JPH06161091A - 露光用マスク - Google Patents

露光用マスク

Info

Publication number
JPH06161091A
JPH06161091A JP12281593A JP12281593A JPH06161091A JP H06161091 A JPH06161091 A JP H06161091A JP 12281593 A JP12281593 A JP 12281593A JP 12281593 A JP12281593 A JP 12281593A JP H06161091 A JPH06161091 A JP H06161091A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phase shift
pattern
transparent
exposure
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP12281593A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3204798B2 (ja
Inventor
Shinichi Ito
信一 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP12281593A priority Critical patent/JP3204798B2/ja
Priority to US08/091,357 priority patent/US5409789A/en
Priority to KR1019930013408A priority patent/KR0139762B1/ko
Publication of JPH06161091A publication Critical patent/JPH06161091A/ja
Priority to US08/377,249 priority patent/US5536604A/en
Priority to US08/477,594 priority patent/US5631109A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3204798B2 publication Critical patent/JP3204798B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 同位相のパターンが隣接する部分や大面積パ
ターンの部分においても位相シフト効果を与えることが
でき、より高解像度のパターン形成を可能とする露光用
マスクを提供すること。 【構成】 透光性基板３０１上にマスクパターンを配置
して構成された露光用マスクにおいて、マスクパターン
として、非露光領域に相当する透光性基板３０１上の領
域３１２に露光光に対する光路長が透光性基板３０１の
透明部分３１１とは所定量だけ異なる半透明位相シフト
パターン３０２を形成し、露光領域に相当する透光性基
板３０１上の領域３１３に透明位相シフトパターン３０
３を選択的に形成し、かつ半透明位相シフトパターン３
０２と透明位相シフトパターン３０３の境界部を一部積
層構造としたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造におけ
るリソグラフィ工程に用いられる投影露光用マスクに係
わり、特に位相シフタを用いて解像度の向上をはかった
露光用マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体技術の進歩と共に半導体装
置、ひいては半導体素子の高速化，高集積化が進められ
ている。それに伴い、パターンの微細化の必要性は益々
高くなり、パターン寸法も微細化，高精度化が要求され
るようになっている。この要求を満たす目的で、露光光
源に遠紫外光など短波長の光が用いられるようになって
きた。
【０００３】しかし、今後露光光源に用いられようとし
ているＫｒＦエキシマレーザの２４８ｎｍ発振線を露光
光に用いたプロセスでは、専用のレジストとしては、化
学増幅型レジストが開発されつつあるものの研究段階に
あり、ｇ線，ｉ線又は電子線用のレジストに頼っている
のが現状である。ｇ線，ｉ線用のレジストは、ノボラッ
ク樹脂がベースになっており、この物質の波長２４８ｎ
ｍの光に対する吸収係数が大きいため、レジストの表面
しか露光できず、レジスト膜裏面までは光が達しない。
このため、ｇ線，ｉ線用のレジストを用いて高アスペク
ト比のパターンを形成することは困難である。
【０００４】また、電子線をレジスト上に直接描画する
ことにより、微細なパターンの形成を行うことが可能で
あるが、この方法では、レジストヒーティング，チャー
ジアップ及びスループット等の問題があり、大量生産に
は向かない。一方、Ｘ線等の放射線、電子線，イオンビ
ーム等の荷電粒子線を用いたプロセスでは、解像度向上
ははかれるものの、露光装置、レジストが開発段階にあ
り直ちに利用することは難しい。
【０００５】このように、露光光源を変えることで微細
化をはかる場合には、種々の問題が生じており、容易に
目的を達成することは難しい。そこで最近、露光光源を
変えることなく微細化をする試みがなされてきている。
その一つの手法として、位相シフト法がある。この手法
は、光透過部分に部分的に位相反転層を設け、隣接する
パターンからの光の回折の影響を除去し、パターン精度
の向上をはかるものである。
【０００６】位相シフト法の中で、とりわけ解像性能が
向上する手法として、レベンソン型位相シフト法があ
る。この手法では、遮光パターンが配置されたマスクに
おいて、光透過部に交互に位相シフタを設けている。こ
の位相シフタを透過した光の位相は、位相シフタを配置
していない部分を透過した光に対し１８０°反転する。
このように遮光パターンに隣接した光透過部の光の位相
を反転させることで、パターン相互の光の干渉を低減
し、解像性能を向上させている。
【０００７】また、位相シフト法の別な手法として、位
相シフタのエッジの部分で暗部が生じることを利用した
手法もある。この手法によれば、急峻な光強度変化を得
ることができ、ウェハプロセスとしてネガ型のレジスト
を用いた場合に、微細なスペースパターンを形成するこ
とができる。例えば、３６５ｎｍの波長の露光光源を用
いた場合においても、その波長以下の２５０ｎｍの幅の
溝を形成することが可能であった。
【０００８】しかしながら、この種の位相シフト法にあ
っても次のような問題があった。即ち、レベンソン型位
相シフトマスクの場合、解像性能は優れているものの、
パターン配置に制約がある。例えば、図１６に示すよう
な配置の場合、一点鎖線１１の位置と一点鎖線１２の位
置の隣接するパターン同士の光の位相関係を比べると、
一点鎖線１１の位置では位相が０，１８０°が交互に配
置されているが、一点鎖線１２の位置では同位相のパタ
ーンが隣接することになる。この同位相のパターンが隣
接する場合では、解像性能は、位相シフト法を用いない
場合と同等の解像性能しか得られないという問題があっ
た。
【０００９】また、位相シフタのエッジの部分で暗部が
生じることを利用した手法では、微細なパターンの形成
は可能であるが、大面積パターンを形成することはでき
ず、この部分は従来より用いられている遮光パターンに
より形成されている。この場合、位相シフタにより微細
パターンが形成されても、従来の遮光膜により形成され
たパターンの解像性能が悪いため、十分に位相シフトマ
スクの性能を発揮させることができなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のレ
ベンソン型位相シフトマスクの場合、パターン配置の制
約から同位相のパターンが隣接する部分が生じ、この部
分では解像性能は向上させることができない。また、位
相シフタのエッジの部分で暗部が生じることを利用した
手法では、大面積パターンの部分で解像性能を向上でき
ないという問題があった。
【００１１】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、同位相のパターンが隣
接する部分や大面積パターンの部分においても位相シフ
ト効果を与えることができ、より高解像度のパターン形
成を可能とする露光用マスクを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、遮光膜
を用いている各種位相シフトマスクについて、遮光膜の
代わりに半透明位相シフト膜を用いることで、従来解像
性能が向上しなかった孤立抜き、残しパタ−ンやコンタ
クトホ−ルパタ−ン等においても位相シフト効果を発揮
せしめることにある。
【００１３】即ち、本発明（請求項１）は、透光性基板
上にマスクパターンを配置して構成された露光用マスク
において、マスクパターンとして、非露光領域に相当す
る透光性基板上の領域に露光光に対する光路長が該透光
性基板の透明部分とは所定量だけ異なる半透明位相シフ
トパターンを形成し、露光領域に相当する透光性基板上
の領域に透明位相シフトパターンを選択的に形成したこ
とを特徴とする。
【００１４】また、本発明（請求項２）は、半透明位相
シフトパターンと透明位相シフトパターンとの隣接領域
で、これらのパタ−ンが積層構造となるこを特徴とし、
さらには前記半透明位相シフトパターンが前記透明位相
シフトパターン上に積層された部分を含むことを特徴と
する。
【００１５】また、本発明（請求項５）は、露光波長に
対して透明な透光性基板と、この透光性基板の表面又は
内部に、露光波長に対し該基板とは異なる屈折率を有す
る物質を埋込んで形成され、且つ透光性基板表面を平坦
化するよう形成された透明位相シフト領域と、透光性基
板の平坦化された表面上で、透明位相シフト領域の境界
を含む部分に形成された半透明位相シフトパターンとを
具備してなることを特徴とする。
【００１６】また、本発明（請求項６）は、露光波長に
対して透明な透光性基板と、この透光性基板の表面を部
分的に掘り込んで形成され、基板部分とは露光波長に対
する光路長が異なる透明位相シフト領域と、透明位相シ
フト領域を塞ぐように透光性基板上に形成された透光性
平板と、この透光性平板上の位相シフト領域の境界を含
む部分に形成された半透明位相シフトパターンとを具備
してなることを特徴とする。
【００１７】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものが上げられる。 (1) 位相シフト領域が、他の領域に対し、（９０×ｍ）
±１０°又は（１２０×ｎ）±１０°（ｍ、ｎは１以上
の整数）の相対位相を持つようにしたこと。 (2) 半透明位相シフトパターンが、同じ厚さの露光雰囲
気を透過する露光光に対し相対位相差が｛１８０×（２
Ｌ＋１）｝±１０°、（Ｌは整数）であるようにしたこ
と。 (3) 透光性基板の露光領域全域が、基板と異なる屈折率
を有する少なくとも１つの物質で膜厚ｈで覆われるこ
と。 (4) 膜厚ｈは、位相シフト領域を透過した光の強度が位
相シフト領域外を透過した光強度と等しくなるように、
多重反射を考慮して決められること。 (5) 半透明位相シフトパターンが、同じ厚さの露光雰囲
気を透過する露光光に対し２０±１５％の振幅透過率を
有すること。 (6) 半透明位相シフトパターンが、単層の半透明膜、乃
至は半透明膜と透明膜の積層膜で構成されること。 (7) 露光領域と非露光領域の境界上に振幅透過率５％以
下の遮光性膜を配設すること。
【００１８】また、本発明の望ましい実施態様として、
次のような製造方法を採用することができる。 (1) 透光性基板を部分的に掘込み凹パターンを形成した
のち、少なくとも凹パターンに透光性基板の露光波長に
対する屈折率と異なる屈折率を有する透明材料を堆積し
て透明位相シフト領域を形成し、次いで少なくとも露光
転写領域を含む範囲で基板表面を平坦化し、次いで平坦
化された基板上の少なくとも一部に半透明位相シフト膜
を形成し、しかるのち透明位相シフト領域の境界上に半
透明位相シフト膜が残るように、半透明位相シフト膜の
少なくとも一部を選択的に除去すること。。 (2) 透光性基板を部分的に掘込み凹パターンを形成した
のち、基板上に透光性平板を配設することで、透明位相
シフト領域を形成すると共に基板表面を平坦化し、次い
で透光性平板全面或いは部分的に半透明位相シフト膜を
形成し、しかるのち透明位相シフト領域の境界上に半透
明位相シフト膜が残るように、半透明位相シフト膜の少
なくとも一部を選択的に除去すること。
【００１９】ここで、望ましくは透明位相シフト領域の
境界を含む範囲で表面を平坦化する工程が、研磨するこ
とにより基板表面の凸部を除去する工程を含むこと。さ
らに望ましくは、透明位相シフト領域の境界を含む範囲
で表面を平坦化する工程が、流動性物質を基板上に塗布
して平坦にした後、非選択エッチングにより流動性物質
及び基板表面の凸部を除去する工程を含むようこと。
【００２０】また、望ましくは半透明位相シフトパター
ンの表面を強制的に酸化すること。さらに望ましくは、
半透明位相シフト膜の代わりに遮光膜を用いた工程を含
むようにしたこと。また、望ましくは透明位相シフト領
域の境界の少なくとも一部が、半透明位相シフトパター
ン乃至は遮光膜が互いに近接する２つのエッジからほぼ
等距離に位置するよう配置すること。
【００２１】
【作用】レベンソン型などの位相シフトマスクの構造を
図２（ａ）に示す。透光性基板２０１上に遮光パターン
２０２が配置され、遮光パターン２０２に隣接する光透
過部に交互に透明位相シフトパターン２０３が形成され
ている。このマスクを透過した光の振幅分布は、図２
（ｂ）に示すようになる。そして、これにより得られる
解像度は図２（ｃ）に示すようになる。本発明では、こ
れに加えて遮光パターンの代わりに半透明位相シフトパ
ターンを設け、例えばレベンソン型とハーフトーン型を
共存させることにより、隣接する透明部の位相が同位相
であっても、半透明部の位相シフト効果により解像性能
が改善され、焦点深度が向上する。
【００２２】半透明位相シフトパターンと、異方的な堆
積法で形成した透明位相シフトパターンが共存するマス
クの構造を図３（ａ）に示す。透光性基板３０１上に、
ウェハ上の光照射されない領域（非露光領域）に相当す
る半透明位相シフトパターン３０２が配置され、この半
透明位相シフトパターン３０２に隣接する光透過部に交
互に透明位相シフトパターン３０３が配置されている。
半透明位相シフトパターン３０２と透明位相シフトパタ
ーン３０３は、基板３０１に対し位相差が１８０°とな
るようそれぞれ形成されている。
【００２３】ここで、それぞれの領域を透過する光の位
相を考えることにする。基板３０１の露出している部分
３１１を透過した光の位相を０°とした場合、半透明位
相シフトパターン３０２が単独で存在する部分３１２と
透明位相シフトパターン３０３が単独で存在する部分３
１３では、それぞれ位相が１８０°となる。一方、半透
明位相シフトパターン３０２と透明位相シフトパターン
３０３が２層構造で存在する部分３１４では、２つの位
相が足し合わされ３６０°となる。
【００２４】これらの関係より、隣接する透明部に共に
位相シフタが配置されない場合、又は共に位相シフタが
配置された場合でも、図３の構造から隣り合う光路（３
１１−３１２，３１２−３１３，３１４−３１３）の位
相の関係はいずれの部分でも１８０°を維持することに
なる。
【００２５】このように半透明位相シフトパターン３０
２と透明位相シフトパターン３０３からなる露光用マス
ク基板では、あらゆるパターンで位相シフト効果が現れ
ることになる。また、このときの光強度を図３（ｂ）に
示す。透明位相シフトパターン３０３を透過した光の振
幅分布を点線で、半透明位相シフトパターン３０２を透
過した光の振幅分布を一点鎖線で、合成した振幅分布を
実線で表わす。これを二乗して得られる光強度分布を図
３（ｃ）に示す。このように、本発明では、従来のレベ
ンソン型位相シフトマスクと比較し、よりパターン分離
がはかられ良好な光強度プロファイルが得られることが
分かる。
【００２６】なお、ここで重要なのは透明位相シフトパ
ターン３０３と隣接する半透明位相シフトパターン３０
２のエッジ部分で透明位相シフトパターン３０３と半透
明位相シフトパターン３０２を積層構造とすることであ
る。積層構造とすることではじめて全てのパターンで隣
り合う光が透過する部分で位相差１８０°を維持するこ
とができるからである。
【００２７】図４に、積層構造とならない場合、即ち透
光性基板掘り込むことで透明位相シフトパターンを作成
した場合を示すが、この場合は掘り込んだ部分と隣接す
る半透明パターンの位相差が３６０°となり、掘り込ん
だ部分の光強度プロファイルが劣化し、性能はむしろ悪
化する。なお、図中４０１は透光性基板、４０２は半透
明位相シフトパターン、４０３は基板４０１に設けた溝
を示している。
【００２８】ところで、透明位相シフトパターンを等方
的な手法で作成したマスク、即ち図５（ａ）に示すマス
クでは、半透明位相シフトパターン５０２のエッジ部分
に透明位相シフトパターン５０３が乗り上げている部分
５１５で、半透明位相シフトパターン５０２の段差に相
当する分だけ透明位相シフトパタ−ンの位相が回転す
る。例えば、ｉ線を露光光源に用いた場合、領域５１５
の透明位相シフトパタ−ンの膜厚は、その屈折率１．４
７より３８８．２ｎｍとなる。一方、半透明位相シフト
パターン５０２の膜厚は８０ｎｍである。従って、境界
部では透明位相シフトパターン５０３の膜厚は、３８
８．２ｎｍより更に８０ｎｍ厚くなる。そのため、この
部分では、位相が３７°余計に回転し、実際には１８０
°から２１７°までの連続した位相差が得られることに
なる。
【００２９】この場合の像強度分布（図５（ｃ））は、
基板５０１の露出部に相当する領域５１１に対し、透明
位相シフトパターン５０３に相当する領域５１３おいて
バンド幅が狭くなり、また透明位相シフトパターン５０
３のエッジ部近傍では光強度を持ち易くなるため、解像
力や焦点深度の低下をもたらしていた。
【００３０】以上のような問題は、図６に示す構造によ
り改善される。即ち図６に示す構造では、透明位相シフ
トパターン６０３の上に半透明位相シフトパターン６０
２を積層させているため、透明位相シフトパタ−ン６０
３が半透明位相シフトパターン６０２上に乗り上げるこ
とがない。そのため、位相は０°か１８０°のいずれか
をとり、透明位相シフトパタ−ン６０３間の位相シフト
効果も充分に発揮される。
【００３１】また、図６に示す構成では、透明位相シフ
トパタ−ン６０３のエッジ部分に半透明位相シフトパタ
ーン６０２が乗り上げている部分６１４で、透明位相シ
フトパタ−ンの段差に相当する分だけ、半透明位相シフ
トパターンの位相が回転しているが、一方で段差相当分
だけ膜が厚くなる結果として透過率が減少し、遮光膜に
近い状態となっている。このため、半透明位相シフトパ
ターンが透明位相シフトパタ−ンに乗り上げている部分
６１４では、遮光性が増大したことにより、位相シフト
効果は殆どない。
【００３２】ところで、半透明位相シフトパターンの位
相シフト効果は、パタ−ンエッジ部分で、隣接する１８
０°の位相差を有する透明位相シフトパターン間の光の
干渉をなくすものである。従って、半透明位相シフトパ
ターンの中央部に遮光領域が存在しても、パタ−ンが有
する位相シフト効果に悪影響を殆どおよばさない。
【００３３】図６に示す構造のマスクは、次のような方
法により製造される。まず、透明基板に部分的にエッチ
ングを施すことにより、透明基板上に位相差１８０°に
相当するパタ−ンを掘り込む、基板に一様に透明位相シ
フト膜を形成して部分的にエッチングによりパタ−ンを
形成する、選択成長により直接透明位相シフトパターン
を形成する、等の方法により、透明位相シフトパターン
を形成する。次いで、全面に半透明位相シフト膜を形成
した後、部分的に除去するか、又は選択的に半透明位相
シフト膜を堆積することにより、半透明位相シフトパタ
ーンを形成する。
【００３４】なお、マスクの構造は、図６（ａ）では透
明位相シフトパタ−ン６０３の側壁を垂直に形成してい
るが、図６（ｄ）に示すように６０３の側壁に角度を持
たせてもかまわない。
【００３５】なお、半透明位相シフト膜の強度透過率が
２％以上である場合、パタ−ン領域外をＣｒ等の遮光膜
により覆うのが好ましい場合もある。これは、半透明位
相シフト膜を用いた場合に、露光時において、パタ−ン
領域外に半透明位相シフト膜を透過した光が照射され、
形状劣化を引き起こすことが考えられるが、パタ−ン領
域外を遮光膜とすることにより、パタ−ン領域外に光が
漏れるのが抑制されるからである。
【００３６】また、図１５に、従来より用いられていた
レベンソン型と本発明（請求項５，６）によるマスクに
関して説明する。図１５の（ａ）はマスク構造、（ｂ）
は振幅分布、（ｃ）は強度分布を示し、左側はレベンソ
ン型の従来例、右側は本発明を示している。なお、図１
５でレベンソン型のマスク構造は本発明で示すマスク構
造で示した。レベンソン型マスクで位相シフト領域の境
界の少なくとも一部が、半透明位相シフトパターン乃至
は遮光膜が互いに近接する２つのエッジからほぼ等距離
に位置するよう配置するようにしたものは従来存在して
いない。
【００３７】レベンソン型マスクは繰り返しパターン開
孔部の交互に位相シフト領域を設けることで、パターン
エッジ部分で負の干渉効果７６１を生じさせるパターン
分離７６３を可能としている。しかし、孤立パターンに
関しては従来、遮光膜のみを用いたマスクで得られた性
能７６３ａしか発揮しない。
【００３８】これに対し本発明では、従来の遮光膜７５
３の代わりに半透明位相シフト膜７５２を用いたこと
で、繰り返しパターンと孤立パターンの両パターンに対
し位相シフト効果を発揮することを可能とした。繰り返
しパターンではレベンソン型で得られる負の干渉効果の
ほか、透明位相シフト領域と半透明位相シフトパターン
間で負の干渉効果７６２が生じ、ウエハ上で遮光パター
ンとして構成されるべき繰り返しパターンのエッジ部分
の光強度７６４をより急峻とすることが可能である。ま
た、孤立パターンでは半透明位相シフトパターンの本来
の効果７６４ａを発揮し、良好な焦点深度を得ることが
可能である。
【００３９】なお、本発明（請求項５，６）では、マス
クに含まれるパターンに対し隣接する相互のパターン間
の相対位相差を１８０°とすることが必要で、この目的
を達成するため位相シフト領域の境界の少なくとも一部
が、半透明位相シフトパターン乃至は遮光膜が互いに近
接する２つのエッジからほぼ等距離に位置するよう配置
するようにした。例えば、透明位相シフト領域と半透明
位相シフトパターンが隣接するものの、これらのパター
ンが積層構造にない場合、即ち隣接する半透明位相シフ
トパターン間の基板を掘り込むことで透明位相シフトパ
ターンを作成した場合には、透明位相シフトパターンと
半透明位相シフトパターン間での位相差は３６０°とな
り位相シフト効果を得ることはできない。
【００４０】次に、本発明（請求項５，６）のマスクに
関する必要事項を詳細に説明する。透光性基板にエッチ
ング等により凹部を形成する。この凹部の深さｔは少な
くとも所望とする相対位相差Δφに対して決まる厚さＴ
以上とする必要がある。ここで厚さＴは、露光波長λに
おける基板の屈折率をｎ１、凹部を埋め込む物質の屈折
率ｎ２、凹部を埋め込んだ後に他の部分との間に生じる
相対位相差をΔφとすると Ｔ＝λ×Δφ／３６０｜ｎ１−ｎ２｜ （式１） と表せる。なお、凹部を埋める物質は空気を初めとする
気体であっても或いは液体であっても構わない。
【００４１】次いで、この凹部を屈折率ｎ２なる物質で
埋める。このとき、埋める高さは少なくともＴ以上であ
る必要がある。ｔとＴの関係は以下の２つのいずれかを
満足せねばならない。
【００４２】 ｔ＞Ｔ （式２） である場合には、屈折率ｎ２なる物質で埋めた後に基板
の露光領域内をｔ−Ｔだけ削ることで、所望の位相差を
満足できる平坦な透光性基板を形成することが可能であ
る。
【００４３】 ｔ＝Ｔ （式３） の場合には、基板の露光領域内で平坦で且つ基板自体削
られることがなければ、削る量をいかなる値にしても構
わない。
【００４４】ここで、最終的に得られた透光性基板が、
基板の露光領域全域で堆積膜が形成され、堆積膜を削る
工程で位相シフト領域と他の領域を透過する光の強度が
等しくなるよう、多重反射を考慮した厚さを残すことで
透過光量差のない露光用マスクを得ることが可能であ
る。
【００４５】なお、屈折率ｎ２の気体或いは液体を凹部
に埋める場合、ｔとｈとの関係は（式３）を満足せねば
ならない。また、この場合露光用マスクの露光装置装着
時における屈折率ｎ２の物質の流出を防ぐため基板表面
を透光性平板で覆う必要がある。ここで用いる平板は透
光性基板と同質のものを用いても良く、他の物質を用い
ても良い。透光性平板に用いる材料としてはＳｉＯ2 ，
Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＦ2，ＣａＦ2 等が挙げられる。
【００４６】なお、本発明で半透明位相シフトパターン
と位相シフト領域で最適な位相環境を得るためには位相
シフト領域の境界の少なくとも一部が、半透明位相シフ
トパターン乃至は遮光膜が互いに近接する２つのエッジ
からほぼ等距離に位置するよう配置することが望まし
い。
【００４７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 （実施例１）この実施例は、ＫｒＦエキシマ露光用マス
クに関するものである。
【００４８】まず、図１（ａ）に示すように、ＳｉＯ2
露光用透明基板１０１上に半透明膜としてＳｉをターゲ
ットとしたスパッタリングにより窒素雰囲気中で、Ｓｉ
に対する窒素の組成をコントロールすることでＳｉＮｘ
膜（半透明膜）１０２を膜厚７５ｎｍで形成した。この
膜の露光光に対する位相差は１８０°、振幅透過率は１
９．６％であった。なお、ｘは組成比である。
【００４９】次いで、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＮ
ｘ膜１０２上にレジスト１０３を膜厚１．０μｍで塗布
した後、塗布性導電膜１０４を膜厚０．２μｍで形成す
る。次いで、図１（ｃ）に示すように、６μＣ／ｃｍ2
で露光を行い、続いて現像処理しレジストパターンを形
成した。その後、このレジストパターンをマスクとし
て、図１（ｄ）に示すように、露出部分の半透明膜１０
２を除去した。さらに、レジスト１０３を剥離し、半透
明位相シフトパターンを形成した。
【００５０】次いで、図１（ｅ）に示すように、得られ
た露光用透明基板に電子線レジスト１０５を膜厚１．０
μｍで塗布した後、透明導電膜（図示せず）を膜厚０．
２μｍで形成した。続いて、６μＣ／ｃｍ2 で露光を行
い、さらに現像処理してレジストパターンを形成した。
【００５１】次いで、図１（ｆ）に示すように、露出し
ているＳｉＯ2 露光用透明基板１０１上に液相中で選択
的にＳｉＯ2 膜（透明膜）１０６を堆積させた。その
後、レジスト１０５を除去して透明位相シフトパターン
を形成した。このときの堆積膜厚は２４８ｎｍで、透明
位相シフトパターンを配置しない部分の位相に対し位相
差が１８０°であった。
【００５２】ここで、ＳＮＲ（シプレー社製）と称され
ているＫｒＦ用レジストを膜厚１．０μｍで用いた露光
により、従来の遮光パターンと０−１８０°位相シフタ
膜で構成されるレベンソン型位相シフトマスクの０．３
μｍパターンで、隣接するパターンが逆位相の場合、焦
点深度１．０μｍが得られており、同位相の場合解像す
るものの寸法精度が得られていなかった。
【００５３】これに対し、本実施例により得られた露光
用マスクを用いて露光したところ、逆位相の部分では焦
点深度１．５μｍが得られ、同位相の部分で焦点深度
０．３μｍが得られるのを確認した。
【００５４】なお、本実施例で半透明位相シフト膜とし
てＳｉＮｘを用いたが、この代わりにシリコン，ゲルマ
ニウム，ガリウムヒ素、チタン，アルミニウム，クロ
ム，スズ，インジウム，ニッケル，コバルト、タンタル
を始めとする金属元素及びこれらの窒化物，酸化物，水
素化物，炭化物，ハロゲン化物或いはこれらの混合体を
用いてもよい。さらに、このときの透過率は目的に応
じ、振幅透過率１０〜３０％の範囲で調整が可能であ
る。
【００５５】なお、透明位相シフト膜の材質もＳｉＯ2
に限るものではなく、ＣａＦ2 ，ＭｇＦ2 など露光光に
対する透過率を９５％以上持つものであれば構わない。
さらに、本実施例で説明したマスク製造方法はＫｒＦの
露光波長に限るものではなく、ｇ線，ｉ線、その他の波
長に用いるマスクについても有効である。 （実施例２）実施例１と同様の手法により透明位相シフ
トパターンのエッジ部分でパターンを形成するための露
光用マスクを作成した。
【００５６】ＳＮＲ（シプレー社製）レジストを膜厚
１．０μｍで用いた露光により、従来の遮光パターンと
０−１８０°位相シフタ膜で構成されるマスクの場合、
透明位相シフトパターンのエッジ部分で形成した０．２
５パターンの焦点深度は１．２μｍであった。また、遮
光部分により形成される０．４μｍパターンの焦点深度
は０．２μｍであった。
【００５７】これに対し、本実施例で作成した半透明位
相シフトパターンと透明位相シフトパターンからなるマ
スクでは、エッジ部分により形成される０．２５μｍパ
ターンの焦点深度は１．２μｍと従来のマスクと変わら
ないが、半透明位相シフトパターンで形成された０．４
μｍのパターンの焦点深度は０．８μｍと飛躍的に増加
した。 （実施例３）この実施例は、ＫｒＦエキシマ露光用マス
クに関するものである。
【００５８】まず、第１の実施例と同様にして、ＳｉＯ
2 露光用透明基板上に半透明膜としてＳｉをターゲット
としたスパッタリングにより窒素雰囲気中で、Ｓｉに対
する窒素の組成をコントロールすることでＳｉＮｘ膜を
膜厚７５ｎｍで形成した。この膜の露光光に対する位相
差は１８０°、振幅透過率は１９．６％であった。
【００５９】この膜にレジストを膜厚１．０μｍで塗布
し、さらに塗布性導電膜膜厚０．２μｍで形成した後、
６μＣ／ｃｍ2 で露光を行い、次いで現像処理してレジ
ストパターンを形成した。このレジストパターンをマス
クとし、露出部分の半透明膜を除去した。さらにレジス
トを剥離し、半透明位相シフトパターンを形成した。次
いで、全面にＳｉＯ2 膜をＣＶＤ法により形成した。
【００６０】得られた露光用透明基板上に電子線レジス
トを膜厚１．０μｍで塗布した後、透明導電膜を膜厚
０．２μｍで形成した後、６μＣ／ｃｍ2 で露光を行
い、次いで現像処理してレジストパターンを形成し、露
出しているＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜をエッチングにより除去
した。次いで、レジストを除去し透明位相シフトパター
ンを形成した。このときの堆積膜厚は２４８ｎｍで、透
明位相シフトパターンを配置しない部分の位相に対し位
相差が１８０°であった。
【００６１】ＳＮＲ（シプレー社製）レジストを膜厚
１．０μｍで用いた露光により、従来の遮光パターンと
０−１８０°位相シフタ膜で構成されるレベンソン型位
相シフトマスクの０．３μｍパターンで、隣接するパタ
ーンが逆位相の場合、焦点深度１．０μｍが得られてお
り、同位相の場合解像するものの寸法精度が得られてい
なかった。
【００６２】これに対し、本実施例の投影露光用マスク
を用いて露光した場合、逆位相の部分では焦点深度１．
５μｍが得られ、また、同位相の部分で焦点深度０．３
μｍが得られ、全体として焦点深度が向上したことを確
認した。
【００６３】なお、本実施例では半透明位相シフト膜と
してＳｉＮｘの他、シリコン，ゲルマニウム，チタン，
アルミニウム，スズ，インジウム，ニッケル，コバルト
を始めとする金属元素及びこれらの窒化物，酸化物，水
素化物，炭化物，ハロゲン化物或いはこれらの混合体に
より作成しても構わない。また、このとき透過率の目的
に応じ、振幅透過率１０〜３０％の範囲で調整が可能で
ある。
【００６４】また、半透明位相シフト膜をスパッタ，蒸
着等で形成しても構わない。また、透明位相シフト膜の
材質もＳｉＯ2 に限るものではなく、ＣａＦ2 ，ＭｇＦ
2 など露光光に対する透過率を９５％以上持つものであ
れば構わない。さらに、本実施例のマスク製造方法は露
光波長ＫｒＦに限るものではなく、ｇ線，ｉ線，Ｋｒ
Ｆ、その他の波長に用いるマスクについても有効であ
る。 （実施例４）この実施例は、ｉ線露光用マスクに関する
ものである。
【００６５】まず、ＳｉＯ2 露光用透明基板上に半透明
膜としてＳｉをターゲットとしたスパッタリングにより
窒素雰囲気中で、Ｓｉに対する窒素の組成をコントロー
ルすることでＳｉＮｙ膜を膜厚６５ｎｍで形成した。こ
の膜の露光光に対する位相差は１８０°、振幅透過率は
１８％であった。
【００６６】この膜に電子線用レジストを膜厚１．０μ
ｍで塗布し、さらに透明導電膜を膜厚０．２μｍで形成
した後、６μＣ／ｃｍ2 で露光を行い、次いで現像処理
してレジストパターンを形成した。このレジストパター
ンをマスクとし、露出部分の半透明膜を除去した。さら
に、レジストを剥離し、半透明位相シフトパターンを形
成した。
【００６７】この露光用透明基板上に電子線レジストを
膜厚１．０μｍで塗布し、さらに塗布性導電膜を膜厚
０．２μｍで形成した後、６μＣ／ｃｍ2 で露光を行
い、次いで現像処理してレジストパターンを形成した。
次いで、露出しているＳｉＯ2 露光用透明基板上に液相
中で選択的にＳｉＯ2 膜を堆積させ、次いでレジストを
除去し透明位相シフトパターンを形成した。このときの
堆積膜厚は４２５ｎｍで、透明位相シフトパターンを配
置しない部分の位相に対し位相差が１８０°であった。
【００６８】ＰＦＲ−ＩＸ５００レジスト（日本合成ゴ
ム社製）を膜厚１．２μｍで用いた露光により、従来の
遮光パターンと０−１８０°位相シフタ膜で構成される
レベンソン型位相シフトマスクの０．３５μｍパターン
で、隣接するパターンが逆位相の場合、焦点深度１．０
μｍが得られており、同位相の場合解像するものの寸法
精度が得られていなかった。
【００６９】これに対し、本実施例の投影露光用マスク
を用いて露光した場合、逆位相の部分では焦点深度１．
０μｍが得られ、また同位相の部分で焦点深度０．６μ
ｍが得られ、全体として焦点深度が向上したことを確認
した。
【００７０】なお、本実施例でも半透明位相シフト膜と
してＳｉＮy を用いているが、シリコン，ゲルマニウ
ム，アルミニウム，クロム，スズ，インジウム，ニッケ
ル，コバルトを始めとする金属元素及びこれらの窒化
物，酸化物，水素化物，炭化物，ハロゲン化物或いはこ
れらの混合体により作成しても構わない。また、このと
きの透過率の目的に応じ、振幅透過率１０〜３０％の範
囲で調整が可能である。
【００７１】また、透明シフト膜の材質もＳｉＯ2 に限
るものではなく、ＣａＦ2 ，ＭｇＦ2 など露光光に対す
る透過率を９５％以上持つものであればよい。さらに、
本実施例用いたマスク製造方法は露光波長ＫｒＦに限る
ものではなく、ｇ線，ｉ線、その他の波長に用いるマス
クについても同様である。 （実施例５）この実施例は、ｉ線露光用マスクに関する
ものである。
【００７２】まず、図７（ａ）に示すように、ＳｉＯ2
露光用透明基板７０１上に、電子線用レジスト７０２を
膜厚０．２μｍで塗布した後、塗布性導電膜７０３を膜
厚０．２μｍで形成した。その後、電子線を用い、６μ
Ｃ／ｃｍ2 で露光を行い、続いて現像処理し、図７
（ｂ）に示すようにレジストパターン７０２ａを形成し
た。その後、このレジストパターン７０２ａをマスクと
して用い、基板の露出部分をＣＦ4 とＯ2 との混合ガス
により異方性エッチングを行った（図７（ｃ））。この
ときのエッチング量は３８８．２ｎｍであり、エッチン
グを行わない部分に対し、位相差１８０°が設けられて
いる。なお、位相差における許容度は、１８０°に対し
±１０°であり、この範囲であればよい。このマスクを
硫酸と過酸化水素水との混合溶液に浸してレジストパタ
−ン７０２ａを除去し、図７（ｄ）に示すように透明位
相シフトパターンを形成した。
【００７３】次に、この透明位相シフトパタ−ンを形成
した基板の表面に、半透明位相シフト膜７０４を形成し
た。即ち、Ｓｉをターゲットとし、微量の窒素雰囲気中
でのスパッタリングにより、図７（ｅ）に示すように、
ＳｉＮy 膜７０４を膜厚６５ｎｍで形成した。
【００７４】次いで、この膜に電子線用レジスト７０５
を膜厚１．０μｍで塗布し、さらに塗布性導電膜７０６
を膜厚０．２μｍで形成した後（図７（ｆ））、６μＣ
／ｃｍ2 で露光を行い、次いで現像処理して，図７
（ｇ）に示すように、レジストパターン７０５ａを形成
した。このレジストパターン７０５ａをマスクとし、露
出部分の半透明位相シフト膜７０４を除去した。その
後、レジストを剥離することにより、図７（ｉ）に示す
ように、半透明位相シフト膜７０４ａを得た。
【００７５】ＰＦＲ−ＩＸ５００レジスト（日本合成ゴ
ム社製）を膜厚１．２μｍで用いた露光により、従来の
遮光パターンと０−１８０°位相シフタ膜で構成される
レベンソン型位相シフトマスクの０．３５μｍパターン
で、隣接するパターンが逆位相の場合、焦点深度１．０
μｍが得られており、同位相の場合解像するものの寸法
精度が得られていなかった。
【００７６】これに対し、本実施例の投影露光用マスク
を用いて露光した場合、逆位相の部分では焦点深度１．
８μｍが得られ、また同位相の部分で焦点深度０．６μ
ｍが得られ、全体として焦点深度が向上したことを確認
した。
【００７７】なお、本実施例でも半透明位相シフト膜と
してＳｉＮy の他に、シリコン，ゲルマニウム，ガリウ
ムヒ素、アルミニウム，クロム，スズ，インジウム，ニ
ッケル，コバルトを始めとする金属元素及びこれらの窒
化物，酸化物，水素化物，炭化物，ハロゲン化物或いは
これらの混合体により作成しても構わない。また、この
ときの透過率の目的に応じ、振幅透過率１０〜３０％の
範囲で調整が可能である。
【００７８】また、透明シフト膜の材質もＳｉＯ2 に限
るものではなく、ＣａＦ，ＭｇＦなど露光光に対する透
過率を９５％以上持つものであればよい。さらに、本実
施例用いたマスク製造方法は露光波長ｉ線に限るもので
はなく、ｇ線，ｈ線、ＫｒＦ線その他の波長に用いるマ
スクについても有効である。 （実施例６）実施例５と同様の手法により透明位相シフ
トパターンのエッジ部分でパターンを形成するための露
光用マスクを作成した。
【００７９】ＰＦＲ−ＩＸ５００レジスト（日本合成ゴ
ム社製）を膜厚１．０μｍで用いた露光により、従来の
遮光パターンと０−１８０°位相シフタ膜で構成される
マスクの場合、透明位相シフトパターンのエッジ部分で
形成した０．２５μｍパタ−ンの焦点深度は１．０μｍ
であった。また、遮光部分により形成される０．４μｍ
パタ−ンの焦点深度は０．２μｍであった。
【００８０】これに対し、本実施例の投影露光用マスク
を用いて露光した場合、エッジ部分で形成した０．２５
μｍパタ−ンの焦点深度は１．０μｍと従来のマスクと
変わらないが、半透明位相シフト膜で形成された０．４
μｍパタ−ンの焦点深度は、１．０μｍと飛躍的に増加
した。
【００８１】なお、本実施例用いたマスク製造方法は露
光波長ｉ線に限るものではなく、ｇ線，ｈ線、ＫｒＦ線
その他の波長に用いるマスクについても有効である。 （実施例７）この実施例は、ＫｒＦレ−ザ露光用マスク
に関するものである。
【００８２】まず、図８（ａ）に示すように、ＳｉＯ2
露光用透明基板８０１上に、Ａｌ2Ｏ3 膜８０２を４１
０ｎｍの膜厚で形成した。この上に電子線用レジスト８
０３を膜厚１．０μｍで塗布した後、図８（ｂ）に示す
ように、塗布性導電膜８０４を膜厚０．２μｍで形成し
た。この膜を電子線を用い、６μＣ／ｃｍ2 で露光を行
い、続いて現像処理し、図８（ｃ）に示すように、レジ
ストパターン８０３ａを形成した。その後、このレジス
トパターン８０３ａをマスクとして用い、基板の露出部
分をＣｌ2 ガスにより異方性エッチングを行った（図８
（ｄ））。その後、レジストパターン８０３ａをＯ2 プ
ラズマに晒して除去し、図８（ｅ）に示すように、エッ
チングを行わない部分に対し位相差１８０°の透明位相
シフトパターン８０２ａを形成した。
【００８３】次に、この透明位相シフトパタ−ン８０２
ａを形成した基板の表面に、半透明位相シフト膜８０５
を形成した。即ち、Ｓｉをターゲットとし、微量の窒素
雰囲気中でのスパッタリングにより、図８（ｆ）に示す
ように、ＳｉＮx 膜８０５を膜厚８５ｎｍで形成した。
【００８４】次いで、この膜に電子線用レジスト８０６
を膜厚１．０μｍで塗布し、さらに塗布性導電膜８０７
を膜厚０．２μｍで形成した後（図８（ｇ））、この膜
を電子線により６μＣ／ｃｍ2 で露光を行い、次いで現
像処理して，図８（ｈ）に示すように、レジストパター
ン８０６ａを形成した。このレジストパターン８０６ａ
をマスクとし、ＣＦ4 ガスを用いた異方性エッチングに
より露出部分の半透明位相シフト膜８０５を除去した
（図８（ｉ））。その後、レジストを剥離することによ
り、図８（ｊ）に示すように、半透明位相シフト膜８０
５ａを得た。
【００８５】ＳＮＲレジスト（シプレ−社製）を膜厚
１．０μｍで用いた露光により、従来の遮光パターンと
０−１８０°位相シフタ膜で構成されるレベンソン型位
相シフトマスクの０．３μｍパターンで、隣接するパタ
ーンが逆位相の場合、焦点深度１．５μｍが得られてお
り、同位相の場合解像するものの寸法精度が得られてい
なかった。
【００８６】これに対し、本実施例の投影露光用マスク
を用いて露光した場合、逆位相の部分では焦点深度１．
８μｍが得られ、また同位相の部分で焦点深度０．３μ
ｍが得られ、全体として焦点深度が向上したことを確認
した。
【００８７】なお、本実施例でも半透明位相シフト膜と
してＳｉＮｘの他に、シリコン，ゲルマニウム，ガリウ
ムヒ素、アルミニウム，クロム，スズ，インジウム，ニ
ッケル，コバルトを始めとする金属元素及びこれらの窒
化物，酸化物，水素化物，炭化物，ハロゲン化物或いは
これらの混合体により作成しても構わない。また、この
ときの透過率の目的に応じ、振幅透過率１０〜３０％の
範囲で調整が可能である。
【００８８】また、透明シフト膜の材質もＡｌ2 Ｏ3 に
限るものではなく、ＣａＦ，ＭｇＦなどを用いてもよ
い。さらに、本実施例で用いたマスク製造方法は、露光
波長ＫｒＦ線に限るものではなく、ｇ線，ｉ線、ｈ線、
その他の波長に用いるマスクについても有効である。 （実施例８）実施例７と同様の手法により透明位相シフ
トパターンのエッジ部分でパターンを形成するための露
光用マスクを作成した。
【００８９】ＳＮＲレジスト（シプレ−社製）を膜厚
１．０μｍで用いた露光により、従来の遮光パターンと
０−１８０°位相シフタ膜で構成されるマスクの場合、
透明位相シフトパターンのエッジ部分で形成した０．２
５μｍパタ−ンの焦点深度は１．２μｍであった。ま
た、遮光部分により形成される０．４μｍパタ−ンの焦
点深度は０．２μｍであった。
【００９０】これに対し、本実施例の投影露光用マスク
を用いて露光した場合、エッジ部分で形成した０．２５
μｍパタ−ンの焦点深度は１．２μｍと従来のマスクと
変わらないが、半透明位相シフト膜で形成された０．４
μｍパタ−ンの焦点深度は、１．５μｍと飛躍的に増加
した。
【００９１】なお、本実施例用いたマスク製造方法は露
光波長ＫｒＦ線に限るものではなく、ｇ線，ｉ線、ｈ
線、その他の波長に用いるマスクについても有効であ
る。 （実施例９）この実施例は、ｉ線露光用マスクに関する
ものである。
【００９２】まず、図９（ａ）に示すように、ＳｉＯ2
露光用透明基板９０１上に、電子線用レジスト９０２を
膜厚０．１μｍで塗布した後、塗布性導電膜９０３を膜
厚０．２μｍで形成した。その後、電子線を用い、６μ
Ｃ／ｃｍ2 で露光を行い、続いて現像処理し、図９
（ｂ）に示すようにレジストパターン９０２ａを形成し
た。その後、このレジストパターン９０２ａをマスクと
して用い、基板の露出部分にＳｉＯ2 の選択成長を行っ
た。このときの成膜量は４１０ｎｍであり、選択成長を
行わない部分に対し、位相差１８０°が設けられてい
る。なお、位相差における許容度は、１８０°に対し±
１０°であり、この範囲であればよい。
【００９３】このマスクを硫酸と過酸化水素水との混合
溶液に浸してレジストパタ−ン９０２ａを除去し、図９
（ｄ）に示すようにＳｉＯ2 からなる透明位相シフトパ
ターン９０４を形成した。
【００９４】次に、この透明位相シフトパタ−ンを形成
した基板の表面に、半透明位相シフト膜９０４を形成し
た。即ち、Ｓｉをターゲットとし、微量の窒素雰囲気中
でのスパッタリングにより、図９（ｅ）に示すように、
ＳｉＮy 膜９０４を膜厚８５ｎｍで形成した。
【００９５】次いで、この膜に電子線用レジスト９０６
を膜厚１．０μｍで塗布し、さらに塗布性導電膜９０７
を膜厚０．２μｍで形成した後（図９（ｆ））、電子線
を用い６μＣ／ｃｍ2 で露光を行い、次いで現像処理し
て，図９（ｇ）に示すように、レジストパターン９０６
ａを形成した。このレジストパターン９０６ａをマスク
とし、露出部分の半透明位相シフト膜９０４を除去し
た。その後、レジストを剥離することにより、図９
（ｉ）に示すように、半透明位相シフト膜９０５ａを得
た。
【００９６】ＰＦＲ−ＩＸ５００レジスト（日本合成ゴ
ム社製）を膜厚１．２μｍで用いた露光により、従来の
遮光パターンと０−１８０°位相シフタ膜で構成される
レベンソン型位相シフトマスクの０．３５μｍパターン
で、隣接するパターンが逆位相の場合、焦点深度１．０
μｍが得られており、同位相の場合解像するものの寸法
精度が得られていなかった。
【００９７】これに対し、本実施例の投影露光用マスク
を用いて露光した場合、逆位相の部分では焦点深度１．
８μｍが得られ、また同位相の部分で焦点深度０．６μ
ｍが得られ、全体として焦点深度が向上したことを確認
した。
【００９８】なお、本実施例でも半透明位相シフト膜と
してＳｉＮy の他に、シリコン，ゲルマニウム，ガリウ
ムヒ素、アルミニウム，クロム，スズ，インジウム，ニ
ッケル，コバルトを始めとする金属元素及びこれらの窒
化物，酸化物，水素化物，炭化物，ハロゲン化物或いは
これらの混合体により作成しても構わない。また、この
ときの透過率の目的に応じ、振幅透過率１０〜３０％の
範囲で調整が可能である。
【００９９】また、透明シフト膜の材質もＳｉＯ2 に限
るものではなく、ＣａＦ，ＭｇＦ，Ａｌ2 Ｏ3 などを用
いてもよい。さらに、本実施例で用いたマスク製造方法
は、露光波長ｉ線に限るものではなく、ｇ線，ｈ線、Ｋ
ｒＦ線その他の波長に用いるマスクについても有効であ
る。 （実施例１０）実施例９と同様の手法により透明位相シ
フトパターンのエッジ部分でパターンを形成するための
露光用マスクを作成した。
【０１００】ＰＦＲ−ＩＸ５００レジスト（日本合成ゴ
ム社製）を膜厚１．０μｍで用いた露光により、従来の
遮光パターンと０−１８０°位相シフタ膜で構成される
マスクの場合、透明位相シフトパターンのエッジ部分で
形成した０．２５μｍパタ−ンの焦点深度は１．０μｍ
であった。また、遮光部分により形成される０．４μｍ
パタ−ンの焦点深度は０．２μｍであった。
【０１０１】これに対し、本実施例の投影露光用マスク
を用いて露光した場合、エッジ部分で形成した０．２５
μｍパタ−ンの焦点深度は１．０μｍと従来のマスクと
変わらないが、半透明位相シフト膜で形成された０．４
μｍパタ−ンの焦点深度は、１．０μｍと飛躍的に増加
した。
【０１０２】なお、本実施例用いたマスク製造方法は露
光波長ｉ線に限るものではなく、ｇ線，ｈ線、ＫｒＦ線
その他の波長に用いるマスクについても有効である。次
に、本発明の第１１〜第１５の実施例について説明す
る。これらの実施例は、第５〜第１０の実施例における
レジストパターンの寸法精度の向上をはかったものであ
る。即ち、段差に形成されたレジスト層（ポジ型）に対
し露光を行うと、段差下部では露光が不十分となるた
め、形成される半透明位相シフトパターンは所望寸法よ
り細く解像される。これを、以下の実施例では、透光性
基板表面を平坦化することにより解決している。 （実施例１１）本実施例は、水銀ランプのｇ線を露光光
源とし、隣接する開孔部間、及び隣接する開孔部と半透
明部間で負の干渉効果を持たせる位相シフトマスクに関
するものである。
【０１０３】まず、図１０（ａ）に示すように、石英基
板上７１１に電子線用レジスト７１２を膜厚５００ｎｍ
で塗布し、さらにこの上に塗布性導電膜７１３を膜厚２
００ｎｍで形成した。これを電子線により描画し現像す
ることで、図１０（ｂ）に示すようにレジストパターン
７１２ａを形成した。次いで、レジストパターン７１２
ａをマスクとしてＣＦ4 ガスによる異方性エッチングを
行い、図１０（ｃ）に示すように、石英基板を部分的に
掘込み位相シフト領域７１１ａを作成した。次いで、図
１０（ｄ）に示すように、レジストパターン７１２ａを
除去した。
【０１０４】ここで、位相シフト領域の深さは基板の屈
折率及び後に成膜する位相シフト部材の屈折率を考慮
し、この位相シフト部材と石英基板の掘込んでない領域
とを透過する光の位相差が１８０°となるように調整す
る必要がある。本実施例では、位相シフト部材としてＳ
ｉ3 Ｎ4 を用いており、Ｓｉ3 Ｎ4 の屈折率２．０６を
考慮し、位相シフト領域の深さを３６６．４ｎｍとし
た。
【０１０５】次いで、図１１（ａ）に示すように、少な
くとも石英基板を掘込んだ部分に、透明位相シフト層と
してのＳｉ3 Ｎ4 膜７１４を膜厚約４００ｎｍで成膜し
た。なお、成膜時の膜厚は透明位相シフト領域として掘
込んだ深さ以上、即ち本実施例においては３６６．４ｎ
ｍ以上であれば構わない。成膜後、図１１（ｂ）に示す
ように、基板全面を研磨することにより平坦化を行っ
た。これにより、透明位相シフト領域に位相シフトパタ
ーンを形成した。
【０１０６】次いで、図１１（ｃ）に示すように、この
平坦化した基板上に半透明位相シフト膜としてアモルフ
ァスシリコン膜７１５を膜厚６．１ｎｍで形成した。こ
のアモルファスシリコン膜は、この膜を配していない領
域との位相差を１８０°とし且つ振幅透過率を１５％と
なるように調整した。
【０１０７】次いで、図１１（ｄ）に示すように、この
基板に電子線レジスト７１６を膜厚５００ｎｍで形成
し、更に塗布性導電膜７１７を膜厚２００ｎｍで形成し
た。次いで、電子線を用い位相シフトパターンに対する
位置合わせ露光を行い、更に現像を行い、図１１（ｅ）
に示すようなレジストパターン７１６ａを形成した。
【０１０８】次いで、図１１（ｆ）に示すように、この
レジストパターン７１６ａをマスクに露出しているアモ
ルファスシリコン膜をエッチングにより除去し、半透明
位相シフトパターン７１５ａを形成した。最後に、電子
線レジストを剥離し、図１１（ｇ）に示すような寸法制
御性の良い所望の露光用マスクを作成した。
【０１０９】本実施例のマスクを用い、ｇ線用ポジレジ
ストを膜厚１．２μｍで用いたｇ線露光により、０．４
５μｍの繰り返しパターンで、透明位相シフト領域に対
応し交互に存在する部分では焦点深度１．２μｍが得ら
れ、また透光性基板内に位相シフト領域が存在せず、半
透明位相シフトパターンのみで形成される０．４５μｍ
孤立パターンで焦点深度０．５μｍが得られた。
【０１１０】なお、本実施例では透光性基板に石英を用
いたがＡｌ2 Ｏ3 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 等を主成分とす
る基板を用いても構わない。また、本実施例では位相シ
フト部材としてＳｉ3 Ｎ4 を用いたが、基板と屈折率が
異なる物質で消衰係数が基板を構成する物質とほぼ等し
ければ、いかなる材料を用いても構わない。さらに、本
実施例では基板の平坦化を研磨により行ったが、位相シ
フト部材を成膜した後流動性樹脂を塗布し、平坦とし、
この位相シフト部材と樹脂の積層膜を、位相シフト部材
と樹脂のエッチング速度を等しく保ちながら除去するこ
とで位相シフト部材の平坦膜を形成しても構わない。
【０１１１】また、本実施例では半透明位相シフト材料
としてアモルファスシリコンを用いたが、この代わりに
酸化ゲルマニウム，酸化ガリウムアルセナイド等を用い
ても構わない。さらに、本実施例ではマスクパターン形
成に際し、電子線レジストを用い電子線描画を行った
が、フォトレジストを用い光露光によりマスクパターン
を形成しても構わない。 （実施例１２）実施例１１と同様の手法により透明位相
シフトパターンのエッジ部分でパターンを形成する為の
マスクを作成した。図１２はマスクの構成図である。図
１２中、７２１は透光性マスク基板、７２１ａは透明位
相シフト領域、７２２は半透明位相シフト領域である。
【０１１２】ＰＦＲＩＸ−５００レジスト（日本合成ゴ
ム社製）を膜厚１．０μｍで用いた露光により、従来の
透明位相シフト領域のエッジ部分で形成した０．２５μ
ｍパターンの焦点深度は１．０μｍであった。また、半
透明位相シフト膜で形成された０．４μｍパターンの焦
点深度は１．０μｍであった。
【０１１３】また、実施例に用いたマスク製造方法は露
光波長ｉ線に限るものではなく、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦ線
その他の波長に用いるマスクについても有効である。 （実施例１３）本実施例は、水銀ランプのｉ線を露光光
源とし、隣接する開孔部間及び隣接する開孔部と半透明
部間で負の干渉効果を持たせる位相シフトマスクに関す
るものである。
【０１１４】石英基板７３１の表面に凹パターンを形成
するまでは、図１０（ａ）〜（ｄ）と同様である。但
し、本実施例では位相シフト部材としてＳｉＮy を用い
ており、ＳｉＮy の屈折率２．０８を考慮し位相シフト
領域の深さを３０１．７ｎｍとした。
【０１１５】次いで、図１３（ａ）に示すように、少な
くとも石英基板を掘込んだ部分に、透光性位相シフト層
としてのＳｉ3 Ｎ4 膜７３４を膜厚約３５０ｎｍで成膜
した。なお、成膜時の膜厚は位相シフト領域として掘込
んだ深さ以上、即ち本実施例においては３０１．７ｎｍ
以上であれば構わない。次いで、図１３（ｂ）に示すよ
うに、流動性樹脂７３５を塗布して平坦とした後、位相
シフト部材と樹脂のエッチング速度を等しく保ちながら
除去することで、図１３（ｃ）に示すように位相シフト
部材の平坦膜７３４ａを形成した。
【０１１６】次いで、図１３（ｄ）に示すように、この
平坦化した基板上に半透明位相シフト膜７３６としてＳ
ｉＮy 膜を膜厚９０ｎｍで形成した。このＳｉＮy 膜
は、この膜を配していない領域との位相差を１８０°と
し且つ振幅透過率を２２％となるように調整した。
【０１１７】次いで、図１３（ｅ）に示すように、この
基板に電子線レジスト７３７を膜厚５００ｎｍで形成
し、更に塗布性導電膜７３８を膜厚２００ｎｍで形成し
た。次いで、図１３（ｆ）に示すように、電子線を用い
位相シフトパターンに対する位置合わせ露光を行い、更
に現像を行いレジストパターン７３７ａを形成した。
【０１１８】次いで、図１３（ｇ）に示すように、この
レジストパターン７３７ａをマスクに露出しているＳｉ
Ｎy 膜をエッチングにより除去し、半透明位相シフトパ
ターン７３６ａを形成した。最後に、図１３（ｈ）に示
すように、レジストパターン７３７ａを除去し寸法制御
性の良い所望の露光用マスクを作成した。
【０１１９】本実施例マスクを用い、ＰＦＲ−ＩＸ５０
０レジスト（日本合成ゴム社製）を膜厚１．２μｍで用
いたｉ線露光により、０．３５μｍの繰り返しパターン
で、透明位相シフト領域に対応し交互に存在する部分で
は焦点深度１．３μｍが得られ、また透光性基板内に位
相シフト領域が存在せず、半透明位相シフトパターンの
みで形成される０．３５μｍ孤立パターンで焦点深度
０．６μｍが得られた。
【０１２０】なお、本実施例においても、第１１の実施
例と同様に、透光性基板，位相シフト部材，平坦化方法
等に関して、種々の変形が可能である。さらに、本実施
例では半透明位相シフト材料にＳｉＮy 膜を用いたが、
元素組成比が制御された酸化硅素、酸化チタン、酸化ク
ロム等を初めとしたシリコン、ゲルマニウム、ガリウム
砒素、金属元素の酸化物、窒化物、水素化物、炭化物、
ハロゲン化物或いはこれらの混合物を用いても構わな
い。 （実施例１４）本実施例は、ＫｒＦエキシマレーザを露
光光源とし、隣接する開孔部間及び隣接する開孔部と半
透明部間で負の干渉効果を持たせる位相シフトマスクに
関するものである。
【０１２１】石英基板上に電子線用レジストを膜厚５０
０ｎｍで塗布し、更にこの上に塗布性導電膜を膜厚２０
０ｎｍで形成した。これを電子線により描画し現像する
ことでレジストパターンを形成した。このレジストパタ
ーンをマスクとしてＣＦ4 ガスによる異方性エッチング
を行い石英基板を部分的に掘込み位相シフト領域を作成
した。この位相シフト領域の深さは基板の屈折率及び後
に成膜する位相シフト部材の屈折率を考慮し、この位相
シフト部材と石英基板の掘込んでない領域とを透過する
光の位相差が１８０°となるように調整する必要があ
る。
【０１２２】本実施例では位相シフト部材としてＡｌ2
Ｏ3 を用いており、Ａｌ2 Ｏ3 の露光光源ＫｒＦエキシ
マレーザの２４８ｎｍにおける屈折率１．７４を考慮し
位相シフト領域の深さを４９６ｎｍとした。
【０１２３】次いで、少なくとも石英基板を掘込んだ部
分にＡｌ2 Ｏ3 を膜厚約５００ｎｍで成膜した。なお、
成膜時の膜厚は位相シフト領域として掘込んだ深さ以
上、即ち本実施例においては４９６ｎｍ以上であれば構
わない。成膜後、この基板全面を研磨することにより平
坦化を行った。これにより位相シフト領域に位相シフト
パターンを形成した。
【０１２４】この平坦化した基板上に半透明位相シフト
膜としてＳｉＮx 膜を膜厚１００ｎｍで形成した。この
ＳｉＮx 膜は、この膜を配していない領域との位相差を
１８０°とし且つ振幅透過率を２２％となるように調整
した。
【０１２５】この基板に電子線レジストを膜厚５００ｎ
ｍで形成した。次いで電子線を用い位相シフトパターン
に対する位置合わせ露光を行い更に現像を行いレジスト
パターンを形成した。このレジストパターンをマスクに
露出しているＳｉＮx 膜をエッチングにより除去し半透
明位相シフトパターンを形成した。最後に電子線レジス
トを除去し寸法制御性の良い所望の露光用マスクを得る
ことができた。
【０１２６】本実施例マスクを用い、ＳＮＲレジスト
（シプレー社製）を膜厚１．０μｍで用いたＫｒＦ露光
により、０．３μｍ繰り返しパターンで、透明位相シフ
ト領域が交互に存在する部分では焦点深度１．６μｍが
得られた。また、透光性基板内に位相シフト領域が存在
せず、半透明位相シフトパターンのみで形成される０．
３μｍ孤立パターンで焦点深度０．３μｍが得られた。
【０１２７】なお、本実施例においても第１１の実施例
と同様に、透光性基板，位相シフト部材，平坦化方法等
に関して、種々の変形が可能である。さらに、本実施例
では半透明位相シフト材料にＳｉＮx を用いたが、元素
組成比が制御された酸化硅素、酸化チタン、酸化クロム
等を初めとしたシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒
素、金属元素の酸化物、窒化物、水素化物、炭化物、ハ
ロゲン化物或いはこれらの混合物を用いても構わない。 （実施例１５）本実施例は、ＡｒＦエキシマレーザを露
光光源とし、隣接する開孔部間及び隣接する開孔部と半
透明部間で負の干渉効果を持たせる位相シフトマスクに
関するものである。
【０１２８】石英基板７４１の表面に凹パターンを形成
するまでは、図１０（ａ）〜（ｄ）と同様である。但
し、本実施例では位相シフト部材としてＮ2 を用いてお
り、Ｎ2 の屈折率１．０を考慮し位相シフト領域の深さ
を１３８ｎｍとした。
【０１２９】次いで、図１４（ａ）に示すように、Ｎ2
雰囲気中で、透光性基板と同一材料からなる透光性平板
７４５を透光性基板上に接合した。７４４はＮ2 が封じ
られた領域を示す。
【０１３０】次いで、図１４（ｂ）に示すように、この
平坦化した基板上に半透明位相シフト膜７４６としてＳ
ｉＯz 膜を膜厚１７５ｎｍで形成した。このＳｉＯz 膜
は、この膜を配していない領域との位相差を１８０°と
し且つ振幅透過率を２１％となるように調整した。
【０１３１】次いで、図１４（ｃ）に示すように、この
基板に電子線レジスト７４７を膜厚５００ｎｍで形成
し、更にこの上に塗布性導電膜７４８を膜厚２００ｎｍ
で形成した。次いで、図１４（ｄ）に示すように、電子
線を用い位相シフトパターンに対する位置合わせ露光を
行い更に現像を行いレジストパターン７４７ａを形成し
た。
【０１３２】次いで、図１４（ｅ）に示すように、この
レジストパターンをマスクに露出しているＳｉＯz 膜を
エッチングにより除去し半透明位相シフトパターン７４
６ａを形成した。最後に、図１４（ｆ）に示すように、
電子線レジストを除去し寸法制御性の良い所望の露光用
マスクを得た。
【０１３３】本実施例マスクを用い、ＰＭＭＡレジスト
を膜厚０．２μｍで用いたＡｒＦ露光により、０．２０
μｍ繰り返しパターンで、透明位相シフト領域が交互に
存在する部分では焦点深度１．４μｍが得られた。ま
た、透光性基板内に位相シフト領域が存在せず、半透明
位相シフトパターンのみで形成される０．２μｍ孤立パ
ターンで焦点深度０．３μｍが得られた。
【０１３４】なお、本実施例ではマスクパターン形成に
際し、電子線レジストを用い電子線描画を行ったが、フ
ォトレジストを用い光露光によりマスクパターンを形成
しても構わない。また、本実施例では透光性基板に石英
を用いたが、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 等を主成
分とする基板を用いても構わない。また、本実施例では
位相シフト部材としてＮ2 を用いたが、基板と屈折率が
異なる物質で消衰係数が基板を構成する物質とほぼ等し
ければ、いかなる材料を用いても構わない。
【０１３５】また、本実施例では透光性平板として透光
性基板と同質のものを用いたが、他の組成からなる透光
性平板を用いても構わない。また透光性平板が若干の吸
収を有しても構わない。また、本実施例では半透明位相
シフト材料にＳｉＯz 膜を用いたが、元素組成比が制御
された酸化硅素、酸化チタン，酸化クロム等を初めとし
たシリコン，ゲルマニウム，ガリウム砒素、金属元素の
酸化物，窒化物，水素化物，炭化物，ハロゲン化物或い
はこれらの混合物を用いても構わない。なお、ＳｉＯZ
のｚは１．０≦ｚ≦１．９の範囲が望ましい。
【０１３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ベンソン型位相シフトマスクで従来より用いている遮光
パターンの代わりに半透明位相シフトパターンを用い、
これと透明位相シフトパターンを組み合わせることで、
より高精度のパターン形成を可能とした。また、半透明
位相シフトパターンを透明位相シフトパターンの上に積
層することにより、より高精度のパタ−ンの形成を可能
とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係わる露光用マスクの
製造工程を示す断面図。
【図２】従来のレベンソン型マスクの構造，光振幅分
布，光強度分布を示す図。
【図３】本発明により作成した半透明を含むレベンソン
型マスクの構造，光振幅分布，光強度分布を示す図。
【図４】本発明に当てはまらない場合の半透明を含むレ
ベンソン型マスクの構造，光振幅分布，光強度分布を示
す図。
【図５】本発明により作成した半透明を含むレベンソン
型マスクの構造，光振幅分布，光強度分布を示す図。
【図６】本発明により作成した半透明を含む更に改良さ
れたレベンソン型マスクの構造，光振幅分布，光強度分
布を示す図。
【図７】第５の実施例に係わる露光用マスクの製造工程
を示す断面図。
【図８】第７の実施例に係わる露光用マスクの製造工程
を示す断面図。
【図９】第９の実施例に係わる露光用マスクの製造工程
を示す断面図。
【図１０】第１０の実施例に係わる露光用マスクの製造
工程の前半を示す断面図。
【図１１】第１０の実施例に係わる露光用マスクの製造
工程の後半を示す断面図。
【図１２】第１２の実施例に用いられるマスクの例を示
す図。
【図１３】第１３の実施例に係わる露光用マスクの製造
工程を示す断面図。
【図１４】第１５の実施例に係わる露光用マスクの製造
工程を示す断面図。
【図１５】レベンソン型と本発明の原理図。
【図１６】位相シフタを配置したパターンと配置しない
パターンの配置例を示す模式図。
【符号の説明】
101,201,301,401,701,711,731,741,751,801,901 …透明
露光用基板 102,302,402,704,715,736,746,752,805,905 …半透明位
相シフトパターン 103,105,702,705,712,716,737,747,803,806,902,906 …
電子線用レジスト 104,703,706,713,738,748,804,807,903,907 …導電膜 106,203,303,403,714,734,802,802a,904…透明位相シフ
トパターン ２０２…遮光パターン ３１１…透明基板の光位相（原点） ３１２…透明基板に対する半透明位相シフトパターンの
位相 ３１３…透明基板に対する透明位相シフトパターンの位
相 ３１４…透明基板に対する２種の位相シフトパターン足
し合わせた位相 ７４５…透明平板

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】透光性基板上にマスクパターンを形成した
    露光用マスクにおいて、 前記マスクパターンとして、露光光に対する光路長が前
    記透光性基板の透明部分とは所定量だけ異なるように構
    成された半透明位相シフトパターンと、透明位相シフト
    パターンとを含むことを特徴とする露光用マスク。
  2. 【請求項２】透光性基板上にマスクパターンを配置して
    構成された露光用マスクにおいて、 前記マスクパターンとして、非露光領域に相当する前記
    透光性基板上の領域に露光光に対する光路長が該透光性
    基板の透明部分とは所定量だけ異なる半透明位相シフト
    パターンを形成し、露光領域に相当する前記透光性基板
    上の領域に透明位相シフトパターンを選択的に形成して
    なることを特徴とする露光用マスク。
  3. 【請求項３】前記透明位相シフトパターンと半透明位相
    シフトパターンとの隣接領域において、これらのパター
    ンが積層構造となっていることを特徴とする請求項１又
    は２に記載の露光用マスク。
  4. 【請求項４】前記透明位相シフトパターンの境界領域を
    含む部分に、前記半透明位相シフトパターンが形成され
    てなることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光用
    マスク。
  5. 【請求項５】露光波長に対して透明な透光性基板と、こ
    の透光性基板の表面又は内部に、露光波長に対し該基板
    とは異なる屈折率を有する物質を埋込んで形成され、且
    つ前記透光性基板表面を平坦化するよう形成された透明
    位相シフト領域と、前記透光性基板の平坦化された表面
    上で、前記透明位相シフト領域の境界を含む部分に形成
    された半透明位相シフトパターンとを具備してなること
    を特徴とする露光用マスク。
  6. 【請求項６】露光波長に対して透明な透光性基板と、こ
    の透光性基板の表面を部分的に掘り込んで形成され、基
    板部分とは露光波長に対する光路長が異なる透明位相シ
    フト領域と、前記透明位相シフト領域を塞ぐように前記
    基板上に形成された透光性平板と、この透光性平板上の
    前記位相シフト領域の境界を含む部分に形成された半透
    明位相シフトパターンとを具備してなることを特徴とす
    る露光用マスク。
JP12281593A 1992-07-17 1993-05-25 露光用マスク Expired - Fee Related JP3204798B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12281593A JP3204798B2 (ja) 1992-07-17 1993-05-25 露光用マスク
US08/091,357 US5409789A (en) 1992-07-17 1993-07-15 Exposure mask comprising translucent and transparent phase shifters
KR1019930013408A KR0139762B1 (ko) 1992-07-17 1993-07-16 노광용 마스크
US08/377,249 US5536604A (en) 1992-07-17 1995-01-24 Exposure mask
US08/477,594 US5631109A (en) 1992-07-17 1995-06-07 Exposure mask comprising transparent and translucent phase shift patterns

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4-191065 1992-07-17
JP19106592 1992-07-17
JP25677992 1992-09-25
JP4-256779 1992-09-25
JP12281593A JP3204798B2 (ja) 1992-07-17 1993-05-25 露光用マスク

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06161091A true JPH06161091A (ja) 1994-06-07
JP3204798B2 JP3204798B2 (ja) 2001-09-04

Family

ID=27314525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12281593A Expired - Fee Related JP3204798B2 (ja) 1992-07-17 1993-05-25 露光用マスク

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5409789A (ja)
JP (1) JP3204798B2 (ja)
KR (1) KR0139762B1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005345920A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 位相シフトマスクおよびその製造方法
JP2020154338A (ja) * 2015-09-26 2020-09-24 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び表示装置の製造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5604060A (en) * 1993-08-31 1997-02-18 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Halftone phase shift photomask comprising a single layer of halftone light blocking and phase shifting
KR970009825B1 (ko) * 1993-12-31 1997-06-18 현대전자산업 주식회사 하프톤형 위상반전 마스크 및 그 제조 방법
KR0128827B1 (ko) * 1993-12-31 1998-04-07 김주용 위상반전마스크 제조방법
KR970005675B1 (en) * 1994-01-19 1997-04-18 Hyundai Electronics Ind Fabrication method of phase shift mask
KR0143707B1 (ko) * 1994-06-23 1998-08-17 김주용 마스크 가장자리에서 투과되는 광의 강도를 보상하기 위한 위상반전 마스크
JPH08314116A (ja) * 1995-03-15 1996-11-29 Toshiba Corp 露光用マスク及びその製造方法
JPH08279452A (ja) * 1995-03-16 1996-10-22 Lg Semicon Co Ltd 位相シフトマスクの製造方法
KR0152952B1 (ko) * 1995-05-13 1998-10-01 문정환 위상반전 마스크 및 그 제조방법
US5635315A (en) * 1995-06-21 1997-06-03 Hoya Corporation Phase shift mask and phase shift mask blank
US5786114A (en) * 1997-01-10 1998-07-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Attenuated phase shift mask with halftone boundary regions
JP3417798B2 (ja) * 1997-05-19 2003-06-16 株式会社東芝 露光用マスク
US6150072A (en) * 1997-08-22 2000-11-21 Siemens Microelectronics, Inc. Method of manufacturing a shallow trench isolation structure for a semiconductor device
US6297166B1 (en) 1999-04-22 2001-10-02 International Business Machines Corporation Method for modifying nested to isolated offsets
DE10136291B4 (de) * 2001-07-25 2008-05-08 Qimonda Ag Photolithographische Maske
DE10156143B4 (de) * 2001-11-15 2007-01-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von photolithographischen Masken
DE10307545A1 (de) * 2002-02-22 2003-11-06 Hoya Corp Zuschnitt für halbtonartige Phasenverschiebungsmaske und zugehörige Phasenverschiebungsmaske
US7645543B2 (en) * 2002-10-15 2010-01-12 Polyplus Battery Company Active metal/aqueous electrochemical cells and systems
US7022436B2 (en) * 2003-01-14 2006-04-04 Asml Netherlands B.V. Embedded etch stop for phase shift masks and planar phase shift masks to reduce topography induced and wave guide effects
KR100772784B1 (ko) * 2005-12-30 2007-11-01 주식회사 하이닉스반도체 이유브이 노광 공정용 위상반전 마스크 및 그 제조 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0395425B1 (en) * 1989-04-28 1996-10-16 Fujitsu Limited Mask, mask producing method and pattern forming method using mask
JP2946567B2 (ja) * 1989-11-15 1999-09-06 ソニー株式会社 メモリ半導体構造及び位相シフトマスク
JPH0476550A (ja) * 1990-07-18 1992-03-11 Oki Electric Ind Co Ltd ホトマスク及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005345920A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 位相シフトマスクおよびその製造方法
JP4582574B2 (ja) * 2004-06-04 2010-11-17 シャープ株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法
JP2020154338A (ja) * 2015-09-26 2020-09-24 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR940006194A (ko) 1994-03-23
KR0139762B1 (ko) 1998-07-15
JP3204798B2 (ja) 2001-09-04
US5409789A (en) 1995-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3204798B2 (ja) 露光用マスク
KR100484262B1 (ko) 위상전이마스크및위상전이마스크블랭크
US5536604A (en) Exposure mask
US5418095A (en) Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process
JP3417798B2 (ja) 露光用マスク
JP3359982B2 (ja) 位相反転マスク及びその製造方法
US5631109A (en) Exposure mask comprising transparent and translucent phase shift patterns
JPH07306524A (ja) フォトマスク及びその製造方法
KR0152267B1 (ko) 노광마스크
US6326107B1 (en) Phase shift mask and process for manufacturing the same
EP1361478B1 (en) Method of manufacturing phase shift mask and phase shift mask
JPH07253649A (ja) 露光用マスク及び投影露光方法
JPH0961987A (ja) 位相シフト露光マスク及びその製造方法
KR0135149B1 (ko) 위상반전 마스크의 제조방법
EP0567419A2 (en) A shifter-based rim phase shifting structure and process to fabricate the same
JP3110855B2 (ja) 投影露光用基板の製造方法とこの基板を用いたパターン形成方法
KR100217711B1 (ko) 셀프얼라인 위상시프트마스크의 제조방법
US5942355A (en) Method of fabricating a phase-shifting semiconductor photomask
JPH05289305A (ja) 位相シフトフォトマスク
KR100236045B1 (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
JP3485071B2 (ja) フォトマスク及び製造方法
JP3469570B2 (ja) 露光用マスクの製造方法
JPH0345951A (ja) 露光用マスク、露光用マスクの製造方法およびこれを用いた露光方法
JP3238600B2 (ja) 露光用マスク
JP2002303967A (ja) 露光用マスク、露光用マスクの製造方法及びこの露光用マスクを用いた露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090629

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees