JPH1165091A - ハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法 - Google Patents
ハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法Info
- Publication number
- JPH1165091A JPH1165091A JP23658597A JP23658597A JPH1165091A JP H1165091 A JPH1165091 A JP H1165091A JP 23658597 A JP23658597 A JP 23658597A JP 23658597 A JP23658597 A JP 23658597A JP H1165091 A JPH1165091 A JP H1165091A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- phase shift
- defect
- shift mask
- semi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＦＩＢ装置を用いた比較的単純な方法で、半
透光膜と同等又はそれに近い光学特性の修正膜を欠落欠
陥部に堆積して修正できるハーフトーン型位相シフトマ
スクの欠陥修正方法を提供する。 【解決手段】 透明基板上に少なくとも半透光膜パター
ンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの欠落欠陥
に膜材料を供給しながらイオンビームを照射して前記膜
材料又はその反応物からなる修正膜を堆積させることに
より半透光膜パターンの欠落欠陥を修正するハーフトー
ン型位相シフトマスクの欠陥修正方法において、予め堆
積させる修正膜の膜厚に対する光透過率と位相差との関
係（図２）を把握した後、これらの関係に基づいて光透
過率と位相差が半透光膜と実質的に同一である修正膜を
堆積させる。その際、集束イオンビーム装置に搭載した
アパーチャーの径、及び堆積させる修正膜の膜厚を変化
させる。
透光膜と同等又はそれに近い光学特性の修正膜を欠落欠
陥部に堆積して修正できるハーフトーン型位相シフトマ
スクの欠陥修正方法を提供する。 【解決手段】 透明基板上に少なくとも半透光膜パター
ンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの欠落欠陥
に膜材料を供給しながらイオンビームを照射して前記膜
材料又はその反応物からなる修正膜を堆積させることに
より半透光膜パターンの欠落欠陥を修正するハーフトー
ン型位相シフトマスクの欠陥修正方法において、予め堆
積させる修正膜の膜厚に対する光透過率と位相差との関
係（図２）を把握した後、これらの関係に基づいて光透
過率と位相差が半透光膜と実質的に同一である修正膜を
堆積させる。その際、集束イオンビーム装置に搭載した
アパーチャーの径、及び堆積させる修正膜の膜厚を変化
させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトリソグ
ラフィーに用いられる位相シフトマスクの欠陥修正方法
に関し、特に、ハーフトーン型の位相シフトマスクの欠
陥修正方法に関する。
ラフィーに用いられる位相シフトマスクの欠陥修正方法
に関し、特に、ハーフトーン型の位相シフトマスクの欠
陥修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＬＳＩなどの製造において微細パ
ターンを投影露光装置にて転写する際に用いられるフォ
トマスクの一つとして位相シフトマスクが用いられる。
この位相シフトマスクは、マスクを透過する露光光間に
位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向
上できるようにしたものである。この位相シフトマスク
の一つに、特に、孤立したホールやライン＆スペースパ
ターンを転写するのに適したマスクにして特開平４−１
３６８５４号公報に記載の位相シフトマスクが知られて
いる。
ターンを投影露光装置にて転写する際に用いられるフォ
トマスクの一つとして位相シフトマスクが用いられる。
この位相シフトマスクは、マスクを透過する露光光間に
位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向
上できるようにしたものである。この位相シフトマスク
の一つに、特に、孤立したホールやライン＆スペースパ
ターンを転写するのに適したマスクにして特開平４−１
３６８５４号公報に記載の位相シフトマスクが知られて
いる。
【０００３】この位相シフトマスクは、透明基板上に実
質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時に
通過する光の位相をシフトさせる半透光膜（ハーフトー
ン位相シフト膜）を形成し、この半透光膜の一部を選択
的に除去して半透光膜パターンを形成することにより、
実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部
（透明基板露出部）と、実質的に露光に寄与しない強度
の光を透過させる半透光部とで構成されるマスクパター
ンを形成したものである。この位相シフトマスクは、半
透光部を通過する光の位相をシフトさせて、この半透光
部を通過した光の位相が上記透光部を通過した光の位相
に対して実質的に反転する関係になるようにすることに
よって、前記半透光部と透光部との境界近傍を通過して
回折により回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし
て境界部のコントラストを良好に保持できるようにした
ものであり、通称、ハーフトーン型位相シフトマスクと
称されている。この位相シフトマスクにおいては露光光
の波長をλ、半透光膜の露光光に対する屈折率をｎとし
たとき、半透光膜の膜厚ｔの値が ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ を満たす値に一般的に設定され、また、露光光の波長に
おける半透光膜の透過率が１〜５０％程度になるように
設定されるのが普通である。
質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時に
通過する光の位相をシフトさせる半透光膜（ハーフトー
ン位相シフト膜）を形成し、この半透光膜の一部を選択
的に除去して半透光膜パターンを形成することにより、
実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部
（透明基板露出部）と、実質的に露光に寄与しない強度
の光を透過させる半透光部とで構成されるマスクパター
ンを形成したものである。この位相シフトマスクは、半
透光部を通過する光の位相をシフトさせて、この半透光
部を通過した光の位相が上記透光部を通過した光の位相
に対して実質的に反転する関係になるようにすることに
よって、前記半透光部と透光部との境界近傍を通過して
回折により回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし
て境界部のコントラストを良好に保持できるようにした
ものであり、通称、ハーフトーン型位相シフトマスクと
称されている。この位相シフトマスクにおいては露光光
の波長をλ、半透光膜の露光光に対する屈折率をｎとし
たとき、半透光膜の膜厚ｔの値が ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ を満たす値に一般的に設定され、また、露光光の波長に
おける半透光膜の透過率が１〜５０％程度になるように
設定されるのが普通である。
【０００４】上述のようにハーフトーン型位相シフトマ
スクは、半透光部によって露光光の位相をシフトさせる
位相シフト機能と露光光を実質的に遮断する遮光機能と
の二つの機能を兼ねさせたものである。すなわち、この
半透光部を、パターンの境界部においては位相シフト層
として機能させ、それ以外の部分では遮光層として機能
させている。したがって、本来は完全に露光光を遮断す
るのが理想的である部分にもわずかな漏れ光が生じてい
る。通常はこの漏れ光があっても実質的な露光とまで至
らないように、全体の露光量を調整する。
スクは、半透光部によって露光光の位相をシフトさせる
位相シフト機能と露光光を実質的に遮断する遮光機能と
の二つの機能を兼ねさせたものである。すなわち、この
半透光部を、パターンの境界部においては位相シフト層
として機能させ、それ以外の部分では遮光層として機能
させている。したがって、本来は完全に露光光を遮断す
るのが理想的である部分にもわずかな漏れ光が生じてい
る。通常はこの漏れ光があっても実質的な露光とまで至
らないように、全体の露光量を調整する。
【０００５】このようなハーフトーン型位相シフトマス
クにおいては、通常のフォトマスクよりも高精度化が要
求され、欠陥の修正部分の光学特性等の精度についても
例外でない。通常、フォトマスクで発生する欠落欠陥に
ついては、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて、ピレ
ン等の蒸気をＧａイオンにより解離、励起させてカーボ
ン膜を欠落欠陥に堆積させることにより修正している。
これに対し、ハーフトーン型位相シフトマスクにおける
欠落欠陥の修正は、例えば、特開平７−１４６５４４号
公報に開示されているように、欠落欠陥部分に成膜する
膜材料の光学特性を半透光膜とほぼ同じとし、具体的に
は、位相差を１２０〜２４０°、透過率を５〜１５％と
している。
クにおいては、通常のフォトマスクよりも高精度化が要
求され、欠陥の修正部分の光学特性等の精度についても
例外でない。通常、フォトマスクで発生する欠落欠陥に
ついては、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて、ピレ
ン等の蒸気をＧａイオンにより解離、励起させてカーボ
ン膜を欠落欠陥に堆積させることにより修正している。
これに対し、ハーフトーン型位相シフトマスクにおける
欠落欠陥の修正は、例えば、特開平７−１４６５４４号
公報に開示されているように、欠落欠陥部分に成膜する
膜材料の光学特性を半透光膜とほぼ同じとし、具体的に
は、位相差を１２０〜２４０°、透過率を５〜１５％と
している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平７−１４６５４４号公報に記載の欠陥修正方法で
は、欠落欠陥部分に半透光膜とほぼ同じ材質の膜を成膜
する手段としてリフトオフ法等を採用しているが、この
リフトオフ法は工程が複雑で実用上は細かい制御が難し
いものである。なお、同公報では膜質や膜厚と光学特性
との関係については考慮されていない。
開平７−１４６５４４号公報に記載の欠陥修正方法で
は、欠落欠陥部分に半透光膜とほぼ同じ材質の膜を成膜
する手段としてリフトオフ法等を採用しているが、この
リフトオフ法は工程が複雑で実用上は細かい制御が難し
いものである。なお、同公報では膜質や膜厚と光学特性
との関係については考慮されていない。
【０００７】これらのことを考慮すると、ハーフトーン
型位相シフトマスクにおける欠落欠陥の修正は、従来か
ら一般的に利用されている欠落欠陥部分にＦＩＢにより
カーボン膜を堆積させる方法で修正できることが望まし
く、かつ、欠落欠陥部分に堆積される修正膜の性質が極
力、半透光膜の光学特性と合致していることが望まし
い。
型位相シフトマスクにおける欠落欠陥の修正は、従来か
ら一般的に利用されている欠落欠陥部分にＦＩＢにより
カーボン膜を堆積させる方法で修正できることが望まし
く、かつ、欠落欠陥部分に堆積される修正膜の性質が極
力、半透光膜の光学特性と合致していることが望まし
い。
【０００８】本発明は上述した背景の下になされたもの
であり、ＦＩＢ装置を用いた比較的単純な方法で、半透
光膜と同等又はそれに近い光学特性の修正膜を欠落欠陥
部に堆積して修正できるハーフトーン型位相シフトマス
クの欠陥修正方法の提供を目的とする。
であり、ＦＩＢ装置を用いた比較的単純な方法で、半透
光膜と同等又はそれに近い光学特性の修正膜を欠落欠陥
部に堆積して修正できるハーフトーン型位相シフトマス
クの欠陥修正方法の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正
方法は、以下の構成としてある。
に本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正
方法は、以下の構成としてある。
【００１０】（構成１）透明基板上に少なくとも半透光
膜パターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの
欠落欠陥に膜材料を供給しながらイオンビームを照射し
て前記膜材料又はその反応物からなる修正膜を堆積させ
ることにより半透光膜パターンの欠落欠陥を修正するハ
ーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法におい
て、予め堆積させる修正膜の膜厚に対する光透過率と位
相差との関係を把握した後、これらの関係に基づいて光
透過率と位相差が前記半透光膜と実質的に同一である修
正膜を堆積させることを特徴とするハーフトーン型位相
シフトマスクの欠陥修正方法。
膜パターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの
欠落欠陥に膜材料を供給しながらイオンビームを照射し
て前記膜材料又はその反応物からなる修正膜を堆積させ
ることにより半透光膜パターンの欠落欠陥を修正するハ
ーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法におい
て、予め堆積させる修正膜の膜厚に対する光透過率と位
相差との関係を把握した後、これらの関係に基づいて光
透過率と位相差が前記半透光膜と実質的に同一である修
正膜を堆積させることを特徴とするハーフトーン型位相
シフトマスクの欠陥修正方法。
【００１１】（構成２）構成１記載のハーフトーン型位
相シフトマスクの欠陥修正方法において、前記堆積させ
る修正膜が、単層膜であることを特徴とするハーフトー
ン型位相シフトマスクの欠陥修正方法。
相シフトマスクの欠陥修正方法において、前記堆積させ
る修正膜が、単層膜であることを特徴とするハーフトー
ン型位相シフトマスクの欠陥修正方法。
【００１２】（構成３）構成１又は２記載のハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造方法の欠陥修正方法におい
て、集束イオンビーム装置に搭載したアパーチャーの
径、及び堆積させる修正膜の膜厚を変化させることを特
徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方
法。
ン型位相シフトマスクの製造方法の欠陥修正方法におい
て、集束イオンビーム装置に搭載したアパーチャーの
径、及び堆積させる修正膜の膜厚を変化させることを特
徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方
法。
【００１３】（構成４）構成１乃至３記載のハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造方法の欠陥修正方法におい
て、前記堆積させる修正膜が、カーボン系の膜であるこ
とを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥
修正方法。
ン型位相シフトマスクの製造方法の欠陥修正方法におい
て、前記堆積させる修正膜が、カーボン系の膜であるこ
とを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥
修正方法。
【００１４】（構成５）透明基板上に少なくとも半透光
膜パターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの
欠落欠陥に膜材料を供給しながらイオンビームを照射し
て前記膜材料又はその反応物からなる修正膜を堆積させ
ることにより半透光膜パターンの欠落欠陥を修正するハ
ーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法におい
て、前記堆積させる修正膜が、前記半透光膜の光透過率
と位相差と実質的に同一である単層膜であることを特徴
とするハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方
法。
膜パターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの
欠落欠陥に膜材料を供給しながらイオンビームを照射し
て前記膜材料又はその反応物からなる修正膜を堆積させ
ることにより半透光膜パターンの欠落欠陥を修正するハ
ーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法におい
て、前記堆積させる修正膜が、前記半透光膜の光透過率
と位相差と実質的に同一である単層膜であることを特徴
とするハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方
法。
【００１５】（構成６）透明基板上に少なくとも半透光
膜パターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの
欠落欠陥に膜材料を供給しながらイオンビームを照射し
て前記膜材料又はその反応物からなる修正膜を堆積させ
ることにより半透光膜パターンの欠落欠陥を修正するハ
ーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法におい
て、前記修正膜における特定反応条件毎の膜厚に対する
光透過率と位相差との相関関係を予め求め、前記修正膜
の光透過率と位相差が前記半透光膜の光透過率と位相差
と実質的に同一になるように前記反応条件を選択して修
正膜を堆積させることを特徴とするハーフトーン型位相
シフトマスクの欠陥修正方法。
膜パターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの
欠落欠陥に膜材料を供給しながらイオンビームを照射し
て前記膜材料又はその反応物からなる修正膜を堆積させ
ることにより半透光膜パターンの欠落欠陥を修正するハ
ーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法におい
て、前記修正膜における特定反応条件毎の膜厚に対する
光透過率と位相差との相関関係を予め求め、前記修正膜
の光透過率と位相差が前記半透光膜の光透過率と位相差
と実質的に同一になるように前記反応条件を選択して修
正膜を堆積させることを特徴とするハーフトーン型位相
シフトマスクの欠陥修正方法。
【００１６】
【作用】本発明では、ハーフトーン型位相シフトマスク
における欠落欠陥部分にＦＩＢによりカーボン膜等を堆
積させる方法を採用し、かつ、欠落欠陥部分に堆積され
る修正膜の性質を半透光膜の光学特性に近づけること
で、効率よく欠陥修正が行えるとともに、欠陥の修正部
分の光学精度が高く、結果として高精度にウエハへのパ
ターン転写が行えるハーフトーン型位相シフトマスクを
得ることができる。
における欠落欠陥部分にＦＩＢによりカーボン膜等を堆
積させる方法を採用し、かつ、欠落欠陥部分に堆積され
る修正膜の性質を半透光膜の光学特性に近づけること
で、効率よく欠陥修正が行えるとともに、欠陥の修正部
分の光学精度が高く、結果として高精度にウエハへのパ
ターン転写が行えるハーフトーン型位相シフトマスクを
得ることができる。
【００１７】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１８】図１に集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置の
概略図を示す。ＦＩＢ装置では、透明基板上に少なくと
も半透光膜パターンを有するハーフトーン型位相シフト
マスク１の欠落欠陥に、ノズル１１から膜材料を供給し
ながらイオンビーム１２を照射して、前記膜材料又はそ
の反応物からなる修正膜を堆積させることにより半透光
膜パターンの欠落欠陥を修正する。
概略図を示す。ＦＩＢ装置では、透明基板上に少なくと
も半透光膜パターンを有するハーフトーン型位相シフト
マスク１の欠落欠陥に、ノズル１１から膜材料を供給し
ながらイオンビーム１２を照射して、前記膜材料又はそ
の反応物からなる修正膜を堆積させることにより半透光
膜パターンの欠落欠陥を修正する。
【００１９】図２にＦＩＢ装置で堆積させた露光波長ｉ
線（３６５ｎｍ）におけるカーボン膜の特性を示す。図
３にＦＩＢ装置で堆積させた露光波長ｇ線（４３６ｎ
ｍ）におけるカーボン膜の特性を示す。
線（３６５ｎｍ）におけるカーボン膜の特性を示す。図
３にＦＩＢ装置で堆積させた露光波長ｇ線（４３６ｎ
ｍ）におけるカーボン膜の特性を示す。
【００２０】本発明では、予め堆積させる膜材料の膜厚
に対する光透過率と位相差との関係を把握した後、これ
らの関係に基づいて光透過率と位相差が半透光膜と実質
的に同一である修正膜を堆積させる。具体的には、例え
ば、図２及び図３に示すように、ＦＩＢ装置のアパーチ
ャーの径を変えることによって、修正膜の光学特性を制
御して、膜厚と透過率、位相差との関係を変化させる。
つまり、図２及び図３に示すように、アパーチャーの径
を変えない場合、膜厚に応じた透過率、位相差が一義的
にしか得られない（一組の関係曲線しか得られない）
が、本発明では、アパーチャーの径を変えることで得ら
れる複数の関係曲線のうちから最適なものを選択し（１
８０°の位相差を有し、かつ、半透光膜により近い透過
率が得られる関係曲線を選択し）かつ修正膜の膜厚を厳
密に制御することで、修正膜の光学特性を半透光膜の光
学特性に一致させるかあるいは近づけることができる。
アパーチャーの径を変えることによって修正膜の光学特
性を変えることができるのは、イオン源から照射される
イオンビーム中のＧａイオンの量、言い換えれば単位時
間当たりのエネルギー量がアパーチャー径の大きさによ
って制御されることによって、堆積される修正膜（カー
ボン膜等）の組成に影響を与え屈折率が変化するからで
あると考えられる。
に対する光透過率と位相差との関係を把握した後、これ
らの関係に基づいて光透過率と位相差が半透光膜と実質
的に同一である修正膜を堆積させる。具体的には、例え
ば、図２及び図３に示すように、ＦＩＢ装置のアパーチ
ャーの径を変えることによって、修正膜の光学特性を制
御して、膜厚と透過率、位相差との関係を変化させる。
つまり、図２及び図３に示すように、アパーチャーの径
を変えない場合、膜厚に応じた透過率、位相差が一義的
にしか得られない（一組の関係曲線しか得られない）
が、本発明では、アパーチャーの径を変えることで得ら
れる複数の関係曲線のうちから最適なものを選択し（１
８０°の位相差を有し、かつ、半透光膜により近い透過
率が得られる関係曲線を選択し）かつ修正膜の膜厚を厳
密に制御することで、修正膜の光学特性を半透光膜の光
学特性に一致させるかあるいは近づけることができる。
アパーチャーの径を変えることによって修正膜の光学特
性を変えることができるのは、イオン源から照射される
イオンビーム中のＧａイオンの量、言い換えれば単位時
間当たりのエネルギー量がアパーチャー径の大きさによ
って制御されることによって、堆積される修正膜（カー
ボン膜等）の組成に影響を与え屈折率が変化するからで
あると考えられる。
【００２１】なお、本発明は、ＦＩＢによる修正膜をハ
ーフトーン膜の特性に合わせるものであるから、ハーフ
トーン膜を構成する膜材料にかかわらず利用できる。ま
た、マスクの非転写領域等に遮光膜を形成するタイプの
ハーフトーン型位相シフトマスクのにおける遮光膜の欠
陥修正も同一装置で同時に行うことが可能である。カー
ボン修正膜の場合、１８０°の位相差を有しかつ透過率
が１〜５０％の範囲でＦＩＢによる修正膜をハーフトー
ン膜の特性に合わせることが可能である。
ーフトーン膜の特性に合わせるものであるから、ハーフ
トーン膜を構成する膜材料にかかわらず利用できる。ま
た、マスクの非転写領域等に遮光膜を形成するタイプの
ハーフトーン型位相シフトマスクのにおける遮光膜の欠
陥修正も同一装置で同時に行うことが可能である。カー
ボン修正膜の場合、１８０°の位相差を有しかつ透過率
が１〜５０％の範囲でＦＩＢによる修正膜をハーフトー
ン膜の特性に合わせることが可能である。
【００２２】カーボン修正膜をＦＩＢで形成する際の原
料ガスとしては、例えば、ピレン、スチレン、メタクリ
ル酸メチル、２，４，４−トリメチル−１−ペンテン、
イソプレン等の炭化水素系ガス単独、又はこれらの炭化
水素系ガスと水素との混合ガス等を使用できる。
料ガスとしては、例えば、ピレン、スチレン、メタクリ
ル酸メチル、２，４，４−トリメチル−１−ペンテン、
イソプレン等の炭化水素系ガス単独、又はこれらの炭化
水素系ガスと水素との混合ガス等を使用できる。
【００２３】カーボン系以外のＦＩＢ修正膜としては、
Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロ
ム）などが挙げられる。タングステン修正膜の原料ガス
としては、ＷＦ6、Ｗ（ＣＯ）6、ＷＣｌ6等が、モリブ
デン修正膜の原料ガスとしては、ＭｏＦ6、Ｍｏ（Ｃ
Ｏ）6、ＭｏＣｌ5等が、クロム修正膜の原料ガスとして
は、Ｃｒ（Ｃ6Ｈ6）2などが挙げられる。
Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロ
ム）などが挙げられる。タングステン修正膜の原料ガス
としては、ＷＦ6、Ｗ（ＣＯ）6、ＷＣｌ6等が、モリブ
デン修正膜の原料ガスとしては、ＭｏＦ6、Ｍｏ（Ｃ
Ｏ）6、ＭｏＣｌ5等が、クロム修正膜の原料ガスとして
は、Ｃｒ（Ｃ6Ｈ6）2などが挙げられる。
【００２４】膜質の制御は、アパーチャーの径を変える
こと以外に、ＦＩＢ装置のイオン電流を変えるか、供給
ガス圧力を変えることなどによっても可能である。
こと以外に、ＦＩＢ装置のイオン電流を変えるか、供給
ガス圧力を変えることなどによっても可能である。
【００２５】なお、本発明では、ＦＩＢによる単層膜
で、光透過率と位相差が半透光膜と実質的に同一である
修正膜が形成できるので、修正が容易である。ここで、
「実質的に同一である」とは、半透光膜の光学特性が実
質的に変わらないことを言い、具体的には、光透過率で
は、半透光膜の光透過率の±２％以内、好ましくは±１
％以内、より好ましくは±０．５％以内の範囲におさま
ることを言い、位相差では、半透光膜の位相差の±２０
°以内、好ましくは±１０°以内、より好ましくは±５
°以内の範囲におさまることを言う。
で、光透過率と位相差が半透光膜と実質的に同一である
修正膜が形成できるので、修正が容易である。ここで、
「実質的に同一である」とは、半透光膜の光学特性が実
質的に変わらないことを言い、具体的には、光透過率で
は、半透光膜の光透過率の±２％以内、好ましくは±１
％以内、より好ましくは±０．５％以内の範囲におさま
ることを言い、位相差では、半透光膜の位相差の±２０
°以内、好ましくは±１０°以内、より好ましくは±５
°以内の範囲におさまることを言う。
【００２６】
【実施例】以下、実施例にもとづき本発明を詳細に説明
する。
する。
【００２７】実施例１ 図４〜図５は本発明の一実施例にかかるハーフトーン型
位相シフトマスクの欠落欠陥の修正方法を説明するため
の図である。
位相シフトマスクの欠落欠陥の修正方法を説明するため
の図である。
【００２８】図４（ａ）及び（ｂ）は、透明基板２上に
形成したモリブデンシリサイドの窒化膜（ＭｏＳｉＮ
膜）からなる半透光膜（ハーフトーン膜）３をパターニ
ングして得られたハーフトーン型位相シフトマスク１の
平面図及びＡ−Ａ線矢視断面図である。このマスクは、
スパッタリング法により透明基板上に成膜されたＭｏＳ
ｉＮ膜上に、電子線レジストを塗布し電子線描画装置を
用いて描画した後、レジストを現像し、レジストパター
ンをマスクにしてＭｏＳｉＮ膜をエッチングによりパタ
ーニングして得られたものであるが、これらの製造工程
において何らかの理由により生じた欠落欠陥４を有する
ものであった。なお、マスク作製後に上記マスクの光学
特性を測定した結果、露光波長ｇ線（４３６ｎｍ）にお
いて位相差１８０°、透過率４．０％であった。
形成したモリブデンシリサイドの窒化膜（ＭｏＳｉＮ
膜）からなる半透光膜（ハーフトーン膜）３をパターニ
ングして得られたハーフトーン型位相シフトマスク１の
平面図及びＡ−Ａ線矢視断面図である。このマスクは、
スパッタリング法により透明基板上に成膜されたＭｏＳ
ｉＮ膜上に、電子線レジストを塗布し電子線描画装置を
用いて描画した後、レジストを現像し、レジストパター
ンをマスクにしてＭｏＳｉＮ膜をエッチングによりパタ
ーニングして得られたものであるが、これらの製造工程
において何らかの理由により生じた欠落欠陥４を有する
ものであった。なお、マスク作製後に上記マスクの光学
特性を測定した結果、露光波長ｇ線（４３６ｎｍ）にお
いて位相差１８０°、透過率４．０％であった。
【００２９】次に、予め条件出しして求めた図３に基づ
き、ＦＩＢ装置のアパーチャー径を５０μｍとし、膜厚
を厳密に制御して、１６２０オンク゛ストロームの膜厚でカーボ
ン膜５を堆積させて欠落欠陥を修正した（図５（ａ）及
び（ｂ））。カーボン膜は露光波長ｇ線（４３６ｎｍ）
において位相差１８０°、透過率は３．８％で４．０％
に近かった。
き、ＦＩＢ装置のアパーチャー径を５０μｍとし、膜厚
を厳密に制御して、１６２０オンク゛ストロームの膜厚でカーボ
ン膜５を堆積させて欠落欠陥を修正した（図５（ａ）及
び（ｂ））。カーボン膜は露光波長ｇ線（４３６ｎｍ）
において位相差１８０°、透過率は３．８％で４．０％
に近かった。
【００３０】上記欠落欠陥修正後のマスクを用いてウエ
ハ上への転写を行ったが、修正部分に起因する異常は見
られず、本発明による修正部分の光学特性の制御が高精
度であることが確認された。
ハ上への転写を行ったが、修正部分に起因する異常は見
られず、本発明による修正部分の光学特性の制御が高精
度であることが確認された。
【００３１】実施例２ 透明基板上に形成したモリブデンシリサイドの窒化膜
（ＭｏＳｉＮ膜）からなる半透光膜をパターニングして
得られたハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。
このマスクは、スパッタリング法により透明基板上に成
膜されたＭｏＳｉＮ膜上に、電子線レジストを塗布し電
子線描画装置を用いて描画した後、レジストを現像し、
レジストパターンをマスクにしてＭｏＳｉＮ膜をエッチ
ングによりパターニングして得られたものであるが、こ
れらの製造工程において何らかの理由により生じた欠落
欠陥を有するものであった。なお、マスク作製後に上記
マスクの光学特性を測定した結果、露光波長ｉ線（３６
５ｎｍ）において位相差１８０°、透過率２．０％であ
った。
（ＭｏＳｉＮ膜）からなる半透光膜をパターニングして
得られたハーフトーン型位相シフトマスクを作製した。
このマスクは、スパッタリング法により透明基板上に成
膜されたＭｏＳｉＮ膜上に、電子線レジストを塗布し電
子線描画装置を用いて描画した後、レジストを現像し、
レジストパターンをマスクにしてＭｏＳｉＮ膜をエッチ
ングによりパターニングして得られたものであるが、こ
れらの製造工程において何らかの理由により生じた欠落
欠陥を有するものであった。なお、マスク作製後に上記
マスクの光学特性を測定した結果、露光波長ｉ線（３６
５ｎｍ）において位相差１８０°、透過率２．０％であ
った。
【００３２】次に、予め条件出しして求めた図２に基づ
き、ＦＩＢ装置のアパーチャー径を８０μｍとし、膜厚
を厳密に制御して、１４００オンク゛ストロームの膜厚でカーボ
ン膜を堆積させて欠落欠陥を修正した。カーボン膜は露
光波長ｉ線（３６５ｎｍ）において位相差１８０°、透
過率は１．８％で２．０％に近かった。
き、ＦＩＢ装置のアパーチャー径を８０μｍとし、膜厚
を厳密に制御して、１４００オンク゛ストロームの膜厚でカーボ
ン膜を堆積させて欠落欠陥を修正した。カーボン膜は露
光波長ｉ線（３６５ｎｍ）において位相差１８０°、透
過率は１．８％で２．０％に近かった。
【００３３】上記欠落欠陥修正後のマスクを用いてウエ
ハ上への転写を行ったが、修正部分に起因する異常は見
られず、本発明による修正が高精度であることが確認さ
れた。
ハ上への転写を行ったが、修正部分に起因する異常は見
られず、本発明による修正が高精度であることが確認さ
れた。
【００３４】以上好ましい実施例をあげて本発明を説明
したが、本発明は上記実施例に限定されるものではな
い。
したが、本発明は上記実施例に限定されるものではな
い。
【００３５】例えば、半透光膜は、モリブデン、シリコ
ン、窒素からなるものに限定されず、例えば、モリブデ
ンとシリコンと酸素、モリブデンとシリコンと酸素と窒
素とからなる半透光膜や、タングステン、チタン、タン
タル、クロムから選ばれる金属とシリコンと酸素及び／
又は窒素とからなる半透光膜であってもよい。
ン、窒素からなるものに限定されず、例えば、モリブデ
ンとシリコンと酸素、モリブデンとシリコンと酸素と窒
素とからなる半透光膜や、タングステン、チタン、タン
タル、クロムから選ばれる金属とシリコンと酸素及び／
又は窒素とからなる半透光膜であってもよい。
【００３６】また、半透光膜の他に遮光膜を形成するタ
イプのハーフトーン型位相シフトマスクにおいては、遮
光膜の欠陥修正も同一装置で同時に行うことが可能であ
る。この場合の遮光膜としては、例えば、クロムや、酸
素、窒素、炭素のうちより選ばれた少なくとも一種とク
ロムとを含む材料や、アルミニウム、チタン、タングス
テン、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等の膜や、あ
るいはこれらに酸素、窒素、炭素のうちより選ばれた少
なくとも一種を含ませた材料からなるものが挙げられ
る。
イプのハーフトーン型位相シフトマスクにおいては、遮
光膜の欠陥修正も同一装置で同時に行うことが可能であ
る。この場合の遮光膜としては、例えば、クロムや、酸
素、窒素、炭素のうちより選ばれた少なくとも一種とク
ロムとを含む材料や、アルミニウム、チタン、タングス
テン、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等の膜や、あ
るいはこれらに酸素、窒素、炭素のうちより選ばれた少
なくとも一種を含ませた材料からなるものが挙げられ
る。
【００３７】さらに、エッジにかかる欠落欠陥の他に、
ピンホール等の欠落欠陥の修正にも利用できる。
ピンホール等の欠落欠陥の修正にも利用できる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明のハーフトー
ン型位相シフトマスクの欠陥修正方法によれば、ＦＩＢ
装置を用いた比較的単純な方法で、半透光膜と同等又は
それに近い光学特性の修正膜を欠落欠陥部に堆積して修
正できるため、結果として実際のウエハ転写上は欠陥の
影響がなくなり、高品質のハーフトーン型位相シフトマ
スクを効率よく高歩留まりで得ることができる。
ン型位相シフトマスクの欠陥修正方法によれば、ＦＩＢ
装置を用いた比較的単純な方法で、半透光膜と同等又は
それに近い光学特性の修正膜を欠落欠陥部に堆積して修
正できるため、結果として実際のウエハ転写上は欠陥の
影響がなくなり、高品質のハーフトーン型位相シフトマ
スクを効率よく高歩留まりで得ることができる。
【図１】ＦＩＢ装置の概略を示す図である。
【図２】ＦＩＢ装置で堆積させた露光波長ｉ線（３６５
ｎｍ）におけるカーボン膜の特性を示す図である。
ｎｍ）におけるカーボン膜の特性を示す図である。
【図３】ＦＩＢ装置で堆積させた露光波長ｇ線（４３６
ｎｍ）におけるカーボン膜の特性を示す図である。
ｎｍ）におけるカーボン膜の特性を示す図である。
【図４】本発明の一実施例にかかるハーフトーン型位相
シフトマスクの欠落欠陥の修正方法を説明するための図
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢
視断面図である。
シフトマスクの欠落欠陥の修正方法を説明するための図
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢
視断面図である。
【図５】本発明の一実施例にかかるハーフトーン型位相
シフトマスクの欠落欠陥の修正方法を説明するための図
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢
視断面図である。
シフトマスクの欠落欠陥の修正方法を説明するための図
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢
視断面図である。
１ ハーフトーン型位相シフトマスク ２ 透明基板 ３ 半透光膜（ハーフトーン膜） ４ 欠落欠陥 ５ カーボン膜 １１ ノズル １２ 集束イオンビーム
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板上に少なくとも半透光膜パター
ンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの欠落欠陥
に膜材料を供給しながらイオンビームを照射して前記膜
材料又はその反応物からなる修正膜を堆積させることに
より半透光膜パターンの欠落欠陥を修正するハーフトー
ン型位相シフトマスクの欠陥修正方法において、 予め堆積させる修正膜の膜厚に対する光透過率と位相差
との関係を把握した後、これらの関係に基づいて光透過
率と位相差が前記半透光膜と実質的に同一である修正膜
を堆積させることを特徴とするハーフトーン型位相シフ
トマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のハーフトーン型位相シフ
トマスクの欠陥修正方法において、 前記堆積させる修正膜が、単層膜であることを特徴とす
るハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のハーフトーン型位
相シフトマスクの製造方法の欠陥修正方法において、 集束イオンビーム装置に搭載したアパーチャーの径、及
び堆積させる修正膜の膜厚を変化させることを特徴とす
るハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３記載のハーフトーン型位
相シフトマスクの製造方法の欠陥修正方法において、 前記堆積させる修正膜が、カーボン系の膜であることを
特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正
方法。 - 【請求項５】 透明基板上に少なくとも半透光膜パター
ンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの欠落欠陥
に膜材料を供給しながらイオンビームを照射して前記膜
材料又はその反応物からなる修正膜を堆積させることに
より半透光膜パターンの欠落欠陥を修正するハーフトー
ン型位相シフトマスクの欠陥修正方法において、 前記堆積させる修正膜が、前記半透光膜の光透過率と位
相差と実質的に同一である単層膜であることを特徴とす
るハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項６】 透明基板上に少なくとも半透光膜パター
ンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの欠落欠陥
に膜材料を供給しながらイオンビームを照射して前記膜
材料又はその反応物からなる修正膜を堆積させることに
より半透光膜パターンの欠落欠陥を修正するハーフトー
ン型位相シフトマスクの欠陥修正方法において、 前記修正膜における特定反応条件毎の膜厚に対する光透
過率と位相差との相関関係を予め求め、前記修正膜の光
透過率と位相差が前記半透光膜の光透過率と位相差と実
質的に同一になるように前記反応条件を選択して修正膜
を堆積させることを特徴とするハーフトーン型位相シフ
トマスクの欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23658597A JP3630935B2 (ja) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | ハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23658597A JP3630935B2 (ja) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | ハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1165091A true JPH1165091A (ja) | 1999-03-05 |
| JP3630935B2 JP3630935B2 (ja) | 2005-03-23 |
Family
ID=17002823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23658597A Expired - Fee Related JP3630935B2 (ja) | 1997-08-18 | 1997-08-18 | ハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3630935B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100434494B1 (ko) * | 2001-10-23 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 위상 반전 마스크의 패턴 교정방법 및 이를 이용하여교정된 위상 반전 마스크 |
| CN101256349A (zh) * | 2007-02-28 | 2008-09-03 | Hoya株式会社 | 灰阶掩模的缺陷修正方法和制造方法以及灰阶掩模 |
| JP2009020312A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 |
| JP2010198006A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-09-09 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
| JP2011227209A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Cowin Dst Co Ltd | ハーフトーンマスクのリペア方法及びリペアシステム |
| TWI393994B (zh) * | 2007-07-03 | 2013-04-21 | Hoya Corp | 灰階光罩之缺陷修正方法、灰階光罩之製造方法、灰階光罩以及圖案轉印方法 |
| KR101444463B1 (ko) * | 2007-03-31 | 2014-09-24 | 호야 가부시키가이샤 | 그레이톤 마스크의 결함 수정 방법, 그레이톤 마스크의제조 방법 및 그레이톤 마스크와 패턴 전사 방법 |
| KR20220011095A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 호야 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 위상 시프트 마스크, 및 표시 장치의 제조 방법 |
-
1997
- 1997-08-18 JP JP23658597A patent/JP3630935B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100434494B1 (ko) * | 2001-10-23 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 위상 반전 마스크의 패턴 교정방법 및 이를 이용하여교정된 위상 반전 마스크 |
| CN101256349A (zh) * | 2007-02-28 | 2008-09-03 | Hoya株式会社 | 灰阶掩模的缺陷修正方法和制造方法以及灰阶掩模 |
| KR101444463B1 (ko) * | 2007-03-31 | 2014-09-24 | 호야 가부시키가이샤 | 그레이톤 마스크의 결함 수정 방법, 그레이톤 마스크의제조 방법 및 그레이톤 마스크와 패턴 전사 방법 |
| TWI393994B (zh) * | 2007-07-03 | 2013-04-21 | Hoya Corp | 灰階光罩之缺陷修正方法、灰階光罩之製造方法、灰階光罩以及圖案轉印方法 |
| JP2009020312A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 |
| JP2010198006A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-09-09 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
| JP2011227209A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Cowin Dst Co Ltd | ハーフトーンマスクのリペア方法及びリペアシステム |
| KR20220011095A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 호야 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 위상 시프트 마스크, 및 표시 장치의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3630935B2 (ja) | 2005-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9709885B2 (en) | Photomask blank and method for manufacturing photomask blank | |
| US10656516B2 (en) | Photomask blank, and preparation method thereof | |
| US20050112477A1 (en) | Phase shift mask blank, phase shift mask, and pattern transfer method | |
| CN109491193B (zh) | 光掩模及其修正方法、制造方法、显示装置的制造方法 | |
| TW201624104A (zh) | 光罩基底、相位偏移光罩、相位偏移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 | |
| KR101444463B1 (ko) | 그레이톤 마스크의 결함 수정 방법, 그레이톤 마스크의제조 방법 및 그레이톤 마스크와 패턴 전사 방법 | |
| JPH04449A (ja) | 位相シフトマスクの修正方法 | |
| US7195846B2 (en) | Methods of manufacturing photomask blank and photomask | |
| TW200916944A (en) | Method of correcting a defect in a gray tone mask, method of manufacturing a gray tone mask, gray tone mask, and method of transferring a pattern | |
| US10564537B2 (en) | Photomask blank, and preparation method thereof | |
| KR20190015997A (ko) | 포토마스크의 수정 방법, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| TWI821669B (zh) | 光罩之製造方法、光罩及顯示裝置用元件之製造方法 | |
| JP3630935B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法 | |
| JP2008203373A (ja) | ハーフトーンブランクス及びハーフトーンブランクスの製造方法 | |
| TW201940961A (zh) | 光罩基底、相偏移光罩及半導體裝置之製造方法 | |
| TW201805716A (zh) | 光罩基底、相移光罩、相移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 | |
| JP3630929B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| US8652306B2 (en) | Method for manufacturing mask blank, method for manufacturing transfer mask, sputtering target for manufacturing mask blank | |
| CN111665680B (zh) | 光掩模的修正方法、光掩模的制造方法、光掩模 | |
| JPH06138646A (ja) | 位相シフトマスクの修正方法 | |
| US20030203292A1 (en) | Quartz damage repair method for high-end mask | |
| JP4325175B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク、半導体装置の製造方法、およびハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法 | |
| JP7449187B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および、表示装置の製造方法 | |
| JPH04368947A (ja) | 位相シフトマスクの作成方法 | |
| JP3951704B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクおよびそのブランク並びにそれらの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040826 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040914 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041112 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041214 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041215 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091224 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |