JPH08279452A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH08279452A JPH08279452A JP7083500A JP8350095A JPH08279452A JP H08279452 A JPH08279452 A JP H08279452A JP 7083500 A JP7083500 A JP 7083500A JP 8350095 A JP8350095 A JP 8350095A JP H08279452 A JPH08279452 A JP H08279452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- shift mask
- halftone
- dummy
- side lobe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 隣接するサイドローブの重なりにより発生さ
れる光強度の大きい新たなサイドローブを取り除き、さ
らに、不要な異常パターンの発生を防ぐことのできるハ
ーフトーン位相マスクの製造方法を提供する。 【構成】 本発明のハーフトーン位相シフトマスクの製
造方法は、基板上に所望のパターンに相当する少なくと
も一つ以上のオープン領域を有するハーフトーンパター
ン物質層を形成するステップと、前記基板とハーフトー
ンパターン物質層に光を照射するとき、光のサイドロー
ブが重なって光強度の大きい新たなサイドローブが生成
される前記ハーフトーンパターン物質層の該当部分にそ
の新たなサイドローブを取り除くためのダミーオープン
領域を形成するステップとを備える。
れる光強度の大きい新たなサイドローブを取り除き、さ
らに、不要な異常パターンの発生を防ぐことのできるハ
ーフトーン位相マスクの製造方法を提供する。 【構成】 本発明のハーフトーン位相シフトマスクの製
造方法は、基板上に所望のパターンに相当する少なくと
も一つ以上のオープン領域を有するハーフトーンパター
ン物質層を形成するステップと、前記基板とハーフトー
ンパターン物質層に光を照射するとき、光のサイドロー
ブが重なって光強度の大きい新たなサイドローブが生成
される前記ハーフトーンパターン物質層の該当部分にそ
の新たなサイドローブを取り除くためのダミーオープン
領域を形成するステップとを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は位相シフトマスクの製造
方法に係り、特にハーフトーン位相シフトマスクの製造
方法に関する。
方法に係り、特にハーフトーン位相シフトマスクの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハーフトーン位相シフトマスクは一般的
にクロム位相シフトマスクを改善したもので、減衰位相
シフトマスクもしくはｔπ位相シフトマスク（ｔはｔｒ
ａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅを意味する）と呼ばれる。
にクロム位相シフトマスクを改善したもので、減衰位相
シフトマスクもしくはｔπ位相シフトマスク（ｔはｔｒ
ａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅを意味する）と呼ばれる。
【０００３】以下、図１（ａ）乃至図１（ｄ）を参照し
てハーフトーン位相シフトマスクの構成及び原理につい
て説明する。先ず、図１（ａ）に示すように、石英（Ｑ
ｕａｒｔｚ）又はガラス等の透光性基板１を設け、透光
性基板１上にクロムオキサイド（ＣｒＯ）のような物質
でハーフトーンパターン物質層２を形成してハーフトー
ン位相シフトマスクを作る。ハーフトーンパターン物質
層２は光の位相を１８０°シフトさせ、入射する光の４
〜３０％を透過させる特性をもつ。
てハーフトーン位相シフトマスクの構成及び原理につい
て説明する。先ず、図１（ａ）に示すように、石英（Ｑ
ｕａｒｔｚ）又はガラス等の透光性基板１を設け、透光
性基板１上にクロムオキサイド（ＣｒＯ）のような物質
でハーフトーンパターン物質層２を形成してハーフトー
ン位相シフトマスクを作る。ハーフトーンパターン物質
層２は光の位相を１８０°シフトさせ、入射する光の４
〜３０％を透過させる特性をもつ。
【０００４】このようなハーフトーン位相シフトマスク
をホトレジスト等のマスキング物質３が表面上に塗布さ
れたウェーハ４の上側に位置させた後、光をハーフトー
ン位相シフトマスクの上側から照射すると、マスキング
物質３上では図１（ｂ）に示すような光の強度フロファ
イルが表われる。
をホトレジスト等のマスキング物質３が表面上に塗布さ
れたウェーハ４の上側に位置させた後、光をハーフトー
ン位相シフトマスクの上側から照射すると、マスキング
物質３上では図１（ｂ）に示すような光の強度フロファ
イルが表われる。
【０００５】即ち、ハーフトーンパターン２の無いオー
プン領域では光が透光性基板１を介してそのまま透過し
て、マスキング物質３上で正の光の強度フロファイルが
表われる。一方、ハーフトーンパターン２が形成された
部分では入射した光の４〜３０％が透過され、その透過
した光は位相が１８０°シフトされて透過するので、負
の値を得る。図１（ｂ）に示すように、マスキング物質
３上における光強度は、長方形のフロファイルを有す
る。
プン領域では光が透光性基板１を介してそのまま透過し
て、マスキング物質３上で正の光の強度フロファイルが
表われる。一方、ハーフトーンパターン２が形成された
部分では入射した光の４〜３０％が透過され、その透過
した光は位相が１８０°シフトされて透過するので、負
の値を得る。図１（ｂ）に示すように、マスキング物質
３上における光強度は、長方形のフロファイルを有す
る。
【０００６】しかし、図１（ｃ）に示すように、光強度
はウェーハ上では長方形のフロファイルでない正弦波的
なフロファイルになる。即ち、オーバシュートされるメ
インローブの他にもオーバシュート及びアンダシュート
を繰り返すサイドローブ３が存在する。
はウェーハ上では長方形のフロファイルでない正弦波的
なフロファイルになる。即ち、オーバシュートされるメ
インローブの他にもオーバシュート及びアンダシュート
を繰り返すサイドローブ３が存在する。
【０００７】図１（ｃ）において、Ｉ1 はハーフトーン
パターン物質層２のないオープン領域における光の強度
プロファイルを、Ｉ2 はハーフトーンパターン２を通過
した部分における光の強度フロファイルを示す。図１
（ｄ）は、図１（ｃ）の光の強度フロファイル（Ｉ1，
Ｉ2）が合成された状態の最終的な光の強度フロファイ
ルを示す。図１（ｄ）によれば、メインローブの強度に
比べてサイドローブの強度は非常に微弱なので、無視し
ても構わない。
パターン物質層２のないオープン領域における光の強度
プロファイルを、Ｉ2 はハーフトーンパターン２を通過
した部分における光の強度フロファイルを示す。図１
（ｄ）は、図１（ｃ）の光の強度フロファイル（Ｉ1，
Ｉ2）が合成された状態の最終的な光の強度フロファイ
ルを示す。図１（ｄ）によれば、メインローブの強度に
比べてサイドローブの強度は非常に微弱なので、無視し
ても構わない。
【０００８】従来の一般的なクロム位相シフトマスクの
場合は、ハーフトーン位相シフトマスクのハーフトーン
パターン物質層２を有せず、代わりにクロムパターン層
のみを有するので、ウェーハ４上における光強度が図１
（ｃ）のＩ1 と同じである。しかし、図１（ｃ），
（ｄ）の光の強度フロファイルは正確に光がフォーカス
した場合を示すが、大抵の場合は光のフォーカスがずれ
る確率が高い。従来のクロム位相シフトマスクと比べて
ハーフトーン位相シフトマスクは、正確にフォーカスし
ない場合に有利であるという長所がある。
場合は、ハーフトーン位相シフトマスクのハーフトーン
パターン物質層２を有せず、代わりにクロムパターン層
のみを有するので、ウェーハ４上における光強度が図１
（ｃ）のＩ1 と同じである。しかし、図１（ｃ），
（ｄ）の光の強度フロファイルは正確に光がフォーカス
した場合を示すが、大抵の場合は光のフォーカスがずれ
る確率が高い。従来のクロム位相シフトマスクと比べて
ハーフトーン位相シフトマスクは、正確にフォーカスし
ない場合に有利であるという長所がある。
【０００９】その理由を次に説明する。図２（ａ）はハ
ーフトーン位相シフトマスクを使用して正確にフォーカ
スした場合とフォーカスがずれた場合の光の強度フロフ
ァイルを示すグラフである。図２（ｂ）は従来のクロム
シフトマスクを使用して正確にフォーカスした場合とフ
ォーカスずれした場合の光の強度フロファイルを示す。
ーフトーン位相シフトマスクを使用して正確にフォーカ
スした場合とフォーカスがずれた場合の光の強度フロフ
ァイルを示すグラフである。図２（ｂ）は従来のクロム
シフトマスクを使用して正確にフォーカスした場合とフ
ォーカスずれした場合の光の強度フロファイルを示す。
【００１０】図２（ａ）によれば、いくらひどくフォー
カスがずれた場合であっても、メインローブがサイドロ
ーブより一層大きい光強度を有することがわかる。図２
（ｂ）によれば、ひどくフォーカスずれした場合、サイ
ドローブがむしろメインローブより大きい光強度を有す
る場合もある。この場合、図１（ａ）のマスキング物質
３上には意図したものとは全く違うパターニングが行わ
れることもある。
カスがずれた場合であっても、メインローブがサイドロ
ーブより一層大きい光強度を有することがわかる。図２
（ｂ）によれば、ひどくフォーカスずれした場合、サイ
ドローブがむしろメインローブより大きい光強度を有す
る場合もある。この場合、図１（ａ）のマスキング物質
３上には意図したものとは全く違うパターニングが行わ
れることもある。
【００１１】上述したように、従来のハーフトーン位相
シフトマスクは、オープン領域の光強度と、１８０°の
位相と３〜４０％の透過率を有するハーフトーンパター
ン物質層２の光強度を合成することにより、不要なパタ
ーンの発生を引き起こすサイドローブを取り除くことが
できるばかりではなく、フォーカスがずれた状態でも従
来の他の位相シフトマスクに比べてより正確なパターニ
ングを行うことができるという長所があった。しかし、
図１（ａ）乃至（ｄ）と図２（ａ），（ｂ）は只一つの
パターンのみを考慮した場合で、多くのパターンが形成
される場合は考慮していない。
シフトマスクは、オープン領域の光強度と、１８０°の
位相と３〜４０％の透過率を有するハーフトーンパター
ン物質層２の光強度を合成することにより、不要なパタ
ーンの発生を引き起こすサイドローブを取り除くことが
できるばかりではなく、フォーカスがずれた状態でも従
来の他の位相シフトマスクに比べてより正確なパターニ
ングを行うことができるという長所があった。しかし、
図１（ａ）乃至（ｄ）と図２（ａ），（ｂ）は只一つの
パターンのみを考慮した場合で、多くのパターンが形成
される場合は考慮していない。
【００１２】図３（ａ）は図１（ａ）のウェーハ４上に
六つのパターンを形成するために、六つのオープン領域
を有するハーフトーン位相シフトマスクの平面図を示
す。図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ′線に沿って示す
断面図であり、図３（ｃ）の二つのオープン領域を有す
るハーフトーンパターン物質層２を通過する光のサイド
ローブの重畳現象を示す。
六つのパターンを形成するために、六つのオープン領域
を有するハーフトーン位相シフトマスクの平面図を示
す。図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ′線に沿って示す
断面図であり、図３（ｃ）の二つのオープン領域を有す
るハーフトーンパターン物質層２を通過する光のサイド
ローブの重畳現象を示す。
【００１３】即ち、図３（ｂ）によれば、ハーフトーン
位相シフトマスクの各オープン領域を通過した光の強度
フロファイルのサイドローブは互いに重なることにな
り、重なりの程度が大きくなると、図３（ｄ）に示すよ
うに、各所望するパターンのメインローブと殆ど同一の
光強度を有する新たなサイドローブが生じることもあ
る。
位相シフトマスクの各オープン領域を通過した光の強度
フロファイルのサイドローブは互いに重なることにな
り、重なりの程度が大きくなると、図３（ｄ）に示すよ
うに、各所望するパターンのメインローブと殆ど同一の
光強度を有する新たなサイドローブが生じることもあ
る。
【００１４】その結果、元々図３（ｅ）のようなパター
ンが図１（ａ）のマスキング物質３上に形成されること
を所望したとしても、図３（ｆ）のように不要な異常パ
ターン５がマスキング物質３上に形成され、ウェーハ４
上に所望しない最終パターンが形成されることもある。
ンが図１（ａ）のマスキング物質３上に形成されること
を所望したとしても、図３（ｆ）のように不要な異常パ
ターン５がマスキング物質３上に形成され、ウェーハ４
上に所望しない最終パターンが形成されることもある。
【００１５】上述したように、マスキング物質３上に形
成される不要な異常パターン５は、ハーフトーン位相シ
フトマスクのオープン領域間の間隔に依存して発生する
こともあり、発生しないこともある。即ち、オープン領
域が互いに充分間隔をもって配置されていると、各サイ
ドローブ間の重なりは発生しない。
成される不要な異常パターン５は、ハーフトーン位相シ
フトマスクのオープン領域間の間隔に依存して発生する
こともあり、発生しないこともある。即ち、オープン領
域が互いに充分間隔をもって配置されていると、各サイ
ドローブ間の重なりは発生しない。
【００１６】しかし、最近は、全ての半導体素子が高集
積化される傾向を呈しているので、決まった面積に出来
る限り多くのパターンが配列される傾向がある。従っ
て、パターン間の間隔が狭くなり、図３（ａ）乃至図３
（ｆ）に示すように、各サイドローブ間の重なりが多く
発生することになり、さらに、不要な異常パターン５が
たくさん発生し易い。
積化される傾向を呈しているので、決まった面積に出来
る限り多くのパターンが配列される傾向がある。従っ
て、パターン間の間隔が狭くなり、図３（ａ）乃至図３
（ｆ）に示すように、各サイドローブ間の重なりが多く
発生することになり、さらに、不要な異常パターン５が
たくさん発生し易い。
【００１７】図４はハーフトーン位相シフトマスクの二
つの隣合うオーブン領域間の間隔ｘの変化にしたがって
発生するサイドローブの重なり合った大きさを例示する
グラフである。図４によれば、オーブン領域間の間隔ｘ
が０．３６μｍ〜１．０μｍで変化するとき、隣接する
サイドローブの重なり合う大きさは間隔ｘが０．８４μ
ｍであるとき、最も大きいことが分かる。
つの隣合うオーブン領域間の間隔ｘの変化にしたがって
発生するサイドローブの重なり合った大きさを例示する
グラフである。図４によれば、オーブン領域間の間隔ｘ
が０．３６μｍ〜１．０μｍで変化するとき、隣接する
サイドローブの重なり合う大きさは間隔ｘが０．８４μ
ｍであるとき、最も大きいことが分かる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のハーフトーン位相シフトマスクによれば、所定数のオ
ープン領域を有するハーフトーンパターン物質層２を通
過する光のサイドローブが互いに重なり合って大きい光
強度をもつ新たなサイドローブが生成されることによ
り、マスキング物質及びウェーハ上に所望しない異常パ
ターンが発生されることもあるという問題点があった。
のハーフトーン位相シフトマスクによれば、所定数のオ
ープン領域を有するハーフトーンパターン物質層２を通
過する光のサイドローブが互いに重なり合って大きい光
強度をもつ新たなサイドローブが生成されることによ
り、マスキング物質及びウェーハ上に所望しない異常パ
ターンが発生されることもあるという問題点があった。
【００１９】本発明はかかる問題点を解決するためのも
ので、隣接するサイドローブの重なりにより発生された
大きい光強度の新たなサイドローブを取り除き、さら
に、不要な異常パターンの発生を防ぐことのできるハー
フトーン位相シフトマスクの製造方法を提供することを
目的とする。
ので、隣接するサイドローブの重なりにより発生された
大きい光強度の新たなサイドローブを取り除き、さら
に、不要な異常パターンの発生を防ぐことのできるハー
フトーン位相シフトマスクの製造方法を提供することを
目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明のハーフトーン位
相シフトマスクの製造方法は、基板上に所望のパターン
に相当する少なくとも一つ以上のオープン領域を有する
ハーフトーンパターン物質層を形成するステップと、前
記基板とハーフトーンパターン物質層に光を照射すると
き、光のサイドローブが重なって光強度の大きい新たな
サイドローブが生成される前記ハーフトーンパターン物
質層の該当部分にその新たなサイドローブを取り除くた
めのダミーオープン領域を形成するステップとを備え
る。
相シフトマスクの製造方法は、基板上に所望のパターン
に相当する少なくとも一つ以上のオープン領域を有する
ハーフトーンパターン物質層を形成するステップと、前
記基板とハーフトーンパターン物質層に光を照射すると
き、光のサイドローブが重なって光強度の大きい新たな
サイドローブが生成される前記ハーフトーンパターン物
質層の該当部分にその新たなサイドローブを取り除くた
めのダミーオープン領域を形成するステップとを備え
る。
【００２１】
実施例１ 上述したように、本発明によれば、隣接するサイドロー
ブの重なりによる異常パターンの発生を防ぐためにダミ
ーオープン領域が設けられる。図５（ａ）乃至（ｃ）は
二つのオープン領域を有するハーフトーン位相シフトマ
スクにおいて、オープン領域間の間隔によって、ダミー
オープン領域の形成位置を決定する方法を例示したもの
である。
ブの重なりによる異常パターンの発生を防ぐためにダミ
ーオープン領域が設けられる。図５（ａ）乃至（ｃ）は
二つのオープン領域を有するハーフトーン位相シフトマ
スクにおいて、オープン領域間の間隔によって、ダミー
オープン領域の形成位置を決定する方法を例示したもの
である。
【００２２】図５（ａ）によれば、二つのオープン領域
間の間隔ｘ１は各サイドローブが互いに重ならない場合
に相当するので、ダミーオープン領域を形成する必要は
ない。図５（ｂ）によれば、二つのオープン領域間の間
隔ｘ２は二つのサイドローブが一カ所で合う場合に相当
するので、ダミーオープン領域の形成位置Ｄ１が決ま
る。図５（ｃ）によれば、二つのオープン領域間の間隔
は二つのサイドローブが二カ所で合う場合に相当し、二
つのダミーオープン領域の形成位置が二つの部分Ｄ２，
Ｄ３として決まる。
間の間隔ｘ１は各サイドローブが互いに重ならない場合
に相当するので、ダミーオープン領域を形成する必要は
ない。図５（ｂ）によれば、二つのオープン領域間の間
隔ｘ２は二つのサイドローブが一カ所で合う場合に相当
するので、ダミーオープン領域の形成位置Ｄ１が決ま
る。図５（ｃ）によれば、二つのオープン領域間の間隔
は二つのサイドローブが二カ所で合う場合に相当し、二
つのダミーオープン領域の形成位置が二つの部分Ｄ２，
Ｄ３として決まる。
【００２３】前記のダミーオープン領域はサイドローブ
間の重なりにより生成された光強度の大きい新たなサイ
ドローブを相殺するためのものであり、図５（ｂ）の場
合を例とした図６（ａ）乃至図６（ｄ）を参照して相殺
の内容を説明する。
間の重なりにより生成された光強度の大きい新たなサイ
ドローブを相殺するためのものであり、図５（ｂ）の場
合を例とした図６（ａ）乃至図６（ｄ）を参照して相殺
の内容を説明する。
【００２４】先ず、図６（ａ）に示すように、ハーフト
ーンパターン物質層２に所望のパターンに基づいて二つ
のオープン領域を形成する。ついで、図５（ｂ）のよう
な方法を利用して隣接する二つのサイドローブが合う部
分Ｄ１を見出して、その部分Ｄ１に二つのサイドローブ
の重なり効果を除去するためのダミーオープン領域６を
形成する。
ーンパターン物質層２に所望のパターンに基づいて二つ
のオープン領域を形成する。ついで、図５（ｂ）のよう
な方法を利用して隣接する二つのサイドローブが合う部
分Ｄ１を見出して、その部分Ｄ１に二つのサイドローブ
の重なり効果を除去するためのダミーオープン領域６を
形成する。
【００２５】図６（ｂ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ′線に沿
って示す断面図で、二つのオープン領域の間に一つのダ
ミーオープン領域６が形成されたことが分かる。このダ
ミーオープン領域６が形成される位置Ｄ１を見出すため
には、前記図５（ａ），（ｂ），（ｃ）の説明で触れた
ように、先ず、ハーフトーンパターン物質層２の領域を
通過した光の強度フロファイルを求めた後、各フロファ
イルのサイドローブが大きく重なる部分Ｄ１を見出せば
よい。
って示す断面図で、二つのオープン領域の間に一つのダ
ミーオープン領域６が形成されたことが分かる。このダ
ミーオープン領域６が形成される位置Ｄ１を見出すため
には、前記図５（ａ），（ｂ），（ｃ）の説明で触れた
ように、先ず、ハーフトーンパターン物質層２の領域を
通過した光の強度フロファイルを求めた後、各フロファ
イルのサイドローブが大きく重なる部分Ｄ１を見出せば
よい。
【００２６】その結果、図６（ｃ）に示すように、二つ
のサイドローブの重なりにより生じた光強度の大きい新
たなサイドローブがダミーオープン領域６を通過した光
（点線部分）の強度により相殺されて除去されることに
より、マスキング物質３上における露光工程及びウェー
ハ４上におけるパターンの形成に影響を与えなくなる。
のサイドローブの重なりにより生じた光強度の大きい新
たなサイドローブがダミーオープン領域６を通過した光
（点線部分）の強度により相殺されて除去されることに
より、マスキング物質３上における露光工程及びウェー
ハ４上におけるパターンの形成に影響を与えなくなる。
【００２７】図６（ｄ）は光強度の大きい新たなサイド
ローブが除去された状態を示す光の強度フロファイルで
ある。
ローブが除去された状態を示す光の強度フロファイルで
ある。
【００２８】上記実施例は二つのオープン領域を有する
ハーフトーン位相シフトマスクを例としたものである
が、二つ以上のオープン領域を有するハーフトーン位相
シフトマスクにも同一方法で適用できるのは勿論のこと
である。
ハーフトーン位相シフトマスクを例としたものである
が、二つ以上のオープン領域を有するハーフトーン位相
シフトマスクにも同一方法で適用できるのは勿論のこと
である。
【００２９】図７（ａ）は三つのオープン領域を有する
ハーフトーンパターン物質層２の適切な位置に新たなサ
イドローブを除去するための一つのダミーオープン領域
が形成された状態を示すハーフトーン位相シフトマスク
の平面図であり、図７（ｂ）は四つのオープン領域を有
するハーフトーン物質層２の適切な位置に新たなサイド
ローブを取り除くための一つのダミーオープン領域が形
成された状態を示すハーフトーン位相シフトマスクの平
面図である。
ハーフトーンパターン物質層２の適切な位置に新たなサ
イドローブを除去するための一つのダミーオープン領域
が形成された状態を示すハーフトーン位相シフトマスク
の平面図であり、図７（ｂ）は四つのオープン領域を有
するハーフトーン物質層２の適切な位置に新たなサイド
ローブを取り除くための一つのダミーオープン領域が形
成された状態を示すハーフトーン位相シフトマスクの平
面図である。
【００３０】上述したように、本発明の実施例１によれ
ば、透光性基板上に二つ以上のオープン領域を有するハ
ーフトーンパターン物質層を形成して作ったハーフトー
ン位相シフトマスクの、ハーフトーンパターン物質層を
通過した光の強度フロファイルを求める。
ば、透光性基板上に二つ以上のオープン領域を有するハ
ーフトーンパターン物質層を形成して作ったハーフトー
ン位相シフトマスクの、ハーフトーンパターン物質層を
通過した光の強度フロファイルを求める。
【００３１】次に、各フロファイルのサイドローブが異
なるフロファイルのサイドローブに重なって光強度の大
きい新たなサイドローブが形成される部分を見出す。そ
して、新たなサイドローブが生成されるハーフトーンパ
ターン物質の相応する部分にダミーオープン領域を形成
する。この際、ダミーオープン領域を通過した光はハー
フトーンパターン物質層２により生成される新たなサイ
ドローブとは反対の位相を有するので、その新たなサイ
ドローブの強度はダミーオープン領域を通過した光の強
度により相殺される。
なるフロファイルのサイドローブに重なって光強度の大
きい新たなサイドローブが形成される部分を見出す。そ
して、新たなサイドローブが生成されるハーフトーンパ
ターン物質の相応する部分にダミーオープン領域を形成
する。この際、ダミーオープン領域を通過した光はハー
フトーンパターン物質層２により生成される新たなサイ
ドローブとは反対の位相を有するので、その新たなサイ
ドローブの強度はダミーオープン領域を通過した光の強
度により相殺される。
【００３２】ダミーオープン領域６のサイズはサイドロ
ーブの重なりにより生成された新たなサイドローブの強
度より小さな強度を有する光が通過するように定めなけ
ればならない。それによって、元のウェーハ４に形成す
るためのパターンの大きさに影響を余り与えずに、サイ
ドローブの重なりにより生成された光強度の大きい新た
なサイドローブを減少させることができる。
ーブの重なりにより生成された新たなサイドローブの強
度より小さな強度を有する光が通過するように定めなけ
ればならない。それによって、元のウェーハ４に形成す
るためのパターンの大きさに影響を余り与えずに、サイ
ドローブの重なりにより生成された光強度の大きい新た
なサイドローブを減少させることができる。
【００３３】実施例２ 実施例１によれば、ハーフトーン位相シフトマスクの各
オープン領域を通過した光のフロファイルのサイドロー
ブ間の重なりにより生成された光強度の大きい異常サイ
ドローブを相殺するために、ダミーオープン領域を形成
した。
オープン領域を通過した光のフロファイルのサイドロー
ブ間の重なりにより生成された光強度の大きい異常サイ
ドローブを相殺するために、ダミーオープン領域を形成
した。
【００３４】実施例２はこれをさらに改善したものであ
る。図８（ａ）乃至（ｃ）を参照して実施例２を説明す
る。先ず、図８（ａ）に示すように、石英又はガラスの
基板１上に所望のパターンに相当する所定数のオープン
領域を有するハーフトーンパターン物質２を形成し、オ
ープン領域を含んだハーフトーンパターン物質層２を通
過した光のフロファイルの各サイドローブが互いに重な
って光強度の大きい新たなサイドローブを生成する部分
を見出す。この際、この新たなサイドローブは光のハー
フトーンパターン物質２を通過することにより形成され
るので、前記実施例１で説明したように、オープン領域
を通過する０°位相をもつ光とは反対に１８０°の位相
をもつ。
る。図８（ａ）乃至（ｃ）を参照して実施例２を説明す
る。先ず、図８（ａ）に示すように、石英又はガラスの
基板１上に所望のパターンに相当する所定数のオープン
領域を有するハーフトーンパターン物質２を形成し、オ
ープン領域を含んだハーフトーンパターン物質層２を通
過した光のフロファイルの各サイドローブが互いに重な
って光強度の大きい新たなサイドローブを生成する部分
を見出す。この際、この新たなサイドローブは光のハー
フトーンパターン物質２を通過することにより形成され
るので、前記実施例１で説明したように、オープン領域
を通過する０°位相をもつ光とは反対に１８０°の位相
をもつ。
【００３５】次に、１８０°位相を有する新たなサイド
ローブを相殺できる０°位相を有する光を通過させるた
めに新たなサイドローブが形成される二つのオープン領
域間のハーフトーンパターン物質層２の該当部分にダミ
ーオーブン領域６を形成する。ここまでは、実施例１と
同一である。ここで、この発明を高集積素子に使用する
ときデザインを簡単にするために出来る限りダミーオー
プン領域の幅を減少することが必要である。従って、実
施例２ではダミーオープン領域に相当する基板１の部分
を一定の深さだけ除去してくぼみを形成する。この際、
くぼみの幅はダミーオープン領域より少し広くする。そ
の理由は図８（ｂ）に示すように、新たなサイドローブ
の中心部分のみではなく新たなサイドローブの側の部分
までも除去するためである。
ローブを相殺できる０°位相を有する光を通過させるた
めに新たなサイドローブが形成される二つのオープン領
域間のハーフトーンパターン物質層２の該当部分にダミ
ーオーブン領域６を形成する。ここまでは、実施例１と
同一である。ここで、この発明を高集積素子に使用する
ときデザインを簡単にするために出来る限りダミーオー
プン領域の幅を減少することが必要である。従って、実
施例２ではダミーオープン領域に相当する基板１の部分
を一定の深さだけ除去してくぼみを形成する。この際、
くぼみの幅はダミーオープン領域より少し広くする。そ
の理由は図８（ｂ）に示すように、新たなサイドローブ
の中心部分のみではなく新たなサイドローブの側の部分
までも除去するためである。
【００３６】上述したように、基板１の該当部分を一定
の深さだけ除去すると、その部分は厚さが薄くなるので
一層多くの光が通過する。従って、ダミーオープン領域
の幅を出来る限り減少させることができ、さらにパター
ンをデザインするのにもっと有利になる。即ち、決めら
れた幅よりもっと狭い幅でダミーオープン領域を形成
し、その代わり前記ダミーオープン領域に相当する基板
１部分を一定の深さだけ除去してくぼみを形成すること
により、同一強度の光が通過する効果が得られる。
の深さだけ除去すると、その部分は厚さが薄くなるので
一層多くの光が通過する。従って、ダミーオープン領域
の幅を出来る限り減少させることができ、さらにパター
ンをデザインするのにもっと有利になる。即ち、決めら
れた幅よりもっと狭い幅でダミーオープン領域を形成
し、その代わり前記ダミーオープン領域に相当する基板
１部分を一定の深さだけ除去してくぼみを形成すること
により、同一強度の光が通過する効果が得られる。
【００３７】図８（ｂ），（ｃ）はハーフトーン位相シ
フトマスクのオープン領域を通過した光のサイドローブ
により生成された光強度の大きい位相１８０°の新たな
サイドローブがダミーオープン領域を通過する０°の位
相を有する光により相殺されることを示す。
フトマスクのオープン領域を通過した光のサイドローブ
により生成された光強度の大きい位相１８０°の新たな
サイドローブがダミーオープン領域を通過する０°の位
相を有する光により相殺されることを示す。
【００３８】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、下記
の効果が得られる。 １．ダミーオープン領域を形成することによりハーフト
ーン位相シフトマスクを通過した光のサイドローブの重
なりにより形成される不要な異常パターンの形成を防ぐ
ことができる。 ２．ダミーオープン領域に相当する基板部分を一定の深
さだけ除去してくぼみを形成することにより、ダミーオ
ープン領域の幅を減少させることができ、このため、パ
ターンデザインをより容易にすることができる。さら
に、新たなサイドローブのサイド部分までもより正確に
減少させることができる。
の効果が得られる。 １．ダミーオープン領域を形成することによりハーフト
ーン位相シフトマスクを通過した光のサイドローブの重
なりにより形成される不要な異常パターンの形成を防ぐ
ことができる。 ２．ダミーオープン領域に相当する基板部分を一定の深
さだけ除去してくぼみを形成することにより、ダミーオ
ープン領域の幅を減少させることができ、このため、パ
ターンデザインをより容易にすることができる。さら
に、新たなサイドローブのサイド部分までもより正確に
減少させることができる。
【図１】 （ａ）乃至（ｄ）は、従来ハーフトーン位相
シフトマスクの構成及び原理を示す説明図である。
シフトマスクの構成及び原理を示す説明図である。
【図２】 （ａ）は、従来のハーフトーン位相シフトマ
スクを通過する光の強度を集束した状態にしたがって示
すグラフであり、（ｂ）は、従来のクロム位相シフトマ
スクを通過する光の強度を集束した状態にしたがって示
すグラフである。
スクを通過する光の強度を集束した状態にしたがって示
すグラフであり、（ｂ）は、従来のクロム位相シフトマ
スクを通過する光の強度を集束した状態にしたがって示
すグラフである。
【図３】 （ａ）乃至（ｆ）は従来のハーフトーン位相
シフトマスクの短所を示す説明図である。
シフトマスクの短所を示す説明図である。
【図４】 二つの隣接するオープン領域間の間隔に従っ
て二つのサイドローブが重なり合う程度を示すグラフで
ある。
て二つのサイドローブが重なり合う程度を示すグラフで
ある。
【図５】 （ａ）乃至（ｃ）は、本発明による二つのオ
ープン領域を有するハーフトーン位相シフトマスクにお
いて、ダミーオープン領域の形成位置を決定する方法を
示す説明図である。
ープン領域を有するハーフトーン位相シフトマスクにお
いて、ダミーオープン領域の形成位置を決定する方法を
示す説明図である。
【図６】 （ａ）乃至（ｄ）は、本発明の実施例１によ
るハーフトーン位相シフトマスクの構成と原理を示す説
明図である。
るハーフトーン位相シフトマスクの構成と原理を示す説
明図である。
【図７】 （ａ）は三つのオープン領域を有するハーフ
トーン位相シフトマスクの適切な位置にダミーオープン
領域が形成された状態、（ｂ）は四つのオープン領域を
有するハーフトーン位相シフトマスクの適切な位置にダ
ミーオープン領域が形成された状態を示す平面図であ
る。
トーン位相シフトマスクの適切な位置にダミーオープン
領域が形成された状態、（ｂ）は四つのオープン領域を
有するハーフトーン位相シフトマスクの適切な位置にダ
ミーオープン領域が形成された状態を示す平面図であ
る。
【図８】 （ａ）乃至（ｃ）は、本発明の実施例２によ
るハーフトーン位相シフトマスクの構成と原理を示す説
明図である。
るハーフトーン位相シフトマスクの構成と原理を示す説
明図である。
１…基板、２…ハーフトーンパターン物質層、３…マス
キング物質層、４…ウェーハ、５…不要な異常パター
ン、６…ダミーオープン領域。
キング物質層、４…ウェーハ、５…不要な異常パター
ン、６…ダミーオープン領域。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に所望のパターンに相当する少な
くとも一つ以上のオープン領域を有するハーフトーンパ
ターン物質層を形成するステップと、 前記基板とハーフトーンパターン物質層に光を照射した
場合に、ハーフトーンパターン物質層に光のサイドロー
ブが重なって光強度の大きい新たなサイドローブが生成
される部分を見出すステップと、そして光強度の大きい
新たなサイドローブが生成される前記ハーフトーンパタ
ーン物質層の該当部分に該新たなサイドローブを取り除
くためのダミーオープン領域を形成するステップと、を
備えることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスク
の製造方法。 - 【請求項２】 より強い光が通過するようにダミーオー
プン領域に相当する基板の部分に一定の長さを有するく
ぼみを形成するステップがさらに備えられることを特徴
とする請求項１記載のハーフトーン位相シフトマスクの
製造方法。 - 【請求項３】 各くぼみは該当のダミーオープン領域の
幅より広く形成されることを特徴とする請求項１記載の
ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7083500A JPH08279452A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 位相シフトマスクの製造方法 |
| US08/423,113 US5591550A (en) | 1995-03-16 | 1995-04-17 | Phase shift mask and method for forming phase shift mask |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7083500A JPH08279452A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 位相シフトマスクの製造方法 |
| US08/423,113 US5591550A (en) | 1995-03-16 | 1995-04-17 | Phase shift mask and method for forming phase shift mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279452A true JPH08279452A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=26424527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7083500A Pending JPH08279452A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5591550A (ja) |
| JP (1) | JPH08279452A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6057066A (en) * | 1998-04-17 | 2000-05-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing photo mask |
| US6114095A (en) * | 1997-07-01 | 2000-09-05 | Matsushita Electronics Corporation | Method of manufacturing electronic device using phase-shifting mask with multiple phase-shift regions |
| KR20020090348A (ko) * | 2001-05-24 | 2002-12-02 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 위상편이마스크 및 그 설계방법 |
| EP1351297A2 (en) | 2002-03-15 | 2003-10-08 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and phase shift mask |
| JP2005181721A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | ハーフトーン位相シフトマスク |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795682A (en) * | 1996-03-08 | 1998-08-18 | Lsi Logic Corporation | Guard rings to compensate for side lobe ringing in attenuated phase shift reticles |
| KR100215850B1 (ko) * | 1996-04-12 | 1999-08-16 | 구본준 | 하프톤 위상 반전 마스크 및_그제조방법 |
| US6178543B1 (en) * | 1996-05-16 | 2001-01-23 | United Microelectronics Corp. | Method of designing active region pattern with shift dummy pattern |
| KR100196512B1 (ko) * | 1996-06-25 | 1999-06-15 | 김영환 | 노칭현상을 방지하기 위한 포토마스크 |
| KR100219079B1 (ko) * | 1996-06-29 | 1999-09-01 | 김영환 | 해프톤 위상 반전 마스크 |
| JP2000020564A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | レイアウトパターンデータ補正装置、レイアウトパターンデータ補正方法、その補正方法を用いた半導体装置の製造方法、および、半導体装置の製造プログラムを記録した記録媒体 |
| US6401236B1 (en) | 1999-04-05 | 2002-06-04 | Micron Technology Inc. | Method to eliminate side lobe printing of attenuated phase shift |
| US6214497B1 (en) | 1999-06-29 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Method to eliminate side lobe printing of attenuated phase shift masks |
| US6207333B1 (en) * | 1999-07-29 | 2001-03-27 | International Business Machines Corporation | Mask with attenuating phase-shift and opaque regions |
| US6291113B1 (en) | 1999-10-21 | 2001-09-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Sidelobe suppressing phase shift mask and method |
| US6767682B1 (en) * | 2000-04-27 | 2004-07-27 | Infineon Technologies Ag | Method for producing quadratic contact holes utilizing side lobe formation |
| US6576376B1 (en) * | 2001-02-07 | 2003-06-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Tri-tone mask process for dense and isolated patterns |
| DE10136291B4 (de) * | 2001-07-25 | 2008-05-08 | Qimonda Ag | Photolithographische Maske |
| US20030180629A1 (en) * | 2002-03-20 | 2003-09-25 | Nanya Technology Corporation | Masks and method for contact hole exposure |
| KR20150117349A (ko) | 2014-04-09 | 2015-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 위상 변환 마스크 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| TWI639884B (zh) * | 2017-11-23 | 2018-11-01 | Powerchip Technology Corporation | 相移式光罩及其製作方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3204798B2 (ja) * | 1992-07-17 | 2001-09-04 | 株式会社東芝 | 露光用マスク |
-
1995
- 1995-03-16 JP JP7083500A patent/JPH08279452A/ja active Pending
- 1995-04-17 US US08/423,113 patent/US5591550A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6114095A (en) * | 1997-07-01 | 2000-09-05 | Matsushita Electronics Corporation | Method of manufacturing electronic device using phase-shifting mask with multiple phase-shift regions |
| US6280888B1 (en) * | 1997-07-01 | 2001-08-28 | Matsushita Electronics Corporation | Phase-shifting mask with multiple phase-shift regions |
| US6057066A (en) * | 1998-04-17 | 2000-05-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing photo mask |
| KR20020090348A (ko) * | 2001-05-24 | 2002-12-02 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 위상편이마스크 및 그 설계방법 |
| EP2503390A2 (en) | 2002-03-15 | 2012-09-26 | Fujitsu Microelectronics Limited | Phase shift mask, semiconductor device and method of manufacturing the same |
| EP1351297A2 (en) | 2002-03-15 | 2003-10-08 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and phase shift mask |
| EP2706410A1 (en) | 2002-03-15 | 2014-03-12 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| EP3070740A1 (en) | 2002-03-15 | 2016-09-21 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| EP3073526A1 (en) | 2002-03-15 | 2016-09-28 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| EP3076430A1 (en) | 2002-03-15 | 2016-10-05 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| EP3082162A1 (en) | 2002-03-15 | 2016-10-19 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| EP3109697A2 (en) | 2002-03-15 | 2016-12-28 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and phase shift mask |
| EP3109698A2 (en) | 2002-03-15 | 2016-12-28 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and phase shift mask |
| JP2005181721A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | ハーフトーン位相シフトマスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5591550A (en) | 1997-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08279452A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2862183B2 (ja) | マスクの製造方法 | |
| JP3177404B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JP3197484B2 (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| KR100215354B1 (ko) | 패턴 형성 방법 | |
| JP2976192B2 (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| US6528216B2 (en) | Phase shift mask and fabrication method thereof | |
| US5902701A (en) | Phase shift mask and method for fabricating the same | |
| JPH03252659A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| KR100713955B1 (ko) | 투영 장치, 투영 방법 및 조명 퍼필 설정 방법 | |
| US6544695B2 (en) | Photomask set for photolithographic operation | |
| GB2302962A (en) | Phase shift mask | |
| JPH07287386A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPS63216052A (ja) | 露光方法 | |
| JPH05142745A (ja) | 位相シフトマスク及びマスクの製造方法 | |
| KR100198627B1 (ko) | 위상 반전 마스크 제조방법 | |
| JP2821394B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100190115B1 (ko) | 위상 시프트 마스크 및 그 제조방법 | |
| KR0165402B1 (ko) | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| JPH09138497A (ja) | レジスト露光方法及び露光マスク | |
| KR100209370B1 (ko) | 중첩도 측정 마크용 마스크 및 그를 이용한 중첩도 마크 제조방법 | |
| JPH04175746A (ja) | マスク、その製造方法及びそれを用いた像形成方法 | |
| WO1998002782A1 (en) | Sidelobe suppressing attenuated phase-shifting mask | |
| JP2773704B2 (ja) | 露光マスク | |
| JPH03172848A (ja) | ホトマスクの製造方法 |