｃ７２間のサブシフター部Ｓ
７を１つの開口部にし、まん中にシフターの無い部分Ｓ
７１を形成するものである。図１９に、この露光マスク
の断面図を示す。
【００６４】即ち、本実施例は、フォトマスク上の孤立
パターンＣ１，Ｃ２の周辺に、該孤立パターンＣ１，Ｃ
２開口部の解像度を上げるため自身は解像されないサブ
シフター部Ｓ７，Ｓ７ａ〜Ｓ７ｆを設け露光を行うサブ
シフター位相シフト法に用いられるサブシフター位相シ
フト露光マスクであり、該孤立パターンＣ１，Ｃ２同士
が一定距離以上接近する場合において、該孤立パターン
Ｃ１，Ｃ６間に最近接の孤立パターンが共有するサブシ
フター部Ｓ７がひとつ形成され、該サブシフター部Ｓ７
を複数の領域Ｓ７１〜Ｓ７２に分割して各領域の位相を
ずらして構成する。特に、サブシフター部Ｓ７の中央部
Ｓ７１の位相シフト量をゼロとした。その両側のサブシ
フター部Ｓ７２，Ｓ７３は、１８０°位相シフトする構
成とした。
【００６５】本実施例の位相シフト露光マスクは、次の
工程で形成した。まず図１８（ａ）に示すように、通常
のマスクＥＢ描画により基板１（石英）上に遮光部１０
をなすＣｒパターンを形成する。次に図１８（ｂ）のよ
うに位相シフト材料１１としてＳＯＧを塗布し、図１８
（ｃ）のようにレジストＲをその上に塗布した後、シフ
ターパターンＥＢを描画する（図１８（ｃ）参照）。こ
の際、レジストにはポジ型の例えば商品名ＥＢＲ−９を
用い、ＳＯＧには例えばＡｌｉｅｄ Ｓｉｇｎａｌ社の
商品名Ａｃｃｕｇｌａｓｓ Ｘ−２１１を使用する。本
実施例では図示のとおり、図１８（ｃ）中の（Ａ）の部
分も描画して、レジストを除去してしまう。これにより
位相シフト量ゼロのサブシフター部Ｓ７１を形成する。
この後ドライエッチングによりＳＯＧのパターンを形成
すれば、図１９の断面構造ができあがる。
【００６６】このマスクを用いて露光する場合を考え
る。光源はＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＮＡ
＝０．４２、図１７に示すように孤立パターン（ホー
ル）は０．４μｍ四方で、ホール間距離は１．２μｍで
ある。シフター幅は０．１６μｍで、中央の位相０°の
部分Ｓ７の幅は０．１４μｍである。
【００６７】この場合のレジスト上の光強度分布（シミ
ュレーション結果）を図２０に示す。従来技術で見られ
た中央のピークは消滅し、ホール部分の強度分布にもほ
とんど影響を与えていないことが分かり、本実施例にお
ける位相０°の部分の有効性が示されている。
【００６８】本実施例においては、シフター幅を０．１
４μｍ（マスク上０．７μｍ）に設定したが、実際には
ＥＢ描画時の近接効果やＳＯＧエッチング時の変換差に
よりずれが生じてしまい、寸法通りにいかないことがあ
る。ずれにより、シフター幅が０．１６μｍ、０．１２
μｍになった時の強度分布を図２（ａ）（ｂ）に示す
が、ともにホールの分布には大きな影響がなく、ホール
間の強度も他のシフター部の強度を越えていない。よっ
て、寸法ずれが仮に生じたとしても効果に影響がなく、
従って実用上の利益が大きいことが分かる。
【００６９】更に、アライメントがずれた場合について
も考えてみる。最後の０°部分Ｓ７１を形成するＥＢ描
画のアライメントがずれて、図２２に示すように中央の
サブシフター部Ｓ７の１８０°の部分Ｓ７２の０°の部
分Ｓ７１、１８０°の部分Ｓ７３が左から０．１４μ
ｍ、０．１４μｍ、０．１８μｍとなった場合について
やはり光強度分布を求めてみた。この場合も図２３の通
り、サブピークには問題なく左右の開口についても、ほ
とんど強度に差がないことが判明した。よって、アライ
メントずれに対しても問題がなく、実用上きわめて有利
である。
【００７０】 とが可能であることがわかる。限界についてはＥＢ描画
機の性能と波長にもよる
【００７１】実施例８ 上記実施例７が、いわゆる上置きシフター型のマスクに
適用したものであるのに対し、本実施例は、図２３に示
すように、下置き型シフター構造に応用した１例であ
る。
【００７２】即ち、本実施例の位相シフト露光マスク
は、該孤立パターンＣ１，Ｃ２が位相シフト部（位相シ
フト量１８０°）として形成され、かつ両パターンＣ
１，Ｃ２間に最近接の孤立パターンが共有するサブシフ
ター部Ｓ７がひとつ形成され、該サブシフター部Ｓ７を
複数の領域Ｓ７１〜Ｓ７２に分割して各領域の位相をず
らして構成するとともに、ここでは特に、サブシフター
部Ｓ７の中央部Ｓ７１の位相シフト量を１８０°とし、
その両側のサブシフター部Ｓ７２，Ｓ７３の位相シフト
量をゼロとして構成としたものである。
【００７３】本実施例も、実施例７と同様の効果を有
し、ホールパターン間の距離を小さくでき、またこのた
め設計の自由度が大きくなる。
【００７４】
【発明の効果】本発明によれば、中央パターン（孤立パ
ターン）の周部に配置された周部パターン（サブシフタ
ー）を備えたパターン群が隣り合う場合についても、周
部パターン（サブシフター）間の干渉を抑制でき、その
悪影響を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例１のパターン構成、及び光強度の等高
線を示す図である。
【図２】 実施例２のパターン構成、及び光強度の等高
線を示す図である。
【図３】 実施例３のパターン構成、及び光強度の等高
線を示す図である。
【図４】 実施例４のｙ＝０における光強度分布図であ
る。
【図５】 位相シフトマスクの原理を示す図である。
【図６】 従来の位相シフトマスクを示す図である。
【図７】 従来構造の最適設計（ｉ線について）を示す
図である。
【図８】 従来構造の光分布等高線を示す図である。
【図９】 従来技術の光強度分布を示す図である。
【図１０】 従来技術の光強度分布を示す図である。
【図１１】 従来技術の光強度分布を示す図である。
【図１２】 実施例４のマスクを示す構成図である。
【図１３】 実施例４の光強度分布を示す図である。
【図１４】 近接効果の説明図である。
【図１５】 実施例５の光強度分布を示す図である。
【図１６】 実施例６のマスクを示す構成図である。
【図１７】 実施例７のマスクを示す構成図である。
【図１８】 実施例７のマスクの製造工程を示す図であ
る。
【図１９】 実施例７のマスクの断面図である。
【図２０】 実施例７の光強度分布を示す図である。
【符号の説明】
Ｃ１１，Ｃ１２ 中央パターン（孤立コンタク
トパターン） Ｓ１１〜Ｓ１４，Ｓ１１′〜Ｓ１４′，Ｓ１１ａ〜Ｓ１
４ａ， Ｓ１１ｂ〜Ｓ１４ｂ 周部パターン（サブシフタ
ー）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年７月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例１のパターン構成、及び光強度の等高
線を示す図である。
【図２】 実施例２のパターン構成、及び光強度の等高
線を示す図である。
【図３】 実施例３のパターン構成、及び光強度の等高
線を示す図である。
【図４】 実施例４のｙ＝０における光強度分布図であ
る。
【図５】 位相シフトマスクの原理を示す図である。
【図６】 従来の位相シフトマスクを示す図である。
【図７】 従来構造の最適設計（ｉ線について）を示す
図である。
【図８】 従来構造の光分布等高線を示す図である。
【図９】 従来技術の光強度分布を示す図である。
【図１０】 従来技術の光強度分布を示す図である。
【図１１】 従来技術の光強度分布を示す図である。
【図１２】 実施例４のマスクを示す構成図である。
【図１３】 実施例４の光強度分布を示す図である。
【図１４】 近接効果の説明図である。
【図１５】 実施例５の光強度分布を示す図である。
【図１６】 実施例６のマスクを示す構成図である。
【図１７】 実施例７のマスクを示す構成図である。
【図１８】 実施例７のマスクの製造工程を示す図であ
る。
【図１９】 実施例７のマスクの断面図である。
【図２０】 実施例７の光強度分布を示す図である。
【図２１】 実施例７においてずれによりシフター幅が
変化した場合の光強度分布を示す図である。
【図２２】 実施例７のマスクのアライメントがずれた
場合を示す図である。
【図２３】 アライメントがずれた図２２のマスクの光
強度分布を示す図である。
【図２４】 実施例８の位相シフトマスクを示す図であ
る。
【符号の説明】 Ｃ１１，Ｃ１２ 中央パターン（孤立コンタク
トパターン） Ｓ１１〜Ｓ１４，Ｓ１１′〜Ｓ１４′，Ｓ１１ａ〜Ｓ１
４ａ， Ｓ１１ｂ〜Ｓ１４ｂ 周部パターン（サブシフタ
ー）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６８】本実施例においては、シフター幅を０．１
４μｍ（マスク上０．７μｍ）に設定したが、実際には
ＥＢ描画時の近接効果やＳＯＧエッチング時の変換差に
よりずれが生じてしまい、寸法通りにいかないことがあ
る。ずれにより、シフター幅が０．１６μｍ、０．１２
μｍになった時の強度分布を図２１（ａ）（ｂ）に示す
が、ともにホールの分布には大きな影響がなく、ホール
間の強度も他のシフター部の強度を越えていない。よっ
て、寸法ずれが仮に生じたとしても効果に影響がなく、
従って実用上の利益が大きいことが分かる。

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】中央パターンと、該中央パターンの周部に
    位置する周部パターンを備えたパターン群が隣り合って
    配置されて成る露光マスクであって、 隣り合う周部パターン相互の干渉を低減する構成とした
    ことを特徴とする露光マスク。
  2. 【請求項２】フォトマスク上の孤立パターンの周辺に、
    該孤立パターン開口部の解像度を上げるため自身は解像
    されないサブシフター部を設け露光を行うサブシフター
    位相シフト露光方法であって、 前記サブシフター部を、隣り合う孤立パターンの間で、
    近接する前記サブシフター部の干渉を低減する位相に配
    置し、前記近接サブシフター間の干渉を低減したことを
    特徴とする露光方法。
  3. 【請求項３】フォトマスク上の孤立パターンの周辺に、
    該孤立パターン開口部の解像度を上げるため自身は解像
    されないサブシフター部を設け露光を行うサブシフター
    位相シフト法に用いられるサブシフター位相シフト露光
    マスクであり、 前記サブシフター部を、隣り合う孤立パターンの間で、
    近接する前記サブシフター部が角度を持つ位置に設けた
    ことを特徴とするサブシフター位相シフト露光マスク。
  4. 【請求項４】フォトマスク上の孤立パターンの周辺に、
    該孤立パターン開口部の解像度を上げるため自身は解像
    されないサブシフター部を設け露光を行うサブシフター
    位相シフト法に用いられるサブシフター位相シフト露光
    マスクであり、 前記サブシフター部と隣り合う孤立パターンの間で近接
    する前記サブシフター部が位相差を持つ構成にしたこと
    を特徴とする位相シフト露光マスク。
  5. 【請求項５】フォトマスク上の孤立パターンの周辺に、
    該孤立パターン開口部の解像度を上げるため自身は解像
    されないサブシフター部を設け露光を行うサブシフター
    位相シフト露光方法であり、 前記サブシフター部を、隣り合う孤立パターンの間で、
    近接する前記サブシフター部が角度を持つ位置に設けた
    ことを特徴とするサブシフター位相シフト露光方法。
  6. 【請求項６】フォトマスク上の孤立パターンの周辺に、
    該孤立パターン開口部の解像度を上げるため自身は解像
    されないサブシフター部を設け露光を行うサブシフター
    位相シフト露光方法であり、 前記サブシフター部を隣り合う孤立パターンの間で近接
    する前記サブシフター部が位相差を持つ構成にしたこと
    を特徴とする位相シフト露光方法。
  7. 【請求項７】フォトマスク上の孤立パターンの周辺に、
    該孤立パターン開口部の解像度を上げるため自身は解像
    されないサブシフター部を設け露光を行うサブシフター
    位相シフト法に用いられるサブシフター位相シフト露光
    マスクであり、 該孤立パターン同士が一定距離以上接近するとともに、 該孤立パターン間にサブシフター部がひとつ形成された
    ことを特徴とする位相シフト露光マスク。
  8. 【請求項８】前記一定距離以上接近した孤立パターン間
    に形成されたサブシフター部と、該孤立パターンとの中
    心間距離が０．７５×λ／ＮＡ〜１．０×λ／ＮＡの範
    囲にあることを特徴とする請求項７に記載の位相シフト
    露光マスク。
  9. 【請求項９】フォトマスク上の孤立パターンの周辺に、
    該孤立パターン開口部の解像度を上げるため自身は解像
    されないサブシフター部を設け露光を行うサブシフター
    位相シフト法に用いられるサブシフター位相シフト露光
    マスクであり、 該孤立パターン同士が一定距離以上接近するとともに、 該孤立パターン間に最近接の孤立パターンが共有するサ
    ブシフター部がひとつ形成され、該サブシフター部を複
    数の領域に分割して各領域の位相をずらしたことを特徴
    とする位相シフト露光マスク。
  10. 【請求項１０】前記一定距離以上接近した孤立パターン
    間に形成されたサブシフター部が、他の部分のサブシフ
    ター部に比して小さい面積となる構成としたことを特徴
    とする請求項７ないし９のいずれかに記載の位相シフト
    露光マスク。
  11. 【請求項１１】前記一定距離以上接近した孤立パターン
    間に形成されたサブシフター部が、その露光光の透過率
    を他の部分のサブシフターに比して低く構成したもので
    あることを特徴とする請求項７ないし９のいずれかに記
    載の位相シフト露光マスク。
  12. 【請求項１２】フォトマスク上の孤立パターンの周辺
    に、該孤立パターン開口部の解像度を上げるため自身は
    解像されないサブシフター部を設け露光を行うサブシフ
    ター位相シフト法に用いられるサブシフター位相シフト
    露光マスクであり、 該孤立パターン同士が一定距離以上接近するとともに、 該サブシフター部の両側に最近接する複数の孤立パター
    ンに位相シフト効果をもたらすサブシフター部がひとつ
    形成されたことを特徴とする位相シフト露光マスク。
  13. 【請求項１３】フォトマスク上の孤立パターンの周辺
    に、該孤立パターン開口部の解像度を上げるため自身は
    解像されないサブシフター部を設け露光を行うサブシフ
    ター位相シフト法に用いられるサブシフター位相シフト
    露光マスクであり、 該孤立パターン同士が一定距離以上接近する場合におい
    て、 該孤立パターン間に最近接の孤立パターンが共有するサ
    ブシフター部がひとつ形成され、 該サブシフター部を複数の領域に分割して各領域の位相
    をずらしたことを特徴とする位相シフト露光マスク。
  14. 【請求項１４】フォトマスク上の孤立パターンの周辺
    に、該孤立パターン開口部の解像度を上げるため自身は
    解像されないサブシフター部を設け露光を行うサブシフ
    ター位相シフト法に用いられるサブシフター位相シフト
    露光マスクであり、 該孤立パターン同士が一定距離以上接近する場合におい
    て、 該孤立パターン間に最近接の孤立パターンが共有するサ
    ブシフター部がひとつ形成され、 該サブシフター部を複数の領域に分割して各領域の位相
    をずらして構成するとともに、該サブシフター部の中央
    部は位相シフト量ゼロとしたことを特徴とする位相シフ
    ト露光マスク。
  15. 【請求項１５】フォトマスク上の孤立パターンの周辺
    に、該孤立パターン開口部の解像度を上げるため自身は
    解像されないサブシフター部を設け露光を行うサブシフ
    ター位相シフト露光方法であって、 該孤立パターン同士が一定距離以上接近する場合におい
    て、 該孤立パターン間に形成されるサブシフターがひとつ形
    成された位相シフトマスクを用いサブシフター間の露光
    強度ピークを低減させたことを特徴とする露光方法。
  16. 【請求項１６】前記一定距離以上接近した孤立パターン
    間に形成されたサブシフター部が、その他の部分のサブ
    シフター部に比して小さい面積である位相シフトマスク
    を用いサブシフター間の露光強度ピークを低減させたこ
    とを特徴とする請求項１５に記載の露光方法。
  17. 【請求項１７】前記一定距離以上接近した孤立パターン
    間に形成されたサブシフター部の透過率を他の部分のサ
    ブシフター部に比して下げた位相シフトマスクを用いサ
    ブシフター間の露光強度ピークを低減させたことを特徴
    とする請求項１５に記載の露光方法。
  18. 【請求項１８】前記一定距離以上接近した孤立パターン
    間に形成されたサブシフター部を複数の領域に分割して
    各領域の位相をずらし該サブシフター部を透過する露光
    光の強度を低下させたことを特徴とする請求項１４ない
    し１７のいずれかに記載の露光方法。
JP3487793A 1992-08-31 1993-01-30 露光マスク及び露光方法 Pending JPH06123963A (ja)

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