JPH07230160A - 位相シフトマスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】有限個の微細な孤立パターンを微小パターンピ
ッチで形成し得る補助パターン方式の位相シフトマスク
を提供する。 【構成】位相シフトマスクは、透明な材料から成る基体
１０に形成された遮光領域１２及び光透過領域を備え、
この光透過領域は、（イ）第１の光透過領域２０と、
（ロ）第１の光透過領域２０に隣接して設けられた第２
の光透過領域３０と、（ハ）第１若しくは第２の光透過
領域２０，３０が配置されていない第２若しくは第１の
光透過領域の側方の領域に設けられた第１の若しくは第
２補助光透過領域２２，３２から構成され、そして、第
１の光透過領域２０を通過した光の位相と、第２の光透
過領域３０及び第２の補助光透過領域３２を通過した光
の位相とが異なり、第２の光透過領域３０を通過した光
の位相と、第１の補助光透過領域２２を通過した光の位
相とが異なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、半導体装置製
造工程において各種パターン形成技術等に用いられる位
相シフトマスク、より詳しくは補助パターン方式の位相
シフトマスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造におけるパターン転写
工程、所謂リソグラフィ工程で使用されるフォトマスク
が、フォトマスク上のパターン形状をウエハ上に形成さ
れたレジスト材料に転写するために用いられている。半
導体装置等におけるパターン加工の寸法は年々微細化し
ている。そして、遮光領域と光透過領域とから構成され
たパターン領域のみを備えた従来型のフォトマスクで
は、リソグラフィ工程で使用する露光装置の露光光の波
長程度の解像度を得ることができず、半導体装置等の製
造において要求される解像度を得ることが困難になりつ
つある。そこで、近年、このような従来型のフォトマス
クに替わって、光の位相を異ならせる位相シフト領域を
具備した、所謂位相シフトマスクが用いられるようにな
ってきた。位相シフトマスクを用いることによって、従
来型のフォトマスクでは形成不可能な微細パターンの形
成が可能とされている。

【０００３】ウエハ上に形成されたレジスト材料にコン
タクトホールやビアホール、スルーホールに代表される
孤立パターンを形成するために、リム方式位相シフトマ
スクあるいは補助パターン方式位相シフトマスクと呼ば
れる位相シフトマスク、若しくはハーフトーン方式位相
シフトマスクが検討されている。

【０００４】リム方式位相シフトマスクは、図２０の
（Ａ）の模式的な部分平面図及び図２０の（Ｂ）の一部
断面図に示すように、透明材料から成る基体１０に形成
された、凹部から成る光透過領域１００と、遮光領域１
２と、光透過領域１００と遮光領域１２との間に設けら
れた位相シフト領域１０２から構成されている。位相シ
フト領域１０２における基体１０の厚さと、光透過領域
１００における基体１０の厚さが異なる。その結果、光
透過領域１００を通過する光の位相と、位相シフト領域
１０２を通過する光の位相が、例えば１８０度、相違す
る。

【０００５】また、補助パターン方式位相シフトマスク
は、図２１の（Ａ）の模式的な部分平面図及び図２１の
（Ｂ）の一部断面図に示すように、基体１０に形成され
た、凹部から成る光透過領域１００と、遮光領域１２
と、光透過領域１００に近接した遮光領域内に設けられ
た補助パターン領域１０４から構成されている（例え
ば、特開平４−２１６５４９号公報の平面配置図を参
照）。光透過領域１００と補助パターン領域１０４の間
には遮光領域１２Ａが存在する。補助パターン領域１０
４における基体１０の厚さと、光透過領域１００におけ
る基体１０の厚さが異なる。その結果、光透過領域１０
０を通過する光の位相と、補助パターン領域１０４を通
過する光の位相が、例えば１８０度、相違する。

【０００６】更に、ハーフトーン方式位相シフトマスク
は、図２２の（Ａ）の模式的な部分平面図及び図２２の
（Ｂ）の一部断面図に示すように、基体１０に形成され
た、凹部から成る光透過領域１００と、半遮光領域１０
６とから構成されている。半遮光領域１０６における基
体１０の厚さと、光透過領域１００における基体１０の
厚さが異なる。その結果、光透過領域１００を通過する
光の位相と、半遮光領域１０６を通過する光の位相が、
例えば１８０度、相違する。

【０００７】これらの３つの方式は、いずれも、例えば
コンタクトホールやビアホール、スルーホールに代表さ
れる孤立パターン（以下、一括してコンタクトホールと
呼ぶ）の形成に顕著に効果があることが知られている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの方
式には、以下に説明する問題がある。即ち、これらの方
式は、例えばコンタクトホールの形成に顕著に効果があ
るが、マスク上のコンタクトホールパターンを、近接さ
せることができないという甚だしい欠点がある。例え
ば、０．３μｍ径のコンタクトホールパターンをパター
ンピッチ０．６μｍで２次元的にマスク上に無数に配列
した場合を、以下考える。

【０００９】ここで、パターンピッチとは隣接するコン
タクトホールパターンの中心間の距離を意味する。尚、
以下においては、マスク上に形成されたコンタクトホー
ルパターンの大きさを、ウエハ上のレジストに形成すべ
きコンタクトホールの大きさで表現する。言い換えれ
ば、マスクに形成されたコンタクトホールパターンを５
倍の縮小倍率を有する縮小光学系にてレジストに転写す
る場合、ウエハ上のレジストに形成すべきパターンの大
きさをＸμｍとすれば、マスク上のパターンは５Ｘμｍ
となるが、以下の説明では、Ｘμｍのパターンと表現す
る。

【００１０】リム方式位相シフトマスクにおいては、典
型的には、図２０に示した光透過領域１００の大きさは
０．４２μｍ、位相シフト領域１０２の大きさは０．１
５μｍとなる。従って、光透過領域１００とその両側に
設けられた位相シフト領域１０２を合わせた大きさは、
０．４２＋０．１５×２＝０．７２μｍとなる。従っ
て、パターンピッチを０．６μｍとした場合、隣接した
位相シフト領域１０２が重なり合い、０．３μｍ径のコ
ンタクトホールパターンをパターンピッチ０．６μｍで
２次元的にマスク上に無数に配列することは不可能であ
る。

【００１１】補助パターン方式位相シフトマスクにおい
ては、図２１に示した光透過領域１００と遮光領域１２
Ａとその両側に設けられた補助パターン領域１０４を合
わせた大きさは、典型的には０．８８μｍとなる。従っ
て、補助パターン方式位相シフトマスクにおいても、パ
ターンピッチを０．６μｍとした場合、隣接した補助光
透過領域１０４が重なり合い、０．３μｍ径のコンタク
トホールパターンをパターンピッチ０．６μｍで２次元
的にマスク上に無数に配列することは不可能である。

【００１２】一方、半遮光領域１０６の光透過率が１６
％であるハーフトーン方式位相シフトマスクにおいて
は、図２２に示した光透過領域１００の大きさは、典型
的には０．３７μｍとなる。従って、ハーフトーン方式
位相シフトマスクにおいては、パターンピッチを０．６
μｍとした場合、隣接した光透過領域１００が重なり合
うことはない。即ち、０．３μｍ径のコンタクトホール
パターンをパターンピッチ０．６μｍで２次元的にマス
ク上に無数に配列することが可能である。更には、半遮
光領域１０６における光の振幅透過率をより小さくすれ
ば、光透過領域１００の大きさを０．３０μｍに近づけ
ることができる。

【００１３】しかしながら、ハーフトーン方式位相シフ
トマスクにおいては、マスク上のパターンピッチが小さ
くなるに従い、隣接する光透過領域１００を透過した光
相互の干渉が生じる。その結果、所望のパターン以外の
パターンが、ウエハ上のレジストに形成されてしまうと
いう問題がある。例えば、ＮＡ＝０．４５、パーシャル
コヒーレンシー０．３、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシ
マレーザを用いた半導体露光装置を用いた場合、パター
ンピッチが小さくなるに従い、マスク上の隣接する光透
過領域１００を通過した光の相互干渉、一般に光近接効
果と称される物理現象が生じる。その結果、パターン転
写に寄与する光強度の一次ピークの他にも、不要なパタ
ーンを形成する二次ピークが生じる。二次ピークの光強
度が例えば０．３以上になると、一般に不要なパターン
がレジストに形成される。図２３に、デフォーカス量
（焦点深度）をパラメータとして、パターンピッチを変
化させたときの二次ピークの光強度を示す。尚、図２３
及び次に説明する図２４においては、コンタクトホール
パターン径は０．３μｍである。従って、ハーフトーン
方式位相シフトマスクにおいては、０．３μｍ径のコン
タクトホールパターンをパターンピッチ０．６μｍで２
次元的にマスク上に無数に配列することは、光近接効果
といった物理現象から不可能である。

【００１４】位相シフト方式を用いない従来のフォトマ
スクにおいても、ハーフトーン方式位相シフトマスクと
同様に、０．３μｍ径のコンタクトホールパターンをパ
ターンピッチ０．６μｍで２次元的にフォトマスク上に
無数に配列することは、光近接効果によって二次ピーク
の光強度が０．３以上となるために、不可能である。例
えば、ＮＡ＝０．４５、パーシャルコヒーレンシー０．
３、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザを用いた半
導体露光装置を用いた場合、デフォーカス量をパラメー
タとして、パターンピッチを変化させたときの二次ピー
クの光強度を、図２４に示す。

【００１５】位相シフトマスクにおいて、図２５に示す
ように、第１の光透過領域１１０と第２の光透過領域１
１２を千鳥状に配列し、第１の光透過領域１１０を通過
した光の位相と第２の光透過領域１１２を通過した光の
位相とを異ならせることによって、０．３μｍ径のコン
タクトホールパターンをパターンピッチ０．６μｍで２
次元的にマスク上に無数に配列することが可能である。
尚、図２５においては、図を明確化するために第１及び
第２の光透過領域１１０，１１２に斜線を付した。

【００１６】外周部の第１及び第２の光透過領域以外の
位置に配列された第１若しくは第２の光透過領域１１
０，１１２を通過する光は、それらの周囲に配置された
第２若しくは第１の光透過領域１１２，１１０を通過す
る光と干渉し、その結果、シャープなパターンをレジス
トに形成することができる。しかしながら、外周部の第
１及び第２の光透過領域の外側の領域には、位相シフト
領域が形成されていない。それ故、これらの外周部の第
１及び第２の光透過領域を通過する光によっては、シャ
ープなパターンをレジストに形成することができない。
そのため、例えば２つ以上の有限個のコンタクトホール
パターンを形成することは極めて困難である。

【００１７】従って、本発明の目的は、有限個のコンタ
クトホール等の微細な孤立パターンを微小パターンピッ
チで形成することを可能にする位相シフトマスクを提供
することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の第１の態様に係る位相シフトマスクは、透
明な材料から成る基体に形成された遮光領域及び光透過
領域を備え、この光透過領域は、（イ）第１の光透過領
域と、（ロ）該第１の光透過領域に隣接して設けられた
第２の光透過領域と、（ハ）第１の光透過領域が配置さ
れていない第２の光透過領域の側方の領域に設けられた
第１の補助光透過領域と、（ニ）第２の光透過領域が配
置されていない第１の光透過領域の側方の領域に設けら
れた第２の補助光透過領域、から構成され、第１の光透
過領域を通過した光の位相と、第２の光透過領域及び第
２の補助光透過領域を通過した光の位相とが異なり、第
２の光透過領域を通過した光の位相と、第１の補助光透
過領域を通過した光の位相とが異なることを特徴とす
る。

【００１９】本発明の第１の態様に係る位相シフトマス
クにおいては、光透過領域を、１つの第１の光透過領
域、１つの第２の光透過領域、３つの第１の補助光透過
領域及び３つの第２の補助光透過領域から構成し、第１
及び第２の光透過領域の平面形状を正方形とし、第１及
び第２の補助光透過領域の平面形状を長方形とすること
ができる。

【００２０】あるいは又、本発明の第１の態様に係る位
相シフトマスクにおいては、光透過領域を構成する第１
の光透過領域の数をＭ、第２の光透過領域の数をＮとし
た場合、 １≦Ｍ、１≦Ｎ、３≦Ｍ＋Ｎ とし、第１の光透過領域と第２の光透過領域を千鳥状に
配列することができる。

【００２１】本発明の第１の態様に係る位相シフトマス
クにおいては、第１の光透過領域の中心から第２の光透
過領域の中心までの距離をＬ、第１の光透過領域の中心
と第２の光透過領域の中心とを結ぶ直線に沿った第１の
光透過領域の長さ及び第２の光透過領域の長さをそれぞ
れＬ1及びＬ2としたとき、１．５≦Ｌ／（Ｌ1＋Ｌ2）≦
３．０、より好ましくは、１．５≦Ｌ／（Ｌ1＋Ｌ2）≦
２．０の関係を満たすことが望ましい。Ｌ／（Ｌ1＋Ｌ
2）の値が１．５未満では、隣接する第１及び第２の光
透過領域相互の光干渉によってコントラストが低下し、
ウエハ上のレジストが全面に亙って略一様に露光される
虞れがある。また、Ｌ／（Ｌ1＋Ｌ2）の値が３を越えた
のでは、隣接する第１及び第２の光透過領域相互の光干
渉が弱くなりすぎ、所望のパターンをウエハ上のレジス
トに形成できなくなる。また、デフォーカス量（焦点深
度）が小さくなり、マスクに形成されたパターンをウエ
ハ上のレジストに露光・転写することが困難になる。

【００２２】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る位相シフトマスクは、透明な材料から成る
基体に形成された遮光領域及び光透過領域を備え、この
光透過領域は、（イ）千鳥状に配列された第１及び第２
の光透過領域と、（ロ）外周部の第１若しくは第２の光
透過領域に隣接して設けられた補助光透過領域、から構
成され、第１の光透過領域を通過した光の位相と、第２
の光透過領域を通過した光の位相とが異なり、補助光透
過領域を通過した光の位相と、この補助光透過領域に隣
接した外周部の第１若しくは第２の光透過領域を通過し
た光の位相とが異なることを特徴とする。

【００２３】第１の態様に係る位相シフトマスクと第２
の態様に係る位相シフトマスクが相違する点は以下のと
おりである。即ち、第１の態様に係る位相シフトマスク
においては、第１及び第２の光透過領域の少なくとも１
つの側方の領域に補助光透過領域が存在するが、第１及
び第２の光透過領域の全ての側方の領域に補助光透過領
域が存在する場合はない。更に、第１若しくは第２の光
透過領域の少なくとも１つの側方の領域に、第２若しく
は第１の光透過領域が存在するが、第１若しくは第２の
光透過領域の全ての側方の領域に第２若しくは第１の光
透過領域が存在する場合はない。

【００２４】一方、第２の態様に係る位相シフトマスク
においては、第１若しくは第２の光透過領域の１つある
いは幾つかは、第２若しくは第１の光透過領域に囲まれ
ている。外周部の第１若しくは第２の光透過領域の少な
くとも１つの側方の領域に補助光透過領域が存在する
が、外周部の第１及び第２の光透過領域の全ての側方の
領域に補助光透過領域が存在する場合はない。更に、外
周部の第１若しくは第２の光透過領域の少なくとも１つ
の側方の領域に、第２若しくは第１の光透過領域が存在
するが、外周部の第１若しくは第２の光透過領域の全て
の側方の領域に第２若しくは第１の光透過領域が存在す
る場合はない。

【００２５】尚、本発明の位相シフトマスクにおいて
は、第１及び第２の光透過領域にほぼ相当するパターン
が、ウエハ上のレジストに露光、転写される。一方、補
助光透過領域に相当するパターンは、ウエハ上のレジス
トに露光、転写されることはない。また、或る領域（例
えば第１の光透過領域）を通過した光の位相と、他の領
域（例えば第２の光透過領域）を通過した光の位相は、
１８０度相違していることが好ましいが、この値に限定
するものではない。第１及び第２の光透過領域を千鳥状
に配列する場合には、如何なる配列パターンとすること
もできるが、これらの光透過領域の中心が、直交する格
子点の上に配置されていることが望ましい。

【００２６】本発明の位相シフトマスクにおいては、本
発明の位相シフトマスクを特徴付ける光透過領域以外の
領域に、種々の光透過領域を有するパターンが形成され
ているが、これらの種々のパターンの形状は任意であ
る。

【００２７】

【作用】本発明の位相シフトマスクにおいては、第１及
び第２の光透過領域のそれぞれの周囲に、第２及び第１
の光透過領域並びに第２及び第１の補助光透過領域が配
置されている。その結果、第１及び第２の光透過領域を
通過した光は、それらの周囲に配置された第２及び第１
の光透過領域並びに第２及び第１の補助光透過領域を通
過した光と相互に干渉し、シャープな形状を有する光強
度プロファイルを得ることができ、しかも、光近接効果
の影響を小さくすることができる。その結果、位相シフ
トマスクに形成されたパターンをレジストに正確に且つ
シャープに露光・転写することが可能になる。

【００２８】

【実施例】以下、図面を参照して、実施例に基づき本発
明を説明する。尚、図面において、同一参照番号は同一
要素を意味する。

【００２９】ウエハ上に形成されたレジスト材料に対し
て露光光により転写パターン形状等を形成するとき、縮
小投影に使用されるものをレティクル、一対一投影に使
用されるものをマスクと称したり、あるいは原盤に相当
するものをレティクル、それを複製したものをマスクと
称したりすることがあるが、本明細書においては、この
ような種々の意味におけるレティクルやマスクを総称し
てマスクと呼ぶ。

【００３０】（実施例−１）実施例−１は、本発明の第
１の態様に係る位相シフトマスクに関する。実施例−１
の位相シフトマスクは、図１及び図２に示すように、透
明な材料から成る基体１０に形成された遮光領域１２及
び光透過領域を備えている。尚、図１は模式的な部分平
面図であり、図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩに沿った模式
的な一部断面図である。尚、図１の平面図においては、
図を明確化するために第１及び第２の光透過領域２０，
３０、並びに第１及び第２の補助光透過領域２２，３２
に異なるパターンの斜線を付した。

【００３１】この光透過領域は、（イ）第１の光透過領
域２０と、（ロ）第１の光透過領域２０に隣接して設け
られた第２の光透過領域３０と、（ハ）第１の光透過領
域２０が配置されていない第２の光透過領域の側方の領
域に設けられた第１の補助光透過領域２２と、（ニ）第
２の光透過領域３０が配置されていない第１の光透過領
域の側方の領域に設けられた第２の補助光透過領域２２
から構成されている。第１の光透過領域２０と第２の光
透過領域３０との間には遮光領域１２が形成されてい
る。第１の光透過領域２０と第２の補助光透過領域３２
の間、第２の光透過領域３０と第１の補助光透過領域２
２の間、並びに第１の補助光透過領域２２と第２の補助
光透過領域３２の間には、遮光領域１２が形成されてい
る。

【００３２】そして、第１の光透過領域２０を通過した
光の位相と、第２の光透過領域３０及び第２の補助光透
過領域３２を通過した光の位相とは例えば１８０度異な
る。更に、第２の光透過領域３０を通過した光の位相
と、第１の補助光透過領域２２を通過した光の位相とは
例えば１８０度異なる。実施例−１においては、それぞ
れの領域における基体１０の厚さを変えることによっ
て、具体的には基体１０に凹部を形成することによっ
て、各領域を通過する光の位相を相対的に変化させてい
る。露光光の波長をλ、基体１０を構成する材料の屈折
率をｎとした場合、凹部の深さｄの値は、ｄ＝λ／（２
（ｎ−１））を満足する値である。

【００３３】実施例−１においては、光透過領域は、１
つの第１の光透過領域２０、１つの第２の光透過領域３
０、３つの第１の補助光透過領域２２及び３つの第２の
補助光透過領域３２から構成されている。第１及び第２
の光透過領域２０，３０の平面形状は正方形であり、第
１及び第２の補助光透過領域２２，３２の平面形状は長
方形である。

【００３４】各領域の配置状態、大きさ、露光条件等の
諸元を以下に例示する。 露光波長 ２４８ｎｍ レンズ開口数（ＮＡ） ０．４５ 第１の光透過領域のパターンサイズ ０．３μｍ 第２の光透過領域のパターンサイズ ０．３μｍ 第１の補助光透過領域のパターンサイズ 長辺 ０．４５μｍ 短辺 ０．１５μｍ 第２の補助光透過領域のパターンサイズ 長辺 ０．４５μｍ 短辺 ０．１５μｍ パターンピッチ（Ｌ） ０．６μｍ Ｌ／（Ｌ1＋Ｌ2） ２ 第１の光透過領域の中心から 第２の補助光透過領域中心までの距離 ０．４２５μｍ 第２の光透過領域の中心から 第１の補助光透過領域中心までの距離 ０．４２５μｍ 第１の光透過領域を通過する光の位相 ０度 第２の光透過領域を通過する光の位相 １８０度 第１の補助光透過領域を通過する光の位相 ０度 第２の補助光透過領域を通過する光の位相 １８０度

【００３５】第１及び第２の補助光透過領域２２，３２
の短辺の大きさ、並びに第１の光透過領域２０の中心か
ら第２の補助光透過領域３２の中心までの距離、及び第
２の光透過領域３０の中心から第１の補助光透過領域２
２の中心までの距離は、第１及び第２の補助光透過領域
２２，３２を通過する光と、第２及び第１の光透過領域
３０，２０を通過する光との間で十分に光の干渉作用を
生じさせる大きさ並びに距離とする。更に、第１及び第
２の補助光透過領域２２，３２の短辺の大きさは、第１
及び第２の補助光透過領域２２，３２を通過する光によ
ってウエハ上に形成されたレジストが露光されない大き
さとする。第１及び第２の補助光透過領域２２，３２の
短辺の大きさは、例えば０．１３μｍとすることもでき
る。

【００３６】第１の光透過領域２０の周囲には、第２の
光透過領域３０及び第２の補助光透過領域３２が形成さ
れており、第１の光透過領域２０を通過した光の位相
と、第２の光透過領域３０及び第２の補助光透過領域３
２を通過した光の位相とは、例えば１８０度相違する。
従って、第１の光透過領域２０を通過した光と、第２の
光透過領域３０及び第２の補助光透過領域３２を通過し
た光とが干渉して、第１の光透過領域２０に基づいたパ
ターンを、ウエハ上のレジストに正確に且つシャープに
露光・転写することができる。

【００３７】一方、第２の光透過領域３０の周囲には、
第１の光透過領域２０及び第１の補助光透過領域２２が
形成されており、第２の光透過領域３０を通過した光の
位相と、第１の光透過領域２０及び第１の補助光透過領
域２２を通過した光の位相とは、例えば１８０度相違す
る。従って、第２の光透過領域３０を通過した光と、第
１の光透過領域２０及び第１の補助光透過領域２２を通
過した光とが干渉して、第２の光透過領域３０に基づい
たパターンを、ウエハ上のレジストに正確に且つシャー
プに露光・転写することができる。

【００３８】以下、実施例−１の位相シフトマスクの作
製方法を、図３及び図４を参照して説明する。

【００３９】［工程−１００］石英等の透明な材料から
成る基体１０上に、例えばクロム等から成る遮光層１２
Ａをスパッタリング法にて成膜する。その後、遮光層１
２Ａ上に電子線に感光するレジストを塗布して感光層４
０を形成し、図３の（Ａ）に示す構造を得る。

【００４０】［工程−１１０］次に、描画装置からの電
子線による第１の描画工程において、図３の（Ａ）に示
す描画領域２０Ａ，２２Ａを設定し、加速電圧２０ｋＶ
の電子線による描画を行い、感光層４０に所望のレジス
トパターンを形成する。尚、この描画領域２０Ａ，２２
Ａは、第１の光透過領域形成予定領域及び第１の補助光
透過領域形成予定領域に相当する。その後、感光層４０
の現像工程を経て図３の（Ｂ）に示す構造を得る。

【００４１】［工程−１２０］次いで、反応性イオンエ
ッチング法を用いて塩素及び酸素の混合ガスで遮光層１
２Ａをエッチングし、更に、四フッ化炭素及び酸素の混
合ガスによるプラズマ中で基体１０をエッチングした
後、感光層４０を剥離する（図３の（Ｃ）参照）。これ
によって、第１の光透過領域２０及び第１の補助光透過
領域２２が形成される。尚、エッチングされた基体１０
の深さｄの値は、露光光の波長をλ、基体１０を構成す
る材料の屈折率をｎとした場合、ｄ＝λ／（２（ｎ−
１））を満足する値である。

【００４２】［工程−１３０］その後、電子線で感光す
るレジストを全面に塗布して感光層４２を形成し、更に
その上に帯電防止層（図示せず）を塗布した後、図４の
（Ａ）に示すような描画領域３０Ａ，３２Ａを設定す
る。この描画領域３０Ａ，３２Ａは、第２の光透過領域
形成予定領域及び第２の補助光透過領域形成予定領域に
相当する。

【００４３】［工程−１４０］次いで、感光層４２の現
像工程（図４の（Ｂ）参照）、塩素ガス及び酸素の混合
ガスによるプラズマ中での遮光層１２Ａのエッチング工
程（図４の（Ｃ）参照）、帯電防止層及び感光層４２の
剥離工程を経て、最終的に図１及び図２に示した構造の
位相シフトマスクを得ることができる。遮光領域１２は
遮光層１２Ａから構成されている。

【００４４】実施例−１の位相シフトマスクを用いて、
かかる位相シフトマスクに形成されたパターンをウエハ
上のレジストに露光・転写した。図５に、デフォーカス
量と、レジストに形成されたコンタクトホールパターン
径との関係を示す。尚、第１及び第２の光透過領域２
０，３０並びに第１及び第２の補助光透過領域２２，３
２のパターンサイズ等は上述のとおりである。パターン
ピッチ（Ｌ）のみを、０．６０、０．７５、０．９０μ
ｍと変化させた。

【００４５】図５から明らかなように、パターンピッチ
（Ｌ）が変化しても、ウエハ上のレジストにおけるコン
タクトホールパターン径の変動は小さい。レジストにお
けるコンタクトホールパターン径の変動を±１０％とし
た場合のデフォーカス量（焦点深度）は、以下のとおり
である。尚、図５において、パターンピッチが０．７５
μｍのグラフと０．９０μｍのグラフはほぼ重なってい
る。 パターンピッチ（Ｌ） デフォーカス量 ０．６０μｍ 約±１．０μｍ ０．７５μｍ 約±０．８μｍ ０．９０μｍ 約±０．８μｍ

【００４６】実用的なデフォーカス量は±０．７５μｍ
であり、実施例−１の位相シフトマスクは十分なるデフ
ォーカス量を有することが判った。

【００４７】（比較例−１）図６の（Ａ）及び（Ｂ）に
模式的な部分平面図及び一部断面図を示す従来のフォト
マスクを用いて、かかるフォトマスクに形成されたパタ
ーンをウエハ上のレジストに露光・転写した。尚、平面
形状が正方形の光透過領域１００の数は２つである。フ
ォトマスクに形成されたパターンの諸元を、以下のとお
りとした。 露光波長 ２４８ｎｍ レンズ開口数（ＮＡ） ０．４５ 光透過領域のパターンサイズ ０．３μｍ パターンピッチ（Ｌ） ０．６，０．７５，
０．９μｍ

【００４８】デフォーカス量と、レジストに形成された
コンタクトホールパターン径との関係を、図７に示す。
図７から明らかなように、いずれのパターンピッチにお
いても、レジストにおけるコンタクトホールパターン径
の変動を±１０％とした場合のデフォーカス量（焦点深
度）は±０．５μｍ以下であり、実用的なデフォーカス
量である±０．７５μｍを得ることはできなかった。

【００４９】（実施例−２）実施例−２も、本発明の第
１の態様に係る位相シフトマスクに関する。実施例−２
の位相シフトマスクの部分平面図を図８に示す。尚、実
施例−２の位相シフトマスクの断面構造は、実質的には
実施例−１にて説明した位相シフトマスクの断面構造と
同様とすることができる。

【００５０】実施例−２においては、光透過領域を構成
する第１の光透過領域２０の数をＭ、第２の光透過領域
３０の数をＮとした場合、 Ｍ＝２、Ｎ＝１ とした。また、第１の光透過領域２０と第２の光透過領
域３０は千鳥状に配列されている。第１及び第２の光透
過領域２０，３０の平面形状は正方形であり、第１及び
第２の補助光透過領域２２，３２の平面形状は長方形で
ある。各領域の配置状態、大きさ、露光条件等の諸元
は、実施例１と同様とした。尚、一部の補助光透過領域
のパターンサイズを、（長辺）×（短辺）＝０．２２５
×０．１５μｍとした。

【００５１】実施例−２の位相シフトマスクの作製方法
は、実施例−１と同様とすることができるので、詳細な
説明は省略する。

【００５２】実施例−２の位相シフトマスクを用いて、
かかる位相シフトマスクに形成されたパターンをウエハ
上のレジストに露光・転写した。デフォーカス量と、レ
ジストに形成されたコンタクトホールパターン径との関
係を、図９に示す。パターンピッチ（Ｌ）は、０．６
０、０．７５、０．９０μｍと変化させた。図９から明
らかなように、パターンピッチ（Ｌ）が変化しても、ウ
エハ上のレジストにおけるコンタクトホールパターン径
の変動は小さい。レジストにおけるコンタクトホールパ
ターン径の変動を±１０％とした場合のデフォーカス量
（焦点深度）は、以下のとおりである。 パターンピッチ（Ｌ） デフォーカス量 ０．６０μｍ 約±１．０μｍ ０．７５μｍ 約±０．７５μｍ ０．９０μｍ 約±０．７５μｍ

【００５３】実用的なデフォーカス量は±０．７５μｍ
であり、実施例−２の位相シフトマスクは十分なるデフ
ォーカス量を有することが判った。

【００５４】（比較例−２）図１０に模式的な部分平面
図を示す従来のフォトマスクを用いて、かかるフォトマ
スクに形成されたパターンをウエハ上のレジストに露光
・転写した。尚、光透過領域１００の数は３つであり、
断面構造は図６の（Ｂ）に示したと同様の構造を有す
る。フォトマスクに形成されたパターンの諸元は、比較
例−１と同様とした。

【００５５】デフォーカス量と、レジストに形成された
コンタクトホールパターン径との関係を、図１１に示
す。図１１から明らかなように、いずれのパターンピッ
チにおいても、レジストにおけるコンタクトホールパタ
ーン径の変動を±１０％とした場合のデフォーカス量
（焦点深度）は±０．５μｍ以下であり、実用的なデフ
ォーカス量である±０．７５μｍを得ることはできなか
った。

【００５６】（実施例−３）実施例−３も、本発明の第
１の態様に係る位相シフトマスクに関する。実施例−３
の位相シフトマスクの部分平面図を図１２に示す。実施
例−３においては、光透過領域を構成する第１の光透過
領域２０の数をＭ、第２の光透過領域３０の数をＮとし
た場合、 Ｍ＝２、Ｎ＝２ とした。また、第１の光透過領域２０と第２の光透過領
域３０は千鳥状に配列されている。第１及び第２の光透
過領域２０，３０の平面形状は正方形であり、第１及び
第２の補助光透過領域２２，３２の平面形状は長方形で
ある。各領域の配置状態、大きさ、露光条件等の諸元
は、実施例１と同様とした。

【００５７】実施例−３の位相シフトマスクの作製方法
は、実施例−１と同様とすることができるので、詳細な
説明は省略する。

【００５８】実施例−３の位相シフトマスクを用いて、
かかる位相シフトマスクに形成されたパターンをウエハ
上のレジストに露光・転写した。デフォーカス量と、レ
ジストに形成されたコンタクトホールパターン径との関
係を、図１３に示す。パターンピッチ（Ｌ）は、０．６
０、０．７５、０．９０μｍと変化させた。図１３から
明らかなように、パターンピッチ（Ｌ）が変化しても、
ウエハ上のレジストにおけるコンタクトホールパターン
径の変動は小さい。レジストにおけるコンタクトホール
パターン径の変動を±１０％とした場合のデフォーカス
量（焦点深度）は、以下のとおりである。 パターンピッチ（Ｌ） デフォーカス量 ０．６０μｍ 約±１．０μｍ ０．７５μｍ 約±０．８μｍ ０．９０μｍ 約±０．７５μｍ

【００５９】実用的なデフォーカス量は±０．７５μｍ
であり、実施例−２の位相シフトマスクは十分なるデフ
ォーカス量を有することが判った。

【００６０】（比較例−３）図１４に模式的な部分平面
図を示す従来のフォトマスクを用いて、かかるフォトマ
スクに形成されたパターンをウエハ上のレジストに露光
・転写した。尚、光透過領域１００の数は４つであり、
断面構造は図６の（Ｂ）に示したと同様の構造を有す
る。フォトマスクに形成されたパターンの諸元は、比較
例−１と同様とした。

【００６１】デフォーカス量と、レジストに形成された
コンタクトホールパターン径との関係を、図１５に示
す。図１５から明らかなように、いずれのパターンピッ
チにおいても、レジストにおけるコンタクトホールパタ
ーン径の変動を±１０％とした場合のデフォーカス量
（焦点深度）は±０．５μｍ以下であり、実用的なデフ
ォーカス量である±０．７５μｍを得ることはできなか
った。

【００６２】（実施例−４）実施例−４は、本発明の第
２の態様に係る位相シフトマスクに関する。実施例−４
の位相シフトマスクの模式的な部分平面図を、図１６に
示す。尚、実施例−４の位相シフトマスクの断面構造
は、実質的には実施例−１にて説明した位相シフトマス
クと同様の断面構造とすることができる。

【００６３】実施例−４の位相シフトマスクも、透明な
材料から成る基体１０に形成された遮光領域１２及び光
透過領域を備えている。

【００６４】この光透過領域は、（イ）千鳥状に配列さ
れた第１及び第２の光透過領域５０，６０と、（ロ）外
周部の第１若しくは第２の光透過領域に隣接して設けら
れた補助光透過領域７０から構成されている。そして、
第１の光透過領域５０を通過した光の位相と、第２の光
透過領域６０を通過した光の位相とが、例えば１８０度
異なり、補助光透過領域７０を通過した光の位相と、こ
の補助光透過領域７０に隣接した外周部の第１若しくは
第２の光透過領域を通過した光の位相とが、例えば１８
０度異なる。

【００６５】第１の光透過領域５０と第２の光透過領域
６０との間には遮光領域１２が形成されている。また、
第１及び第２の光透過領域５０，６０と補助光透過領域
７０の間、隣接する補助光透過領域の間にも遮光領域１
２が形成されている。

【００６６】実施例−４においては、光透過領域は、４
つの第１の光透過領域５０、１つの第２の光透過領域６
０、１２の補助光透過領域７０から構成されている。４
つの第１の光透過領域５０が、外周部の第１の光透過領
域に相当する。実施例−４においては、外周部の第２の
光透過領域は存在しない。第１及び第２の光透過領域５
０，６０の平面形状は正方形であり、補助光透過領域７
０の平面形状は長方形である。実施例−４においては、
外周部の第１の光透過領域５０に隣接して補助光透過領
域７０が設けられており、第２の光透過領域６０は４つ
の第１の光透過領域５０に囲まれている。

【００６７】第１の光透過領域５０を通過した光の位相
と、第２の光透過領域６０を通過した光の位相とは、例
えば１８０度、異なる。また、補助光透過領域７０を通
過した光の位相と、この補助光透過領域７０に隣接した
外周部の第１の光透過領域５０を通過した光の位相と
は、例えば１８０度、異なる。

【００６８】各領域の配置状態、大きさ、露光条件等の
諸元は、概ね実施例−１に例示したと同様である。但
し、一部の補助光透過領域のパターンサイズを、（長
辺）×（短辺）＝０．２２５×０．１５μｍとした。

【００６９】実施例−４の位相シフトマスクは、実質的
には、実施例−１と同様の作製方法で作製することがで
きるので、詳細な説明は省略する。

【００７０】実施例−４においては、第１の光透過領域
５０の周囲には、第２の光透過領域６０及び補助光透過
領域７０が形成されており、第１の光透過領域５０を通
過した光の位相と、第２の光透過領域６０及び補助光透
過領域７０を通過した光の位相とは、例えば１８０度相
違する。従って、第１の光透過領域５０を通過した光
と、第２の光透過領域６０及び補助光透過領域７０を通
過した光とが干渉して、第１の光透過領域５０に基づい
たパターンを、ウエハ上のレジストに正確に且つシャー
プに露光・転写することができる。

【００７１】一方、第２の光透過領域６０の周囲には、
第１の光透過領域５０が形成されており、第２の光透過
領域６０を通過した光の位相と、第１の光透過領域５０
を通過した光の位相とは、例えば１８０度相違する。従
って、第２の光透過領域６０を通過した光と、第１の光
透過領域５０を通過した光とが干渉して、第２の光透過
領域６０に基づいたパターンを、ウエハ上のレジストに
正確に且つシャープに露光・転写することができる。

【００７２】以上、本発明の位相シフトマスクを好まし
い実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例
に限定されるものではない。実施例にて説明した各種の
数値は例示であり、適宜変更することができる。第１及
び第２の光透過領域の平面形状は正方形に限定されず、
長方形、多角形、円等の平面形状とすることができる。
第１及び第２の補助光透過領域も長方形に限定されず、
第１及び第２の光透過領域の平面形状に依存して適宜変
更することができる。

【００７３】各実施例においては、第１及び第２の光透
過領域、第１及び第２の補助光透過領域、補助光透過領
域を通過する光の位相を異ならせるために、基体１０に
凹部を形成したが、他の手段によって光の位相を異なら
せることもできる。

【００７４】例えば、図１７の（Ａ）及び（Ｂ）に模式
的な一部断面図を示すように、例えば、第２の光透過領
域３０及び第２の補助光透過領域３２にＳＯＧ（Spin O
n Glass）から成る位相シフト層１４を形成する。この
位相シフト層１４の厚さｄ’は、露光光の波長をλ、位
相シフト層を構成する材料の屈折率をｎ’とした場合、
ｄ’＝λ／（２（ｎ’−１））を満足する値とする。
尚、図１７の（Ａ）においては、位相シフト層１４は遮
光領域１２の上にも延びている。一方、図１７の（Ｂ）
においては、位相シフト層１４は遮光領域１２の下に形
成されている。

【００７５】第１及び第２の光透過領域等の配置は例示
であり、如何なる配置・配列とすることもできる。例え
ば、図１８の（Ａ）には、２つの第１の光透過領域２０
及び１つの第２の光透過領域３０が一直線に千鳥状に
（交互に）配列された本発明の第１の態様に係る位相シ
フトマスクを示す。図１８の（Ｂ）及び図１９の（Ａ）
には、３つの第１の光透過領域２０及び２つの第２の光
透過領域３０が千鳥状に配列された本発明の第１の態様
に係る位相シフトマスクを示す。尚、図１８及び図１９
においては、各領域の配置関係のみを示した。

【００７６】図１９の（Ｂ）には、４つの第１の光透過
領域５０及び３つの第２の光透過領域６０Ａ，６０Ｂが
千鳥状に配列された本発明の第２の態様に係る位相シフ
トマスクを示す。３つの第２の光透過領域の内の１つ
（６０Ａ）は、４つの第１の光透過領域５０に囲まれて
いる。残りの第２の光透過領域６０Ｂは外周部に位置す
る。外周部に位置する４つの第１の光透過領域５０並び
に２つの第２の光透過領域６０Ｂに隣接して、補助光透
過領域７０Ａ，７０Ｂが設けられている。補助光透過領
域７０Ａを通過した光の位相と、この補助光透過領域７
０Ａに隣接した外周部の第１の光透過領域５０を通過し
た光の位相とが、例えば１８０度、異なる。一方、補助
光透過領域７０Ｂを通過した光の位相と、この補助光透
過領域７０Ｂに隣接した外周部の第２の光透過領域６０
Ｂを通過した光の位相とも、例えば１８０度、異なる。

【００７７】位相シフトマスクの作製工程で用いた各種
材料も適宜変更することができる。基体１０は、石英以
外にも、通常のガラス、適宜各種成分を添加したガラス
等から構成することができる。遮光層１２を構成する材
料はクロムに限定されず、酸化クロム、クロム上に積層
された酸化クロム、高融点金属（Ｗ、Ｍｏ、Ｂｅ等）、
タンタル、アルミニウムやＭｏＳｉ₂等の金属シリサイ
ドなど、光を適当量遮光することができる材料を用いる
ことができる。また、位相シフト層１４は、ＳＯＧから
構成する代わりに、ポリメチルメタクリレート、フッ化
マグネシウム、二酸化チタン、ポリイミド樹脂、二酸化
珪素、酸化インジウム、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、各種レジス
ト等、透明な材料であればよい。感光層４０，４２の形
成の際、ポジ型レジストの代わりにネガ型レジストを用
いてもよい。この場合、電子線描画領域はポジ型レジス
トの場合と逆になる点が異なる。

【００７８】

【発明の効果】本発明の位相シフトマスクにおいては、
第１の光透過領域を通過する光と第２の光透過領域を通
過する光の干渉だけでなく、第１（第２）の光透過領域
を通過する光と第２（第１）の補助光透過領域を通過す
る光の干渉を生じさせることによって、有限個のコンタ
クトホールやビアホール、スルーホールに代表される微
細な孤立パターンを微小パターンピッチで形成すること
ができる。しかも、位相シフトマスクに形成されたパタ
ーンを、ウエハ上のレジストにシャープに転写すること
ができる。更には、十分な大きさのデフォーカス量（焦
点深度）を得ることができる。補助光透過領域のパター
ンサイズを最適化することによって、補助光透過領域を
通過した光による光の干渉を確実に生じさせ且つウエハ
上のレジストに不要なパターンが形成されることはな
い。本発明の位相シフトマスクを用いることによって、
半導体装置に要求される２つ以上の並置されたコンタク
トホール等を歩留まり良く生産することができ、半導体
装置の製造コストを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例−１の位相シフトマスクの模式的な部分
平面図である。

【図２】実施例−１の位相シフトマスクの模式的な一部
断面図である。

【図３】実施例−１の位相シフトマスクの作製工程を説
明するための、基体等の模式的な一部断面図である。

【図４】図３に引き続き、実施例−１の位相シフトマス
クの作製工程を説明するための、基体等の模式的な一部
断面図である。

【図５】実施例−１の位相シフトマスクにおける、デフ
ォーカス量と、レジストに形成されたコンタクトホール
パターン径との関係を示すグラフである。

【図６】比較例−１の従来のフォトマスクの模式的な部
分平面図及び一部断面図である。

【図７】比較例−１の従来のフォトマスクにおけるデフ
ォーカス量と、レジストに形成されたコンタクトホール
パターン径との関係を示すグラフである。

【図８】実施例−２の位相シフトマスクの模式的な部分
平面図である。

【図９】実施例−２の位相シフトマスクにおけるデフォ
ーカス量と、レジストに形成されたコンタクトホールパ
ターン径との関係を示すグラフである。

【図１０】比較例−２の従来のフォトマスクの模式的な
部分平面図である。

【図１１】比較例−２の従来のフォトマスクにおけるデ
フォーカス量と、レジストに形成されたコンタクトホー
ルパターン径との関係を示すグラフである。

【図１２】実施例−３の位相シフトマスクの模式的な部
分平面図である。

【図１３】実施例−３の位相シフトマスクにおけるデフ
ォーカス量と、レジストに形成されたコンタクトホール
パターン径との関係を示すグラフである。

【図１４】比較例−３の従来のフォトマスクの模式的な
部分平面図である。

【図１５】比較例−３の従来のフォトマスクにおけるデ
フォーカス量と、レジストに形成されたコンタクトホー
ルパターン径との関係を示すグラフである。

【図１６】実施例−４の位相シフトマスクの模式的な部
分平面図である。

【図１７】本発明の位相シフトマスクの別の構成を示す
模式的な一部断面図である。

【図１８】本発明の第１の態様に係る位相シフトマスク
の別の形態の模式的な部分平面図である。

【図１９】本発明の第１及び第２の態様に係る位相シフ
トマスクの別の形態の模式的な部分平面図である。

【図２０】従来のリム方式位相シフトマスクの構造を示
す模式的な部分平面図及び一部断面図である。

【図２１】従来の補助パターン方式位相シフトマスクの
構造を示す模式的な部分平面図及び一部断面図である。

【図２２】従来のハーフトーン方式位相シフトマスクの
構造を示す模式的な部分平面図及び一部断面図である。

【図２３】従来のハーフトーン方式位相シフトマスクに
おける、パターンピッチを変化させたときの二次ピーク
の光強度を示すグラフである。

【図２４】従来のマスクにおける、パターンピッチを変
化させたときの二次ピークの光強度を示すグラフであ
る。

【図２５】第１の光透過領域と第２の光透過領域を千鳥
状に配列した、従来の位相シフトマスクの模式的な部分
平面図である。

【符号の説明】

１０ 基体 １２，１２Ａ 遮光領域 １４ 位相シフト層 ２０，５０ 第１の光透過領域 ２２ 第１の補助光透過領域 ３０，６０ 第２の光透過領域 ３２ 第２の補助光透過領域 ４０，４２ 感光層 ７０，７０Ａ，７０Ｂ 補助光透過領域

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成６年１１月１５日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３１】この光透過領域は、（イ）第１の光透過領
域２０と、（ロ）第１の光透過領域２０に隣接して設け
られた第２の光透過領域３０と、（ハ）第１の光透過領
域２０が配置されていない第２の光透過領域の側方の領
域に設けられた第１の補助光透過領域２２と、（ニ）第
２の光透過領域３０が配置されていない第１の光透過領
域の側方の領域に設けられた第２の補助光透過領域３２
から構成されている。第１の光透過領域２０と第２の光
透過領域３０との間には遮光領域１２が形成されてい
る。第１の光透過領域２０と第２の補助光透過領域３２
の間、第２の光透過領域３０と第１の補助光透過領域２
２の間、並びに第１の補助光透過領域２２と第２の補助
光透過領域３２の間には、遮光領域１２が形成されてい
る。

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１９

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１９】

【手続補正３】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２５

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２５】

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透明な材料から成る基体に形成された遮光
   領域及び光透過領域を備え、該光透過領域は、 （イ）第１の光透過領域と、 （ロ）該第１の光透過領域に隣接して設けられた第２の
   光透過領域と、 （ハ）第１の光透過領域が配置されていない第２の光透
   過領域の側方の領域に設けられた第１の補助光透過領域
   と、 （ニ）第２の光透過領域が配置されていない第１の光透
   過領域の側方の領域に設けられた第２の補助光透過領
   域、から構成され、 第１の光透過領域を通過した光の位相と、第２の光透過
   領域及び第２の補助光透過領域を通過した光の位相とが
   異なり、 第２の光透過領域を通過した光の位相と、第１の補助光
   透過領域を通過した光の位相とが異なることを特徴とす
   る位相シフトマスク。
2. 【請求項２】光透過領域は、１つの第１の光透過領域、
   １つの第２の光透過領域、３つの第１の補助光透過領域
   及び３つの第２の補助光透過領域から構成され、 第１及び第２の光透過領域の平面形状は正方形であり、 第１及び第２の補助光透過領域の平面形状は長方形であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の位相シフトマス
   ク。
3. 【請求項３】光透過領域を構成する第１の光透過領域の
   数をＭ、第２の光透過領域の数をＮとした場合、 １≦Ｍ、１≦Ｎ、３≦Ｍ＋Ｎ であり、第１の光透過領域と第２の光透過領域は千鳥状
   に配列されていることを特徴とする請求項１に記載の位
   相シフトマスク。
4. 【請求項４】第１の光透過領域の中心から第２の光透過
   領域の中心までの距離をＬ、第１の光透過領域の中心と
   第２の光透過領域の中心とを結ぶ直線に沿った第１の光
   透過領域の長さ及び第２の光透過領域の長さをそれぞれ
   Ｌ1及びＬ2としたとき、 １．５≦Ｌ／（Ｌ1＋Ｌ2）≦３．０ であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
   か１項に記載の位相シフトマスク。
5. 【請求項５】透明な材料から成る基体に形成された遮光
   領域及び光透過領域を備え、該光透過領域は、 （イ）千鳥状に配列された第１及び第２の光透過領域
   と、 （ロ）外周部の第１若しくは第２の光透過領域に隣接し
   て設けられた補助光透過領域、から構成され、 第１の光透過領域を通過した光の位相と、第２の光透過
   領域を通過した光の位相とが異なり、 補助光透過領域を通過した光の位相と、該補助光透過領
   域に隣接した外周部の第１若しくは第２の光透過領域を
   通過した光の位相とが異なることを特徴とする位相シフ
   トマスク。