KR970048976A - 콘택홀 패턴 형성을 위한 마스크 - Google Patents

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KR970048976A
KR970048976A KR1019950050881A KR19950050881A KR970048976A KR 970048976 A KR970048976 A KR 970048976A KR 1019950050881 A KR1019950050881 A KR 1019950050881A KR 19950050881 A KR19950050881 A KR 19950050881A KR 970048976 A KR970048976 A KR 970048976A
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mask
contact hole
hole pattern
quartz substrate
phase inversion
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Application number
KR1019950050881A
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English (en)
Inventor
이철승
이희목
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 콘택홀 패턴 형상을 위한 마스크에 있어서, 빛을 트과시키는 석영기고판; 상기 석영기판 상에 일정 간격을 갖고 형성되는 다수의 크롬패턴; 및 상기 크롬패턴 사이에 형성되되 번갈아 형성되어 인접한 지역과 180도의 위상차를 가지도록 형성된 위상반전 물질을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 콘택홀 패턴 형성을 위항 마스크에 관한 것이다.

Description

콘택홀 패턴 형성을 위한 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 콘택홀 형성 마스크의 단면도,
제4도는 제3도의전계 분포도,
제5도는 마스크를 토과한 빛ㅇ듸 웨이퍼상의 강도 분포도.

Claims (3)

  1. 콘택홀 패턴 형성을 위한 마스크에 있어서, 빛을 투과시키는 석영기판; 상기 석영기판 상에 일정간격을 갖고 형성되는 다수의 크롬패턴; 및 상기 크롬패턴 사이에 형성되되 번갈아 형성되어 인접한 지역과 180도의 위상차를 가지도록 형성된 위상반전 물질을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 콘택홀 패턴 형성을 위한 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 위상반전물질의 두게(d)=λ/2(n-1)여기서, λ는 빛의 파정 n=정수(2, 3, 4,.....)인 것을 특징으로 하는 콘택홀 패턴 형성을 위한 마스크.
  3. 제2항에 있어서, 상기 위상반전물질은 상기 석영기판이 식각된 부위에 형성되는 것을 특징으로 하는 콘택홀 패턴 형성을 위한 마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950050881A 1995-12-16 1995-12-16 콘택홀 패턴 형성을 위한 마스크 KR970048976A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100340865B1 (ko) * 1999-11-05 2002-06-20 박종섭 반도체 소자의 콘택 형성용 마스크 및 그 제조방법
KR100434494B1 (ko) * 2001-10-23 2004-06-05 삼성전자주식회사 위상 반전 마스크의 패턴 교정방법 및 이를 이용하여교정된 위상 반전 마스크

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100340865B1 (ko) * 1999-11-05 2002-06-20 박종섭 반도체 소자의 콘택 형성용 마스크 및 그 제조방법
KR100434494B1 (ko) * 2001-10-23 2004-06-05 삼성전자주식회사 위상 반전 마스크의 패턴 교정방법 및 이를 이용하여교정된 위상 반전 마스크

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