KR980005302A - 반도체 소자 제조용 콘택 마스크 - Google Patents

반도체 소자 제조용 콘택 마스크 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조용 콘택 마스크에 관한 것으로, 가드링 지역에서 절연충의 과도한 식각에 의해 감광막이 들뜨는 현상을 방지하기 위하여 기판에 다이의 가장자리부를 둘러싸도록 다수의 가드링 홍 패턴이 등간격으로 배열되고, 상기 가드링 홀 패턴의 내측부에 가드링 패턴이 형성된 콘택 마스크 또는 기판에 다이의 가장자리부를 둘러싸도록 다수의 제1 가드링 홀 패턴이 등간격으로 배열되고, 상기 제1 가드링 홀 패턴 내측부의 상기 기판에 상기 제1 가드링 홀 패턴과 엇갈리도록 다수의 제2 가드링 홀 패턴이 등각격으로 배열된 콘택 마스크를 이용하므로써 가드링 지역에서 감광막과 절연측의 접촉 면적이 증대된다. 따라서, 절연층의 과도한 측면 식각에 의한 감광막의 들뜸 현상이 방지되어 완전한 콘택 홀이 형성되도록 하므로써, 소자의 수율이 향상될 수 있는 반도체 소자 제조용 콘택 마스크에 관한 것이다.

Description

반도체 소자 제조용 콘택 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 콘택 마스크의 일부분을 도시한 평면도.

Claims (6)

  1. 반도체 소자 제조용 콘택 마스크에 있어서, 빛이 투과될 수 있는 기판과, 다이의 가장자리부를 둘러싸도록 상기 기판에 등각격으로 배열된 다수의 가드링 홀 패턴과, 상기 가드 가드링 홀 패턴으로부터 소정 거리 이격된 내측부의 상기 기판에 형성된 가드링 패턴과, 상기 가드링 패턴으로부터 소정 거리 이격된 내측부의 상기 기판에 형성된 다수의 콘택 패턴으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 콘택 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가드링 홀 패턴은 직사각 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 콘택 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 가드링 홀 패턴, 가드링 패턴 및 콘택 패턴과 상기 기판중 하나에는 빛의 투과가 방지되도록 크롬이 코팅된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 콘택 마스크.
  4. 반도체 소자 제조용 콘택 마스크에 있어서, 빛이 투과될 수 있는 기판과, 다이의 가장자리부를 둘러싸도록 상기 기판에 등 간격으로 배열된 다수의 제1 가드링 홀 패턴과, 상기 제1 가드링 홀 패턴으로부터 소정 거리 이격된 내측부의 상기 기판에 형성되며, 상기 제1 가드링 홀 패턴과 엇갈리도록 등간격으로 배열된 다수의 제2 가드링 홀 패턴과, 상기 제2 가드링 홀 패턴으로부터 소정 거리 이격된 내측부의 상기 기판에 형성된 다수의 콘택 패턴으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 콘택 마스크.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2 가드링 홀 패턴은 각각 직사각 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 콘택 마스크.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1 가드링 홀 패턴, 제2 가드링 홀 패턴 및 콘택 패턴과 상기 기판중 하나에는 빛의 투과가 방지되도록 크롬이 코팅된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 콘택 마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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