KR940006194A - 노광용 마스크 - Google Patents

노광용 마스크 Download PDF

Info

Publication number
KR940006194A
KR940006194A KR1019930013408A KR930013408A KR940006194A KR 940006194 A KR940006194 A KR 940006194A KR 1019930013408 A KR1019930013408 A KR 1019930013408A KR 930013408 A KR930013408 A KR 930013408A KR 940006194 A KR940006194 A KR 940006194A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phase shift
transparent
light
exposure
pattern
Prior art date
Application number
KR1019930013408A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0139762B1 (ko
Inventor
신이치 이토
Original Assignee
사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사토 후미오, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 사토 후미오
Publication of KR940006194A publication Critical patent/KR940006194A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0139762B1 publication Critical patent/KR0139762B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 동위상의 인접하는 부분이나 대면적패턴의 부분에 있어서도 위상시프트효과를 줄 수가 있고, 보다 고해상도의 패턴형성을 가능하게 하는 노광용 마스크를 제공하고자 하는 것이다.
이를 위해 본 발명은, 투광성 기판(301)상에 마스크패턴을 배치하여 구성된 노광용 마스크에 있어서, 마스크패턴으로서 비노광영역에 상당하는 투광성 기판 (301)상의 영역(312)에 노광 광에 대한 광로장이 투광성 기판(301)의 투명부분 (311)과는 소정량만큼 다른 반투명 위상시프트패턴(302)을 형성하고, 노광영역에 상당하는 투광성기판(301)상에 영역(313)에 투명 위상시프트패턴(373)을 선택적으로 형성하며, 또 반투명 위상시프트패턴(302)과 투명 위상시프트패턴(303)의 경계부를 일부 적층구조로 한 것을 특징으로 한다.

Description

노광용 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의해 작성된 반투명 위상시프트패턴을 포함하는 레벤슨형 마스크의 구조, 광진폭분포 및 광강도분포를 나타낸 도면,
제4도는 본 발명의 목적에 부합되지 않는 경우의 반투명 위상시프트패턴을 포함하는 레벤슨형 마스크의 구조, 광진폭분포 및 광강도분포를 나타낸 도면,
제5도는 본 발명에 의해 작성된 반투명 위상 시프트패턴을 포함하는 다른 레벤슨형 마스크의 구조, 광진폭분포 및 광강도분포를 나타낸 도면,
제6도는 본 발명에 의해 작성된 반투명 위상시프트패턴을 포함하는 더 개량된 레벤슨형 마스크의 구조, 광진폭분포 및 광강도 분포를 나타낸 도면.

Claims (6)

1. 투광성 기판상에 마스크패턴을 형성한 노광용 마스크에 있어서, 상기 마스크패턴으로서, 노광 광에 대한 광로장이 상기 투광성 기관의 투명부분과는 소정량만큼 다르도록 구성된 반투명 위상시프트패턴과, 투명 위치상 시프트패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
투광성 기판상에 마스크패턴을 배치하여 구성된 노광용 마스크에 있어서, 상기 마스크패턴으로서, 비노광영역에 상당하는 상기 투광성 기판상의 영역에 노광 광에 대한 광로장이 그 투광성 기판의 투명부분과는 소정량만큼 다른 반투명 위상시프트패턴을 형성하고, 노광영역에 상당하는 상기 투광성 기판상의 영역에 투명 위상시프트패턴을 선택적으로 형성하여 이루어진 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 투명 위상시프트패턴과 반투명 위상시프트패턴의 인접영역에 있어서, 이들 패턴이 적층구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 투명 위상시프트패턴의 경계영역을 포함하는 부분에 상기 반투명 위상시프트패턴이 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
노광파장에 대하여 투명한 투광성 기판과, 이 투광성 기판의 표면 또는 내부에 노광파장에 대하여 그 기판과는 다른 굴절율을 갖는 물질을 매립해서 형성되고, 또 상기 투광성 기판 표면을 평탄화하도록 형성된 투명 위상시프트영역 및, 사익 투광성 기판의 평탄화된 표면상에서 상기 투명 위상시프트영역의 경계를 포함하는 부분에 형성된 반추명 위상시프트패턴을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
노광파장에 대하여 투명한 투광성 기판과, 이 투광성 기판의 표면을 부분적으로 굴입해서 형성되고, 기판부분과는 노광파장에 대한 광로장이 다른 투명 위상시프트영역, 이 투명 위상시프트영역을 피복하도록 상기 기판상에 형성된 투광성 평판 및, 이 투광성 평판상의 상기 위상시프트영역의 경계를 포함하는 부분에 형성된 반투명 위상시프트패턴을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930013408A 1992-07-17 1993-07-16 노광용 마스크 KR0139762B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP92-191065 1992-07-17
JP19106592 1992-07-17
JP25677992 1992-09-25
JP92-256779 1992-09-25
JP12281593A JP3204798B2 (ja) 1992-07-17 1993-05-25 露光用マスク
JP93-122815 1993-05-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940006194A true KR940006194A (ko) 1994-03-23
KR0139762B1 KR0139762B1 (ko) 1998-07-15

Family

ID=27314525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930013408A KR0139762B1 (ko) 1992-07-17 1993-07-16 노광용 마스크

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5409789A (ko)
JP (1) JP3204798B2 (ko)
KR (1) KR0139762B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100772784B1 (ko) * 2005-12-30 2007-11-01 주식회사 하이닉스반도체 이유브이 노광 공정용 위상반전 마스크 및 그 제조 방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5604060A (en) * 1993-08-31 1997-02-18 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Halftone phase shift photomask comprising a single layer of halftone light blocking and phase shifting
KR0128827B1 (ko) * 1993-12-31 1998-04-07 김주용 위상반전마스크 제조방법
KR970009825B1 (ko) * 1993-12-31 1997-06-18 현대전자산업 주식회사 하프톤형 위상반전 마스크 및 그 제조 방법
KR970005675B1 (en) * 1994-01-19 1997-04-18 Hyundai Electronics Ind Fabrication method of phase shift mask
KR0143707B1 (ko) * 1994-06-23 1998-08-17 김주용 마스크 가장자리에서 투과되는 광의 강도를 보상하기 위한 위상반전 마스크
JPH08314116A (ja) * 1995-03-15 1996-11-29 Toshiba Corp 露光用マスク及びその製造方法
JPH08279452A (ja) * 1995-03-16 1996-10-22 Lg Semicon Co Ltd 位相シフトマスクの製造方法
KR0152952B1 (ko) * 1995-05-13 1998-10-01 문정환 위상반전 마스크 및 그 제조방법
US5635315A (en) * 1995-06-21 1997-06-03 Hoya Corporation Phase shift mask and phase shift mask blank
US5786114A (en) * 1997-01-10 1998-07-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Attenuated phase shift mask with halftone boundary regions
JP3417798B2 (ja) * 1997-05-19 2003-06-16 株式会社東芝 露光用マスク
US6150072A (en) * 1997-08-22 2000-11-21 Siemens Microelectronics, Inc. Method of manufacturing a shallow trench isolation structure for a semiconductor device
US6297166B1 (en) 1999-04-22 2001-10-02 International Business Machines Corporation Method for modifying nested to isolated offsets
DE10136291B4 (de) * 2001-07-25 2008-05-08 Qimonda Ag Photolithographische Maske
DE10156143B4 (de) * 2001-11-15 2007-01-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von photolithographischen Masken
DE10307545A1 (de) * 2002-02-22 2003-11-06 Hoya Corp Zuschnitt für halbtonartige Phasenverschiebungsmaske und zugehörige Phasenverschiebungsmaske
US7645543B2 (en) * 2002-10-15 2010-01-12 Polyplus Battery Company Active metal/aqueous electrochemical cells and systems
US7022436B2 (en) * 2003-01-14 2006-04-04 Asml Netherlands B.V. Embedded etch stop for phase shift masks and planar phase shift masks to reduce topography induced and wave guide effects
JP4582574B2 (ja) * 2004-06-04 2010-11-17 シャープ株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法
JP6726553B2 (ja) * 2015-09-26 2020-07-22 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0395425B1 (en) * 1989-04-28 1996-10-16 Fujitsu Limited Mask, mask producing method and pattern forming method using mask
JP2946567B2 (ja) * 1989-11-15 1999-09-06 ソニー株式会社 メモリ半導体構造及び位相シフトマスク
JPH0476550A (ja) * 1990-07-18 1992-03-11 Oki Electric Ind Co Ltd ホトマスク及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100772784B1 (ko) * 2005-12-30 2007-11-01 주식회사 하이닉스반도체 이유브이 노광 공정용 위상반전 마스크 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06161091A (ja) 1994-06-07
US5409789A (en) 1995-04-25
JP3204798B2 (ja) 2001-09-04
KR0139762B1 (ko) 1998-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940006194A (ko) 노광용 마스크
KR960018758A (ko) 조합된 감쇠 위상 교대 변이 마스크 구조 및 이를 위한 제조 방법
KR920000006A (ko) 포토리소그래픽 패터닝용 레티클
KR970016785A (ko) 위상반전 마스크 제조방법
ES2072901T3 (es) Estructura de pelicula delgada que tiene propiedades magneticas y de cambio de color.
KR960032090A (ko) 패턴 형성 방법
EP1542073A3 (en) Patterning method
KR960009236A (ko) T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크
KR950006541A (ko) 감소형 투영 프린팅 장치에 사용되는 공간 필터
KR20040032973A (ko) 다이얼의 제작방법 및 상기 제작방법에 따라 생산된 다이얼
DE59811173D1 (de) Strichplatte und optische Einrichtung mit einer beleuchtbaren Strichplatte
KR930701769A (ko) 위상시프트 마스크
KR930003264A (ko) 위상 시프트마스크를 사용한 패턴 형성방법
KR960015074A (ko) 광학 리도그래픽 마스크 및 그의 제조방법
KR970076061A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR910008486A (ko) 노광마스크
KR940012496A (ko) 위상쉬프트 포토마스크
KR950015591A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR950025855A (ko) 중첩 패턴 형성용 마스크 제조방법
KR937000886A (ko) 미세 레지스트 패턴의 형성 방법
JPS6258291A (ja) ライトコントロ−ルフイルムおよびその製造方法
KR930018675A (ko) 위상반전마스크 및 그의 제조방법
ATE216527T1 (de) Leuchtreklame, insbesondere leuchtbuchstabe
KR930001346A (ko) 광조사로 레지스트 마스크 패턴을 형성하는 방법
KR960035144A (ko) 부분 투광성 위상반전 마스크

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030228

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee