KR980003823A - 콘택홀용 위상 반전 마스크 - Google Patents

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KR980003823A
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이일호
김희범
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 콘택홀용 위상 반전 마스크에 관한 것으로, 동위상을 갖는 패턴이 인접되어 위치하는 경우에 발생되는 위상 충돌을 방지하고 0° 및 180° 위상을 갖는 패턴이 서로 인접하도록 마름모 형태의 창을 배열하여 광 콘트라스트를 향상시키고 양질의 콘택홀 패턴을 얻도록 하는 콘택홀용 위상 반전 마스크이다.

Description

콘택홀용 위상 반전 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술에 의해 제조된 콘택홀용 위상 반전 마스크를 도시한 평면도.
제2도는 제1도를 이용하여 노광할때 광의 분포를 도시한 도면.
제3도는 본 발명에 의해 제조된 콘택홀용 위상 방전 마스크를 도시한 평면도.
제4도는 제3도를 이용하여 노광할 때 광의 분포를 도시한 도면.

Claims (3)

  1. 위상 반전 마스크에 있어서, 석영기판 상부에 콘택홀이 형성될 지역에 제1마름모 형태의 창과 제2마름모 형태의 창이 반복적으로 배열되고, 상기 제1마름모 형태의 창의 내부에는 시프터가 형성되고, 상기 제1마름모 형태의 창의 일정폭 테두리는 광이 투과되는 석영기판이 노출되게 하고, 상기 제2마름모 형태의 창의 내부는 광이 투과하는 석영기판이 노출되게 하고, 상기 제2마름모 형태의 창의 일정폭 테두리에는 시프터가 구비되는 것을 특징으로 하는 콘택홀용 위상 반전 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마름모 형태의 창의 크기와 모양을 변화시켜서 다양한 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 콘택홀용 위상 반전 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 석영기판 상부에 콘택홀이 형성될 지역에 제1마름모 형태의 창과 제2마름모 형태의 창이 대각선 방향으로 반복 배열되는 것을 특징으로 하는 콘택홀용 위상 반전 마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3518097B2 (ja) * 1995-09-29 2004-04-12 株式会社ニコン 荷電粒子線転写装置,パターン分割方法,マスクおよび荷電粒子線転写方法
BR9901906B1 (pt) 1998-09-21 2008-11-18 composiÇço para revestimento sensÍvel a radiaÇço étil para chapas de impressço litogrÁfica e similares.
EP1221072B1 (de) * 1999-09-17 2005-06-08 Infineon Technologies AG Kontaktlochherstellung mit hilfe sich kreuzender phasensprungkanten einer einzigen phasenmaske
US20050089770A1 (en) * 2003-10-24 2005-04-28 Yong Liu Printing irregularly-spaced contact holes using phase shift masks
US7264415B2 (en) * 2004-03-11 2007-09-04 International Business Machines Corporation Methods of forming alternating phase shift masks having improved phase-shift tolerance
JP2006011371A (ja) * 2004-05-26 2006-01-12 Fuji Photo Film Co Ltd パターン形成方法
KR100586549B1 (ko) * 2004-12-02 2006-06-08 주식회사 하이닉스반도체 포토 마스크 및 이를 이용한 패턴 제조 방법
CN102819056A (zh) * 2012-07-30 2012-12-12 京东方科技集团股份有限公司 一种彩色滤光片及其制作方法、液晶面板和液晶显示装置
US9536952B2 (en) 2014-05-12 2017-01-03 Intersil Americas LLC Body contact layouts for semiconductor structures
WO2020141052A1 (en) * 2018-12-31 2020-07-09 Asml Netherlands B.V. Improved imaging via zeroth order suppression

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3187859B2 (ja) * 1991-05-22 2001-07-16 株式会社日立製作所 マスクのパターンデータ作成方法および製造方法
US5370975A (en) * 1992-01-31 1994-12-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for forming resist pattern
KR0161856B1 (ko) * 1995-09-25 1999-01-15 문정환 위상 반전 마스크의 제조방법

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