KR100434494B1 - 위상 반전 마스크의 패턴 교정방법 및 이를 이용하여교정된 위상 반전 마스크 - Google Patents

위상 반전 마스크의 패턴 교정방법 및 이를 이용하여교정된 위상 반전 마스크 Download PDF

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Abstract

본 발명은 위상반전 마스크의 패턴 교정방법 및 그를 이용하여 제작된 위상반전 마스크에 관한 것이다. 먼저, 판 상의 투명체로 형성된 마스크 본체에 규칙적으로 반복 형성된 패턴을 가진 위상 반전 마스크 상에서 패턴의 오차를 측정하여 교정된 패턴을 인식한다. 패턴오차를 교정하기 위해서 패턴과 인접한 위치에 교정된 패턴에 맞춰 소정 깊이로 마스크 판면을 식각하여 함몰부를 형성시킨다. 이렇게 형성된 함몰부에 위상반전이 완전하게 일어날 수 있도록 위상반전물질을 소정 두께로 증착시킨다.
이렇게 위상반전 마스크 상에서 패턴을 교정 할 때, 교정 패턴이 형성될 위치의 마스크 판 면을 식각하여 함몰시키고 그 함몰부를 위산반전용 물질로 증착하면, 완전한 교정 패턴을 얻을 수 있게되므로 포토 공정의 신뢰성을 높일 수 있다.

Description

위상 반전 마스크의 패턴 교정방법 및 이를 이용하여 교정된 위상 반전 마스크{Method for reparing the phase shift mask pattern and phase shift mask repaired by the same method}
본 발명은 반도체 장치의 제조에 사용되는 포토공정용 마스크의 패턴을 교정하는 방법으로서 특히, 위상반전 마스크의 패턴 교정과 그에 의해 패턴 교정된 위상 반전 마스크에 관한 것이다.
반도체 소자가 고도로 고집적화 되면서 소자간의 거리가 점차로 좁아지고, 반도체 장치를 제조하는 공정들에서도 패터닝(patterning)되는 설계 선폭이 극도로 미세화되고 있다. 따라서, 패턴닝 공정의 핵심공정인 포토 공정(photolithography)에서는 선폭의 디자인 룰(design rule)에 따라서 정렬노광장치인 스텝퍼(stepper)에서 사용되는 광원이나 패턴용 마스크 기술에 많은 변화가 있다. 특히, 0.3um 이하의 디자인 룰(design rule)에 의해서 반도체 장치를 제조할 경우에, 사용되는 포토 공정용 반도체 제조장치는, 패턴의 미세화를 위해서 기존의 i-line 광의 파장대를 벗어나서 U.V(Ultra violet)광이나 엑시머(Excimer)와 같은 극단파장의 광원을 사용하고, 마스크로서도 미세패턴을 전사하기 위해서 위상 반전용 물질로 패턴이 형성된 위상 반전 마스크(phase shift mask)를 사용한다.
위상반전 마스크는 동일한 기존의 디자인 룰로 패턴이 되더라도 위상반전용 물질이 패턴된 부분은 위상이 반전되어 기존의 패턴 방법보다 더 미세한 패턴을 만들 수 있는 장점이 있다.
그런데, 이러한 위상 반전 마스크는 패턴을 형성하는 과정에서 패턴에 오류나 결함이 발생하므로 이를 교정하고자 할 때, 일반적으로 교정하고자하는 패턴만큼 마스크 쿼츠(Quartz)를 소정 깊이 식각해 내어 패턴을 교정하는 것이 일반적이다.
그러나, 이러한 패턴 교정방법은 교정된 패턴 부분이 석영질(Quartz)의 마스크 판면을 식각하여 형성된 것이기 때문에, 인접한 패턴 부분과 비교하여 위상반전이 동일하게 이루어질 수 있도록 그 두께를 맞출 수 있는 여지가 충분하지 않아 교정시에 소정의 위상 이동 오차를 가져올 수 있다. 따라서, 그 교정된 패턴의 형상이 원하는 것과 같이 완전하게 이루어지지 않는 단점이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 위상 반전 마스크의 패턴 교정시, 교정된 패턴의 위상반전이 신뢰성 있게 이루어 져서 완벽한 패턴 교정이 될 수 있는 위상반전 마스크의 패턴 교정벙법 및 그에 의해 형성된 위상 반전 마스크를 제공하는 것이다.
도 1a는 본 발명에 의한 위상 반전 마스크의 패턴 교정방법에 의해서 교정된 위상반전 마스크의 단면 사시도이다.
도 1b는 본 발명에 의한 위상 반전 마스크의 패턴 교정방법을 도시한 흐름도 이다.
도 2 내지 도 3 및 도 4a 내지 도 4b 및 도 5a 내지 도 5b, 도 6은 본 발명의 위상반전 마스크의 패턴 교정방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 7a는 본 발명에 따른 마스크 교정방법으로 교정된 콘택 패턴을 도시한 평면도이다.
도 7b는 종래의 기술에 따라 교정된 마스크의 콘택 패턴을 나타낸 평면도이다.
도 8a는 도 7a를 도식화한 평면도이고, 도 8b는 도 7b를 도식화한 평면도이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 위상반전 마스크(phase shift mask)의 패턴 교정방법은, 먼저, 판 상의 투명체로 형성된 마스크 본체에 규칙적으로 반복 형성된 마스크용 차광막을 위상반전 마스크를 기초로 하여 가상의 교정패턴을 정의한다. 마스크용 차광막과 인접한 위치에서 가상의 교정패턴에 맞추어 소정 깊이로 마스크 본체 판 면을 식각하여 함몰부를 형성시킨다. 그리고, 이 함몰부에 위상반전이 완전하게 일어날 수 있도록 위상반전물질을 소정 두께로 형성한다.
여기서, 교정패턴을 정의하는 단계는, 집중 이온빔 장치(Focused Ion Beamsystem)가 마련된 마스크 패턴 교정용 장치에 위상반전 마스크를 올려놓는다. 정치된 마스크 상에 소정의 광선을 주사 (scanning)하여 마스크 패턴 교정용 장치가 마스크 본체 상에 형성된 마스크용 차광막을 인식한다. 이렇게 인식된 마스크용 차광막 패턴을 마스크 패턴 교정용 장치 내에 소정 메모리된 이상적인 패턴과 비교한다. 메모리된 이상적인 패턴이 마스크용 차광막 패턴과 사이에 발생되는 차이를 소정 도형으로 인식하여 가상의 교정패턴으로 기억한다.
그런 다음, 마스크 상에서 마스크 차광막 패턴에 대해서 오차가 발생한 면적만큼을 가상의 교정패턴으로 정의한다. 그리고, 정의된 가상의 교정패턴에 맞춰 마스크 본체를 식각하여 함몰부를 형성한다. 이 때, 마스크 본체는 석영으로 형성되어 있고, 따라서, 마스크를 식각하는 방법은 이 석영을 식각할 수 있도록 먼저 마스크 본체 상에 XeF2와 같은 불소원자(F)를 포함한 식각가스의 분위기를 조성한다. 식각가스 분위기가 조성된 마스크 본체 상에 교정패턴을 목표로 갈륨이온(Ga+)으로 구성된 집중된 이온빔(Focused Ion Beam)을 조사한다. 그러면, 갈륨이온(Ga+)으로부터 에너지를 받은 식각가스 XeF2가 분해반응을 일으켜 불소 원자(F)가 발생하고 이 불소원자(F)가 마스크 본체를 구성하는 석영(Quartz, SiO2)과 반응하여 식각되면서 교정패턴에 맞춰 식각하여 함몰부를 형성한다. 이 때, 소정 크기의 빔직경(Beam radius)을 가진 집중된 이온빔(focused ion beam)을 마스크 본체 판 면에 대해서 조사하는 방법은 교정패턴 위를 중첩되지 않도록 선형으로 이동하여 주사하는 스캔식(scanning method)으로 조사하는 것이 석영 판 상에서 면형태로 이루어진 교정패턴(미세 패턴)을 정밀하게 식각하는 데 효과적이다.
마스크 판 면에 교정 패턴을 따라 식각이 완료되어 함몰부가 형성되면, 이 함몰부에 갈륨이온(Ga+)으로 구성된 집중된 이온빔(Focused ion beam)을 유도빔으로 조사한다. 그러면서, 유도빔을 따라 탄소 소스를 가진 증착 소스물질을 공급하여 위상반전용 증착물을 형성한다. 증착소스물질은 하이드로 카본(hydrocarbon, CxHy)이며, 미세 입자상의 분말형태로서 분사하여 공급하는 것이 집중이온빔을 따라 점증착하기에 바람직하다. 그리하여 형성되는 증착물질은 위상반전 특징을 가지는 GaxCy화합물이다.
한편, 위상반전용 증착물질로는 전술한 GaxCy 화합물 이외에도 MoSiOxNy또는 CrF2중 어느 하나를 적용할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명에 의한 위상반전 마스크의 패턴 교정방법은, 교정될 패턴에 대해서 마스크 본체 판 면을 소정 깊이 식각하여 함몰부를 형성하고 다시 그 함몰부를 위상반전용 물질로서 소정 두께 증착함으로써, 위상반전이 완벽하게 실행될 수 있을 정도로 충분히 위상반전용 물질의 두께를 변화시킬 수 있는 공정 여유(process margin)가 있다. 따라서, 위상반전 마스크의 패턴을 완벽하고 용이하게 교정할 수 있다.
한편, 본 발명에 의한 위상 반전 마스크의 패턴 교정방법에 의해서 교정된 위상 반전 마스크는, 투명체로 이루어진 판 상의 마스크 본체와, 마스크 본체의 적어도 일면에 형성된 마스크용 차광막과, 이 마스크용 차광막과 연접하여 마스크 본체 판 면을 소정 깊이 함몰시켜 형성된 함몰부와 이 함몰부에 소정 두께로 형성된 위상반전용 물질을 포함하는 교정패턴을 포함한다.
여기서, 마스크 본체는 석영으로 형성된 것이 높은 광투과에 효과적이며, 마스크용 차광막은 미세패턴을 형성하기 위해서 적어도 부분적으로 위상반전용 차광막을 포함하고 있는 것이 바람직하다.
교정패턴 영역에 형성되는 위상반전용 물질(shifter)은, 갈륨이온(Ga+)으로 구성된 집중 이온빔(Focused Ion Beam)을 이용하여 형성될 수 있는 GaxCy인 것이 형성이 용이하여 바람직하다. 위상반전용 물질로서 GaxCy 이외에도 MoSiOxNy또는 CrF2등을 적용할 수도 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.
도 1a는 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 패턴 교정방법에 의해서 제조된 위상반전 마스크의 단면 사시도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따라 교정된 위상반전 마스크는, 투명체로 형성된 판 상의 마스크 본체(101)와, 마스크 본체(101)의 적어도 일면에 형성되어 포토 공정용 패턴을 가지고 있는 마스크용 차광막(103)및, 마스크용 차광막(103)과 연접하여 형성된 교정 패턴(105)을 포함한다.
마스크 본체(101)는, 포토 공정용 레티클(reticle)로 사용될 수 있도록 사각 판 상으로 형성되어 있으며, 빛을 완벽하게 투과시킬 수 있는 석영으로 형성된 투명체이다. 이러한 마스크 본체(101)는 소정의 두께로 형성되어 있고 투과된 빛이 위상차가 없이 깨끗하게 투과될 수 있도록 판 면 내부에 결함이 없어야 한다.
마스크용 차광막(103)은 빛을 완벽하게 차단할 수 있는 크롬(Cr) 및 산화크롬(Cr2O5)으로 형성되어 있으며, 이 마스크용 차광막(103)에는 소정의 포토 공정용 패턴이 형성되어 있다. 그리하여 마스크용 차광막(103)을 포함하는 위상 반전 마스크에 조사되는 빛은 투명체인 마스크 본체(101)를 통해 선택적으로 투과되도록 구성되어 있다. 이러한 마스크용 차광막(103)은 극미세 패턴을 형성할 수 있도록 적어도 일부에 위상반전용 물질(미도시)로 구성된 패턴을 더 포함할 수 있다.
교정패턴(105)은, 마스크용 차광막(103)의 패턴 오차를 교정할 수 있도록 마스크용 차광막(103)과 연접하여 형성되어 있다. 이러한 교정 패턴(105)은, 마스크 본체(101) 내에 함몰되어 형성된 함몰부(105a)에 소정 두께로 증착된 위상반전용 물질(105b)로 이루어져 있다. 이 때, 증착된 위상반전용 물질(105a)은 GaxCy이다.
이러한 GaxCy는 집중된 이온빔(Focused Ion Beam)을 교정패턴에 조사하면서 조사된 이온빔에 증착 소스물질을 공급하여 마스크 본체(101)의 표면에서 증착반응(deposition reaction)을 일으킴으로써 형성된다. 이온빔 소스로는 갈륨이온(Ga+)을 사용하며 증착 소스물질로는 미세 분말입자(micro powder)로 형성되고탄소원자(C)를 함유한 하이드로 카본(Hydrocarbon)을 사용한다. 이 밖에 위상반전 물질로는 GaxCy 외에도 MoSiOxNy 또는 CrF2를 사용할 수도 있다.
도 1b는 본 발명의 위상반전 마스크의 패턴 교정방법을 순차적으로 나타낸 공정 흐름도이다. 그리고, 도 2 내지 도 3 및 도 4a 내지 도 4b 및 도 5a 내지 도 5b 그리고 도 6은 본 발명에 의한 위상반전 마스크의 패턴 교정방법을 설명하기 위해서 순차적으로 도시한 단면도 및 단면 사시도이다.
도 2는 위상 반전 마스크의 패턴을 나타낸 단면 사시도이다. 도 3은 도 2의 단면도로서, 도 1b의 s1에 해당하는 단계를 나타낸다. 먼저, 마스크용 차광막(103)이 형성된 위상반전 마스크를 마스크 패턴용 교정장치(미도시)에 올려놓는다. 그리고, 상기 마스크 상에 소정의 광선을 주사하여 마스크용 차광막(103)을 인식한다. 이렇게 인식된 마스크 패턴을 미리 메모리된 이상적인 마스크 패턴과 비교하여 가상의 교정패턴(106)을 정의하고 인식한다. 그러면 도시된 바와 같이, 원래의 마스크용 차광막(103)과 인접하여 형성될 교정패턴을 형성하기 위한 가상의 교정패턴(106)이 마스크 교정장치에서 인식된다.
도 1b의 s2에 해당하는 단계를 나타내는 도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 마스크 본체(101)의 판 면에 패턴 교정 장치(예, FIB)에서 인식된 가상의 교정패턴(106)의 형태를 전사하여 함몰부(105a)를 형성한다. 석영으로 형성된 마스크 본체(101)에 소정의 집중된 이온빔(도 4b의 1120, Focused Ion Beam)을 조사하여 마스크 본체(101) 물질을 점식각(spot etch)법을 이용하여 식각함으로써 마스크 분체(101) 판 면에 대해서 소정 깊이 함몰된 함몰부(105a)를 형성한다.
즉, 도 4b를 참조하면, 마스크 본체(101)의 판 면상에 XeF2의 식각가스를 공급하여 식각가스 분위기로 조성한 다음, 이온빔 조사장치(1110)를 이용하여 갈륨이온(Ga+)의 집중된 이온빔(1120, focused ion beam)을 교정패턴(105)이 형성될 영역에 조사한다. 조사된 갈륨이온(1120,Ga+)빔은 그 크기가 수십 nm 정도 되며 실질적으로 원형의 마크를 형성하면서 마스크 본체(101) 표면 위에 조사되어 접하는 부분을 순간적으로 가열하여 고온 분위기를 조성한다. 그리고, 빔이 조사된 부분에서 식각가스인 XeF2가 고열에 여기되어 분해되면서 불소원자(F)를 방출하고 이 불소원자(F)가 다시 마스크 본체(101)의 실리콘 산화물(SiO2)로 형성된 석영(Quartz)의 실리콘 원자(Si)와 반응하면서 재결합하여 휘발성 화합물(volatile compound)인 SiF4를 형성하면서 마스크 본체(101)의 석영(quartz)을 식각한다. 상대적으로 갈륨 이온빔(1120, Galiun ion beam)이 조사되지 않은 부분은 식각가스가 분해될 수 있는 고온 분위기가 조성되지 않기 때문에 식각가스인 XeF2와 석영(Quartz)이 식각반응을 하지 않아 식각되지 않는다. 여기서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 갈륨 이온빔(1120, gallium ion beam)은 원형의 점형태로서 면을 형성하는 교정 패턴(105)을 따라서 식각하기 위해서는 도시된 바와 같이 이온빔의 점이 일정한 속도로 선이동하여 면형태의 교정패턴(105) 부분을 전체적으로 주사하여야한다. 그리하여, 교정패턴(105) 영역의 전체 패턴 면적을 한 번 주사하여 전체 면적이 균일하게 식각되는 깊이를 도즈(dose)로 표현한다. 따라서, 마스크 본체(101)의 석영이 식각되는 깊이는 이 도즈(dose)에 의해서 결정되므로 이 도즈수를 조절하여 식각깊이를 조절할 수 있다.
도 5a 내지 도 5b를 참조하면, 이들은 도 1b의 S3 단계에 해당되는 것으로서, 전술한 식각공정을 거쳐서 마스크 본체(101)의 판 면에 교정패턴(105)이 형성될 함몰부(105a)가 형성되면, 이 함몰부(105a)에 위상반전용 물질(105b)을 증착하여 형성한다. 여기서, 위상반전용 물질(105b)은, 빛이 투과하면서 광파장의 위상이 180 °전환되도록 하는 특성을 가진 물질로서, 주로 GaxCy 화합물을 적용한다. 이러한 GaxCy 화합물은, 형성하는 방법이 전술한 식각방법과 유사하여 소정의 집중된 이온빔(Focused Ion Beam)을 유도빔으로 하고 주사형식(scanning method)으로 물질을 증착한다.
도 5b를 참조하여 설명하면, 갈륨이온(Ga+)을 집중된 이온빔(1120)으로 변환시켜 증착하고자 하는 부분(함몰부(105a))에 주사하면 그 부분에는 순간적으로 고온의 증착분위기가 형성된다. 이 이온빔 스팟(1120, Beam spot)부분에 미세 분말 입자형의 카본 소스(carbon source)를 가진 하이드로 카본(1131,hydro carbon, CxHy)을 분사장치(1130)를 통하여 분사 공급하면 하이드로 카본(hydrocarbon)이 분해되어 탄소원자(C)를 내놓고, 이 탄소원자(C)가 이온빔 소스인 갈륨이온(Ga+)과 반응하여 GaxCy의 화합물(105b)을 형성되어 마스크 본체(101) 표면에 증착된다.
스팟 증착법(spot deposition)으로 형성되는 증착물은, 이온빔이 소정 속도로 선이동면서 교정패턴 영역의 전체 면적을 순차적으로 스캔(scan)하면서 집중된 이온빔의 이동에 따라 증착 형성된다. 따라서, 한 번 전체 면적을 스캔하면 소정 두께의 위상반전용 물질인 GaxCy가 교정 패턴 영역에 균일하게 증착된다. 이러한스캔을 계속 반복하면 위상반전에 필요한 두께만큼 위상 반전용 물질을 증착할 수 있다. 즉, 위상반전에 필요한 두께를 산정하여 스캔(scan) 수를 결정하고 그 수만큼 반복하여 이온빔을 교정패턴이 형성될 영역에 주사하여 스캔하면 위상반전 물질이 원하는 두께만큼 증착된다.
도 6은 전술한 패턴 교정이 완료된 후에 교정된 패턴을 나타낸 단면 사시도이다. 도시된 바와 같이, 원래의 마스크용 차광막(103)과 연접하여 교정패턴(105)이 형성되어 있어 마스크용 차광막(103)의 패턴을 완전하게 교정할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 의한 위상반전 마스크의 패턴 교정방법은, 교정하고자 하는 부분에 소정 식각공정을 거쳐서 판 면을 소정 깊이 함몰시키고 그 함몰된 부분에 위상반전용 물질을 소정 두께 증착함으로써, 위상반전에 필요한 위상반전용 물질의 두께를 용이하게 조절할 수 있고, 이에 따라 위상반전 마스크 패턴에 소정의 결함이나 오차가 있다 할지라도 다시 재생하여 사용할 수 있어 위상반전 마스크의 유지보수 및 운용비용을 현저히 감소시킬 수 있다.
도 7a 내지 도 7d 및 도 8a 내지 도 8b는 콘택패턴(contact pattern)을 실시예로 하여 본 발명과 종래기술을 비교한 도면이다. 도 7a 내지 7b는 본 발명에 의해서 교정된 위상반전용 마스크를 이용하여 포토 공정을 진행한 후, 포토 레지스트에 형성된 콘택 패턴을 평면으로 찍은 전자 주사 현미경(Scanning electron microscope)사진과 마스크상의 콘택 패턴과 포토 레지스트 상에 형성된 콘택 패턴을 비교한 단면사진이고, 도 7c 내지 도 7d는 종래 기술에 의해 교정된 위상반전용 마스크를 이용하여 포토 공정을 진행한 후, 포토 레지스트에 형성된 콘택 패턴을평면으로 찍은 전자 주사현미경 사진과 마스크 상의 콘택 패턴과 포토 레지스트 상에 형성된 패턴을 비교한 단면사진이다. 도 8a 내지 도8b는 도 7a 및 도 7c를 설명하기 쉽도록 재도시한 평면도이다.
이들을 참조하면, 본 발명에 위해 교정된 콘택 패턴(도 7a 및 도 8a의 P101, contact pattern)은 완벽하게 교정되어 인접한 타 콘택 패턴(도 7a 및 도 8a의 P100)들과 모양이나 크기가 동일하게 형성되어 있다. 그러나, 종래의 기술에 의해서 교정된 콘택 패턴(도 7c 및 도 8b의 P1101)은 비록 교정을 하긴 했지만, 콘택 패턴(P1101)의 모양이 타 콘택패턴(도 7c 및 도 8b의 P1100)과 비교하여 상이하고 크기가 교정 이전에 비해서 별반 변화가 없는 것을 관찰할 수 있다. 이는 도 7d에 도시된 바와 같이, 기존의 기술에 의해서 패턴이 교정되어 콘택패턴의 크기가 교정되었다 하더라도, 교정된 콘택 패턴(P1101) 부분에서의 빛의 위상반전이 불완전하여 원하는 크기만큼 정확하게 교정된 콘택 패턴을 형성할 수 없었기 때문이다.
이러한 본 발명의 위상반전 마스크의 패턴 교정방법은, 상기에 설명된 콘택 패턴(contact pattern)용 위상반전 마스크 외에도 그밖에 0.25 um 이하의 미세패턴이 요구되는 반도체 장치의 활성영역 패턴(Active Pattern), 게이트 패턴(Gate Pattern) 및 금속 배선 패턴(Metal Pattern) 등 포토 공정에서 사용되는 위상반전 마스크에 모두 적용될 수 있다.
한편, 본 발명의 위상반전용 증착 물질(105b)로서는 GaxCy를 사용하였으나, 이 밖에도 MoSiOxNy나 CrF2를 사용할 수도 있다. 이 때는 이온빔 소스로서 갈륨이온(Ga+) 대신 몰리브덴(Mo)이나 크롬(Cr)을 사용하여야 한다. 그리고,MoSiOxNy를 증착할 경우에는증착 소스물질로서 실리콘(Si) 및 산소(O) 질소를 포함하는 화합물을 적어도 하나 이상 사용하여야 하며, CrF2를 증착할 경우에는 불소(F)를 소스로 포함하는 원소나 화합물을 사용한다. 이들 증착 소스물질의 형태는 고상(solid phase)의 미세화된 분말(powder)일수도 있고, 기상(gaseous phase)이나 액상(liquid phase)의 유체로서 공급될 수도 있다.
또한, 위상반전용 물질을 형성하기 위해서 사용되는 장치도, 이온빔 집중장치(Focused Ion Beam system)가 아닌 다른 장치를 사용할 수도 있다. 즉, 레이저(laser)나 X-선(X-ray) 등 집중된 광선빔을 조사하는 장치를 이용하여 위상반전 물질을 증착할 수도 있다. 이 경우에는 위상반전용 증착물질의 증착 소스물질들이 다소 다르게 사용할 수도 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 위상반전 마스크의 패턴 교정은, 교정하고자하는 패턴의 부분의 마스크 판면을 함몰시켜 함몰부를 형성한 후 그 함몰부에 위상반전용 물질을 소정 두께 증착하여 교정패턴을 형성함으로써 이루어지고, 위상반전용 물질의 두께를 조절할 수 있는 여지가 충분하여 교정된 패턴의 위상반전을 완전하게 구현할 수 있고, 따라서 위상반전용 마스크의 패턴을 보다 완전하게 교정할 수 있다.
그리고, 이렇게 위상반전 마스크의 패턴을 용이하게 교정할 수 있어, 마스크 제작에서 발생하는 패턴오차에 의해서 폐기되는 마스크를 감소시켜 제작비를 현저히 감소시킬 수 있다.

Claims (22)

  1. a) 판 상의 투명체로 형성된 마스크 본체에 규칙적으로 반복 형성된 마스크용 차광막을 가진 위상 반전 마스크를 기초로 하여 가상의 교정패턴을 정의하는 단계;
    b) 상기 마스크용 차광막과 인접한 위치에서 상기 가상의 교정패턴에 맞추어 소정 깊이로 상기 마스크 본체의 판 면을 식각하여 함몰부를 형성하는 단계; 및
    c) 상기 함몰부에 위상반전이 완전하게 일어날 수 있도록 위상반전물질을 소정 두께로 증착시키는 단계를 포함하고,
    상기 a) 단계는,
    위상반전 마스크를 마스크 패턴 교정용 장치에 올려놓는 단계;
    상기 마스크 패턴 교정용 장치가 상기 마스크 상에 형성된 상기 마스크 차광막 패턴을 소정의 광선으로 스캔하여 이를 인식하는 단계;
    상기 마스크 패턴용 장치가 상기 인식된 패턴과 상기 마스크 패턴 교정용 장치 내에 소정 메모리된 이상적인 패턴과 비교하는 단계; 및
    상기 마스크 패턴용 장치가 상기 메모리된 패턴이 상기 인식된 패턴과의 차이를 인식하여 교정패턴으로 기억하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크의 패턴 교정방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 마스크 패턴용 교정장치는 이온빔 집중장치(Focused Ion Beam)를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크의 패턴 교정방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 b) 단계는,
    상기 마스크용 차광막에 대응하여 상기 가상의 교정패턴을 정의하는 단계; 및
    상기 가상의 교정패턴에 맞춰 상기 마스크 본체를 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 패턴 교정방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 마스크 본체는 석영으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 패턴 교정방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 마스크 본체를 식각하는 단계는,
    상기 마스크 본체상에 식각가스 분위기를 조성하는 단계; 및
    상기 마스크 본체상의 교정할 패턴에 집중된 이온빔(Focused Ion Beam)을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 패턴 교정방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 집중된 이온빔을 조사하는 단계는 상기 집중된 이온빔을 상기 교정패턴 위를 스캔식(scanning method)으로 조사하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 패턴 교정방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 집중된 이온빔은 갈륨이온(Ga+)인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 패턴 교정방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 식각가스는 XeF2인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 패턴 교정방법.
  10. 제1항에 있어서, c) 단계는,
    상기 함몰부에 유도빔을 조사하는 단계; 및
    상기 유도빔을 따라 증착 소스물질을 분사하여 위상반전용 증착물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 패턴 교정방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 유도빔은 집중 이온빔(focused ion beam)인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 패턴 교정방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 집중 이온빔(Focused Ion Beam)은 갈륨 이온(Ga+)빔인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 패턴 교정방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 증착 소스물질은 미세 분말 입자형의 탄소소스 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 패턴 교정방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 증착 소스물질은 하이드로 카본(Hydrocarbon, CxHy)인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 패턴 교정방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 위상반전용 증착물질은 GaxCy화합물인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 패턴 교정방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 위상반전용 증착물질은 MoSiOxNy또는 CrF2중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 패턴 교정방법.
  17. 투명체로 이루어진 판 상의 마스크 본체;
    상기 마스크 본체의 일면에 형성되어 있고, 적어도 부분적으로 위상반전용 차광막을 포함하는 마스크용 차광막;
    상기 마스크용 차광막과 연접하되, 상기 마스크 본체 판 면에 대해서 소정 깊이 함몰된 함몰부에 소정 두께로 형성되어 있고, GaxCy, MoSiOxNy또는 CrF2로 이루어지는 위상반전용 물질로 구성된 교정용 패턴을 포함하는 위상반전 마스크.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 마스크 본체는 석영으로 형성된 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 제17항에 있어서, 상기 위상반전용 물질은 집중 이온빔(Focused Ion Beam) 방식에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
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