KR930701769A - 위상시프트 마스크 - Google Patents

위상시프트 마스크

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KR930701769A
KR930701769A KR1019920703253A KR920703253A KR930701769A KR 930701769 A KR930701769 A KR 930701769A KR 1019920703253 A KR1019920703253 A KR 1019920703253A KR 920703253 A KR920703253 A KR 920703253A KR 930701769 A KR930701769 A KR 930701769A
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shift mask
phase shift
light
substrate
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히로시 오쭈까
가쭈토시 아베
타카시 타구찌
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가나미야지 준
오끼뎅끼 고오교오 가부시끼가이샤
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    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract

본 발명은 배선패턴을 형성하는 사이의 포토리소 그래피 공정에 사용되는 위상시프트 마스크에 관한 것이다.
투명마스크기판(11)상에, 선택적으로 형성된 차광패턴(12)과, 이 차광패턴에 인접하는 투명부에 시설되어, 투명마스크 기판과의 위상차가 90°인 2종류의 위상시프터층이며, 또한 위상시프터간의 위상차가 180°인 위상시프터(13a, 13b)를 설치한 것이다.

Description

위상시프트 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 위상시프트 마스크의 단면도, 제2도는 본 발명의 위상시프트 마스크의 상면도.

Claims (2)

  1. 광을 투과하는 기체와, 상기 기체상에 선택적으로 형성되어, 광을 차단하는 차광패턴과, 상기 차광패턴을 좁혀서, 노출한 상기 기체상에 교호로 형성된 공을 투과하는 2종의 위상시프터층이며, 상기 2종의 위상시프터층은, 상기 기체와의 사이에 각각 90°의 위상차를 가지며, 또한 상기 차광패턴을 좁해서 인접한 2종의 위상시프터층간에는 180°의 위상차가 있는 2종의 위상시프터와를 가진 것을 특징으로 하는 위상시프트 마스크.
  2. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920703253A 1990-06-21 1991-06-19 위상 쉬프트 마스크 KR0153287B1 (ko)

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JP16123990 1990-06-21

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