JP2773704B2 - 露光マスク - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はリソグラフィ用の露
光マスクに係わり、特に微細なパターンの転写に有効な
位相シフトマスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の露光技術においては、設計ルール
の微細化にともない位相シフト技術による対応が検討さ
れてきている。

【０００３】例えば特開平４−１６２０３９号公報に開
示されている露光マスクは、マスクパターンを透過率が
略０％の不透明膜で形成した通常マスク（平坦な透明基
板表面上に被着されたクロム等の不透明膜に、例えば、
配列する開口部（ホール）を形成しただけの一般的なマ
スクであり、本明細書、図面では、通常マスク、と称
す）の不透明膜を半透明膜にし、若干光を透過させて更
に位相を反転させる様に加工し、透明光のプロファイル
を急峻にして焦点深度や解像度を向上させた露光マスク
である。尚この半透明膜を用いた露光マスクは、ハーフ
トーン型位相シフトマスク、ハーフトーンマスク、アテ
ェヌエイト（減衰）マスクとも呼ばれる（以下、ハーフ
トーンマスク、と称す）。

【０００４】ハーフトーンマスクでは前述したような効
果がある一方、パターンの周辺外部に不要なパターンを
形成してしまうという問題点がある。尚、この不要なパ
ターンはサイドローブ、サブピーク等といわれている
（以下、サイドローブ、と称す）。

【０００５】この問題を図面を用いて説明する。

【０００６】従来のハーフトーンマスクの１例である単
層型ハーフトーンマスクの断面図を図６に示す。透明の
ガラス基板５の平坦な上面上に半透明膜６のパターンが
形成され、半透明膜６が存在する部分が半透明部１３と
なり、半透明膜６が存在しない開口部（ホール）６Ａの
部分が透明部１２となっている。この半透明膜６のパタ
ーンは通常マスクでは不透明膜のパターンである。

【０００７】この半透明膜６は一定の透過率を持ち、透
明部１２と半透明部１３の透過光の位相差は１８０°で
ある。

【０００８】次に図７に縮小率５：１のステッパーを用
いて、マスク透明部すなわち開口部により半導体ウェハ
のレジストに 光強度Ｈ以上が所定の０．３５μｍとな
るように、通常マスクとハーフトーンマスクのパターン
透過光の光強度プロファイルを示す。これはガラス基板
での透過率を１としたときの相対光強度である。

【０００９】図７において、Ａはマスク透明部の寸法が
１．７５μｍ（０．３５μｍ×５）のマスクパターンを
有する通常マスクを用いた場合の光強度プロファイルで
ある。

【００１０】Ｂ１およびＢ２はマスク透明部の寸法が
１．７５μｍ（０．３５μｍ×５）のマスクパターンを
有するハーフトーンマスクを用い、この内、Ｂ１はＡと
同じ露光量（マスクに照射される露光量）の場合の光強
度プロファイル、Ｂ２はＡより多いい露光量の場合の光
強度プロファイルである。

【００１１】Ｃ１およびＣ２はマスク透明部の寸法が
２．００μｍ（〉０．３５μｍ×５）のマスクパターン
を有するハーフトーンマスクを用い、この内、Ｃ１はＡ
と同じ露光量の場合の光強度プロファイル、Ｃ２はＡよ
り少ない露光量の場合の光強度プロファイルである。

【００１２】尚、Ｃ２のように縮小率で定まる寸法より
大きい透明部寸法のハーフトーンマスクを用い、露光量
を小にして、すなわちアンダー露光でパターンを形成す
る方法のことをマスクバイアスをかけるという。図７の
例では、半導体ウエハ上のレジストに０．３５μｍの領
域を形成するに際し、ＡおよびＢの光強度プロファイル
を得る倍率５／１のレチクルマスクでは１．７５μｍの
透明部（ホール）を有するマスクパターンに設計される
が、Ｃの光強度プロファイルを得るレチクルマスクでは
２．００μｍの透明部（ホール）を有するマスクパター
ンを用いているから、マスクバイアス量は０．２５μｍ
となる。

【００１３】したがって、Ｃの光強度プロファイルを得
るレチクルマスクはマスクバイアス有のハーフトーンマ
スクであり、Ｂの光強度プロファイルを得るレチクルマ
スクはマスクバイアス無のハーフトーンマスクとなる。

【００１４】さて図７において、寸法１．７５μｍのマ
スク透明部を有する通常マスクの光強度プロファイルＡ
と寸法１．７５μｍのマスク透明部を有するハーフトー
ンマスクの光強度プロファイルＢ１とを比較すると次の
ことがいえる。

【００１５】ハーフトーンマスクではパターンエッジ
（光強度プロファイルがＨレベルとなる箇所）近傍での
光強度が相殺された状態となるために通常マスクより透
過光のコントラストは高い。一方、パターンエッジ部分
での位相反転によりその部分での透過光が相殺されてい
るから、その部分の強度が低下してしまう。つまり同じ
露光エネルギーのもとで同じマスク透過部サイズの通常
マスクとハーフトーンマスクを露光すると、半導体ウエ
ハ上のレジストにはハーフトーンマスクの方が小さい領
域（Ｈレベル以上で規定する領域）になってしまう。

【００１６】したがって通常マスクを用いた場合と同じ
大きさの領域を半導体ウエハのレジストに形成するため
には、ハーフトーンマスクの方において露光量を多くし
なければならない。すなわちＢ１をＢ２にする必要があ
る。

【００１７】尚、光強度プロファイルは瞬間の相対光強
度分布を示しており露光量を直接示すものではないが、
各条件でのプロファイルの形状や変化の目安としてみる
のに適している。ここではパターンエッジ部での光強度
が目的サイズのパターンを形成する露光量に相当すると
定義して以下の話を進める。そして上記Ｈレベルが現像
最小限界値の露光量となるように露光時間や露光光強度
の絶対値を設定すれば、Ｈレベル以上の潜像は現像後に
レジストパターンとなって現われる。すなわち上記説明
でＨレベル線とそのエッジが交差するプロファイルのも
のは所定の絶対露光量に合わせることにより、レジスト
を現像後０．３５μｍの領域が除去（レジストがポジの
場合）されたレジストパターンとなる。そしてこの場
合、後述するサイドローブによる領域の光強度がＨレベ
ル以上であると、これにより不所望の箇所のレジストが
除去されて不所望のサイドロ−ブ像が現像後のレジスト
パターンに転写され形成されてしまう。

【００１８】さて以上のようにパターンエッジ部でのコ
ントラストを高めたハーフトーンマスクにおいて、通常
マスクと同じマスクパターンを有して通常マスクと同じ
レジストパターンを得るためには、通常マスクの場合よ
りハーフトーンマスクを用いた場合の露光量を多くすれ
ばよい。すなわちＢ１をＢ２にすればよい。

【００１９】しかしながら図７に示すように、このよう
なＢ１やＢ２の光強度プロファイルでは半導体ウエハ上
の所望する領域（０．３５μｍ）の近傍の不所望のサイ
ドローブの光強度が、０．３５μｍの領域のエッジ部で
の光強度Ｈ以上になるから上記したようにこれがレジス
トに転写してしまう。

【００２０】次に、Ａの通常マスクやＢのハーフトーン
マスクのプロファイルを得るマスク透明部寸法（１．７
５μｍ）より大きい透明部寸法（２．００μｍ）を有す
るハーフトーンマスクを用いて通常マスクの場合と同じ
露光量で露光した場合は、透過光強度プロファイルＣ１
に示すように当然大きな透明部による領域が半導体ウェ
ハのレジストに形成され、サイドローブも光強度レベル
Ｈより大きくなる。

【００２１】ここで上記したマスクバイアス技術を用い
る。すなわち、通常マスクのマスク透明部寸法（１．７
５μｍ）より大きいマスク透明部寸法（２．００μｍ）
のハーフトーンマスクを用いて通常マスクの場合より少
ない露光量で露光してＨレベル以上の寸法が通常マスク
の場合と同じサイズ、すなわち０．３５μｍの透過光強
度プロファイルＣ２を得る。

【００２２】そしてこのようなマスクバイアス有の光強
度プロファイルＣ２では、図７に示すように、サイドロ
ーブによる光強度がＨレベルより低くなるから、サイド
ローブによる不所望のパターンが半導体ウエハの現像後
のレジストパターンに形成されることはない。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の説
明は、１個のパターンのサイド近傍に発生するサイドロ
ーブの場合である。すなわち孤立パターンに対するサイ
ドローブによる影響はマスクバイアス技術でＨレベル以
下に抑制することができる。

【００２４】しかしながら集積回路では周期的に配列す
る回路パターン（透明部による領域）が多く存在する。
このような場合、隣接する回路パターンからのサイドロ
ーブがたがいに重なり、結果としてＨレベルより高い光
強度となってサイドローブによる不所望のパターンが形
成されてしまう。

【００２５】さらにマスクバイアスのみに依存してサイ
ドローブを低減させようとすると、焦点深度を通常マス
クより大きくするというハーフトーンマスクの利点が減
少してしまう。

【００２６】すなわち図８はベストフォ−カス（デフォ
−カス＝０）時での中心ピークのパターンエッジ部の光
強度に注目し、デフォ−カスしたときのこの光強度での
ピーク幅（図７の透明部による０．３５μｍを目標とす
る領域の幅）の変化を調べた結果を示す図である。同図
で１点鎖線がマスク透明部寸法が１．７５μｍの通常マ
スクの場合、点線がハーフトンマスクでマスク透過部寸
法２．００μｍすなわちマスクバイアス有の場合、実線
がハーフトンマスクでマスク透過部寸法１．７５μｍす
なわちマスクバイアス無の場合である。

【００２７】これによりマスクバイアスをかけるとデフ
ォ−カス時のピーク幅変化はマスクバイアスをかけない
ときより大きい。よって、寸法変移が小さいほど焦点深
度が大きいと考えられるから、マスクバイアスをかけた
もの（マスクバイアス有）の焦点深度は通常マスクより
大きいが、マスクバイアスをかけないもの（マスクバイ
アス無）と比較すると小さくなることがわかる。

【００２８】したがって本発明の目的は、透明部と半透
明部とを有して構成されるハーフトーン型マスクにおい
て、隣接するパターンからのサイドローブどうしが重な
っても半導体ウエハ上へのその光強度レベルを抑制する
ことができる露光マスクを提供することである。

【００２９】本発明の他の目的は、ハーフトーン型マス
ク本来の向上された焦点深度の特質を減じることなくサ
イドローブによる影響を排除することができる露光マス
クを提供することである。

【００３０】

【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、第１の
透明部と第１の半透明部を有して構成される第１のパタ
ーンと、第２の透明部と第２の半透明部を有して構成さ
れ、前記第１のパターンに隣接して設けられた第２のパ
ターンとを有し、前記第１の透明部と前記第１の半透明
部を透過する光の位相がたがいに１８０°異なり、前記
第２の透明部と前記第２の半透明部を透過する光の位相
がたがいに１８０°異なり、かつ前記第１の透明部と前
記第２の透明部を透過する光の位相がたがいに１８０°
異なる露光マスクにであって、前記第１および第２のパ
ターン間の透過光の位相差は透明基板上に選択的に形成
された位相部材（シフタ層）により得る露光マスクにあ
る。この場合、前記位相部材は透明基板の平坦な上面に
選択的に形成され、前記位相部材の上面および前記透明
基板の上面に半透明膜パターンが形成される構成とする
ことができる。あるいは、透明基板の平坦な上面に半透
明膜パターンが形成され、前記半透明膜パターンの選択
的箇所を前記位相部材で被覆する構成にすることができ
る。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を説
明する。

【００３２】図１は縮小投影露光に用いる本発明に関係
のある露光マスクであるレチクルの断面図である。

【００３３】板厚Ｔの石英ガラス板よりなる透明基板５
の上面より周期的に凹部１１を形成し、凹部１１の底面
下の基板箇所の板厚をｔ（ｔ〈Ｔ）にする。そして凹部
間の基板上面、すなわち凸部上面から凹部底面に連続的
に例えば薄いクロム膜による半透明膜６を堆積し、凹部
および凸部の中央部分上の半透明膜６にそれぞれ開口部
（ホール）６Ａを形成することにより、第１のパターン
１００および第２のパターン２００を形成する。

【００３４】すなわち、第１のパターン１００は第１の
透明部１と第１の半透明部２を有して形成され、同様
に、第２のパターン２００は第２の透明部３と第２の半
透明部４を有して形成されている。

【００３５】そして、第１の透明部１は開口部６Ａ下の
板厚Ｔの透明基板の箇所から構成され、第１の半透明部
２は板厚Ｔの透明基板の箇所およびその上の半透明膜６
から構成され、第２の透明部３は開口部６Ａ下で凹部１
１により板厚がｔと薄くなった透明基板の箇所から構成
され、第２の半透明部４はこの薄い板厚ｔの透明基板の
箇所およびその上の半透明膜６から構成されている。

【００３６】そして半透明膜６の存在により、第１の透
明部１と第１の半透明部２とはその透過光が互いに位相
１８０°異なっており、同様に、第２の透明部３と第２
の半透明部４とはその透過光が互いに位相１８０°異な
っている。

【００３７】ここで透明部１，３における露光光の透過
率は９０％以上であり、半透明部２，４における露光光
の透過率は１〜１５％、例えば８％である。

【００３８】さらに図１では、第１のパターン１００に
よる透過光と第２のパターンによる透過光も互いに位相
が１８０°異なっている。すなわち、第１の透明部１を
透過した光と第２の透明部３を透過した光とは互いに位
相が１８０°異っている。同様に、第１の半透明部２を
透過した光と第２の半透明部４を透過した光も互いに位
相が１８０°異っている。

【００３９】この図１では、凹部１１の構成、すなわち
凹部１１の深さによる透明基板の厚さの差（Ｔ−ｔ）に
より、パターン間の位相の反転を行っている。

【００４０】図２に図１の露光マスクを透過した透過光
のプロファイルを示す。（Ａ）は第１のパターン１００
による光振幅Ｉのプロファイル１１０と第２のパターン
２００による光振幅Ｉのプロファイル２１０とを個別に
示し、（Ｂ）はそれらを合成したプロファイル３１０を
示す。

【００４１】透過光プロファイル１１０は第１の透明部
１の中心、すなわち半透明膜６に形成された開口部（ホ
−ル）６Ａの中心と一致したピークを有し、かつそのサ
イドにサイドローブ１１０′が形成されている。同様
に、透過光プロファイル２１０は第２の透明部３の中
心、すなわち半透明膜６に形成された開口部６Ａの中心
と一致したピークを有し、かつそのサイドにサイドロー
ブ２１０′が形成されている。

【００４２】そして凹部の段差により第１および第２の
パターン間で位相が１８０°異なっているからプロファ
イル１１０と２１０とは、図２（Ａ）に示すように、互
いに反転したプロファイルとなる。

【００４３】したがって、第１のパターン１００による
サイドローブ１１０′と第２のパターン２００によるサ
イドローブ２１０′とは正負の関係となり、これらのサ
イドローブが重なった領域で互いに相殺されるから合成
したプロファイル３１０のサイドローブ３１０′はその
強度が減少し、この減少した状態の透過光が投影レンズ
で１／５に寸法を縮小して半導体ウエハ上のレジストを
露光するから、連立する透明部３，１，３による回路パ
ターンを形成する領域間にサイドローブによる不所望な
パターンが形成されることが防止される。

【００４４】すなわち図７のＨレベル以上の投影露光レ
ベルによる領域（０．３５μｍ）がレジストに転写され
るように露光条件を設定した場合、図２（Ｂ）の合成さ
れたプロファイル３１０のサイドローブ３１０′による
光強度はＨレベルよりはるかに小となり略零となるか
ら、サイドローブによる不所望のパターンが現像後のレ
ジストパターンに形成されることはない。

【００４５】またこの縮小投影露光は、例えば露光装置
の投影レンズの開口数ＮＡ＝０．６、コヒーレンシーσ
＝０．３、露光波長λ＝３６５ｎｍ、半透明膜の透過率
＝８％、半透明膜の位相＝１８０°の条件で行うことが
できる。

【００４６】図３は図１の露光マスクを製造する方法を
工程順に示した断面図である。

【００４７】まず図３（Ａ）において、石英ガラス基板
５の平坦な主面から内部に凹部１１を形成する。この凹
部の寸法Ｐおよび凹部間の寸法Ｐはともに５．２５μｍ
であり、使用するステッパーの縮小率が１／５であるか
ら、この寸法は半導体ウエハ上で１．０５μｍに相当す
る。また凹部の深さは上記した１８０°の位相差がパタ
ーン間で得られる値にしてある。

【００４８】次に図３（Ｂ）において、薄いクロム膜も
しくは薄いクロム膜と二酸化シリコン膜を積層した積層
膜等の半透明膜６を全面に堆積し、その上にマスク製造
用のレジスト膜７を設け、電子ビーム８による選択的照
射を行う。

【００４９】その後、マスク製造用のレジスト膜７を現
像し、これをマスクにして半透明膜６をパターニングす
ることにより開口部（ホール）を透明基板５の凸部およ
び凹部のそれぞれの中央部上に形成して図３（Ｃ）、図
１に示す露光マスクを得る。この露光マスクにおいて半
透明膜６の開口部（ホール）６Ａの寸法Ｗ、すなわち透
明部１，３の寸法Ｗは１．７５μｍである。すなわち半
導体ウエハ上のレジストに縮小率１／５のステッパーを
用いて０．３５μｍのパターンを形成するために１．７
５μｍの開口を設けているから、マスクバイアス無のも
のであり、露光は図７のＢ２の条件で行なう。尚、配列
する開口部（ホール）と開口部間の寸法の割合いをパタ
ーンピッチと称して（開口部間の寸法）／（開口部の寸
法）で算定される。この実施の形態では、開口部間の寸
法が３．５０μｍ、開口部の寸法が１．７５μｍである
から、パターンピッチは２となる。

【００５０】先きに説明したように条件Ｂ２では、孤立
パターンのサイドローブによる光強度がＨレベル以上と
なるが、隣接するパターンのサイドローブどうしが図２
（Ｂ）に示すように相殺されて半導体ウエハ上に照射さ
れる露光光にはサイドローブがほとんど含まれないか
ら、Ｈレベル以上の不所望の潜像は形成されない。

【００５１】このように上記技術によればたがいに相殺
されることにより全体のサイドローブが低減されるか
ら、マスクバイアス無の露光マスクにすることができ
る。

【００５２】そして、半導体ウエハの０．３５μｍのレ
ジストパターンの場合、０．３５μｍ±１０％以内の条
件で規定する焦点深度は、マスクバイアス有の時は１．
５μｍであるが、マスクバイアス無の時は２．５μｍと
なり、このように大きな焦点深度の条件を用いることが
できる利点により位相シフトの効果を有効に利用でき
る。

【００５３】また上記技術はマスクバイアス無のハーフ
トーン型露光マスクで説明したが、焦点深度に余裕のあ
る場合は、マスクバイアス有のハーフトーン型露光マス
クに本発明を適用することも可能である。

【００５４】図４および図５はそれぞれ本発明の第１お
よび第２の実施の形態の露光マスクを示す断面図であ
る。尚、図４および図５において図１と同一もしくは類
似の箇所は同じ符号を付してあるから重複する説明は省
略する。

【００５５】図４では、透明基板５の平坦な表面上に１
８０°位相を異ならせる膜厚のシフタ層（位相部材）９
Ａを配列して第１のパターン１００および第２のパター
ン２００を形成している。

【００５６】すなわち図４において、第１のパターン１
００の第１の透明部１は開口部６Ａ下のシフタ層９Ａの
箇所とその下の透明基板５の箇所から構成され、第１の
パターン１００の第１の半透明部２は半透明膜６とその
下のシフタ層９Ａの箇所とその下の透明基板５の箇所か
ら構成され、第２のパターン２００の第２の透明部３は
開口部６Ａ下の透明基板５の箇所から構成され、第２の
パターン２００の第２の半透明部４は半透明膜６とその
下の透明基板５の箇所から構成されている。

【００５７】図５では、透明基板５の平坦な表明上に開
口部（ホール）６Ａを配列した半透明膜６のパターンを
形成し、１８０°位相を異ならせるシフタ層９Ｂを半透
明膜６に形成された開口部のうち１つおきの開口部を充
填してそのまま半透明膜６上に延在して選択的に形成し
て第１のパターン１００および第２のパターン２００を
構成している。

【００５８】すなわち図５において、第１のパターン１
００の第１の透明部１は開口部６Ａ内からその上のシフ
タ層９Ｂの箇所と開口部６Ａ下の透明基板５の箇所から
構成され、第１のパターン１００の第１の半透明部２は
半透明膜６上のシフタ層９Ｂの箇所とその下の半透明膜
６の箇所とその下の透明基板の箇所から構成され、第２
のパターン２００の第２の透明部３は開口部６Ａ下の透
明基板５の箇所から構成され、第２のパターン２００の
第２の半透明部４は半透明膜６とその下の透明基板５の
箇所から構成されている。

【００５９】シフタ層９Ａ，９ＢはＣＶＤ法によりステ
ップカバレッジ良く形成することができ、その膜厚Ｓ
は、Ｓ＝λ／２（ｎ−１）［λ：露光波長、ｎ＝露光波
長でのシフタ層の材料の屈折率］で導かれる。露光光に
ｉ線を用い、シフタ層の材料がＳｉＯ₂ の場合は屈折率
は１．４７であり、膜厚Ｓは３８８ｎｍとなる。

【００６０】以上の実施の形態は１次元的のもののみを
示したが、本発明の露光マスクはホール（開口部）アレ
イが２次元的な配置のものでも有効である。

【００６１】尚、基板をほりさげてシフタにする方法
は、エッチングストッパーがないからエッチング量の制
御が必要である。この制御は現状技術では困難ではない
が、シフタ層を成膜する方が一般的な製造技術を用いる
ことができる。一方、前者の方が後者より少ない工数で
レチクルを製造することができる。

【００６２】また、本発明の露光マスクは種々の露光
光、例えばｉ線、Ｅ線もしくはＦ線等で用いることがで
き、さらに、縮小投影露光以外の露光装置で用いること
もできる。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、ハーフト
ーン型位相シフトマスクにおいて、隣接するパターンの
位相を反転させてサイドローブどうしを相殺し、不要な
パターンの形成を回避することができる。

【００６４】また、ハーフトーン型マスク本来の向上さ
れた焦点深度の特質を減じることなくサイドローブによ
る影響を排除することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に関係のある技術の露光マスクを示す断
面図である。

【図２】図１の露光マスクを透過した透過光の振幅プロ
ファイルを示す図であり、（Ａ）は各パターンごとの振
幅プロファイル、（Ｂ）は（Ａ）の合成光の振幅プロフ
ァイルである。

【図３】図１の露光マスクの製造を工程順に示す断面図
である。

【図４】本発明の第１の実施の形態の露光マスクを示す
断面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態の露光マスクを示す
断面図である。

【図６】従来技術の露光マスクを示す断面図である。

【図７】各露光マスクを用いて回路パターンを露光する
際の透過光プロファイルを示す図である。

【図８】それぞれの露光マスクを用いた場合の焦点深度
を示す図である。

【符号の説明】

１ 第１の透明部 ２ 第１の半透明部 ３ 第２の透明部 ４ 第２の半透明部 ５ 透明基板 ６ 半透明膜 ６Ａ 半透明膜に形成された開口部（ホール） ７ マスク製造用のレジスト膜 ８ 電子ビーム ９Ａ，９Ｂ シフタ層 １１ 凹部 １２ 透明部 １３ 半透明部 １００ 第１のパターン １１０ 第１のパターンを透過した光振幅プロファイ
ル １１０′ 光振幅プロファイル１１０のうちのサイド
ローブ成分 ２００ 第２のパターン ２１０ 第２のパターンを透過した光振幅プロファイ
ル ２１０′ 光振幅プロファイル２１０のうちのサイド
ローブ成分 ３１０ 第１および第２の光振幅プロファイルを合成
した光振幅プロファイル ３１０′ 光振幅プロファイル３１０のうちのサイド
ローブ成分

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の透明部と第１の半透明部を有して
   構成される第１のパターンと、第２の透明部と第２の半
   透明部を有して構成され、前記第１のパターンに隣接し
   て設けられた第２のパターンとを有し、前記第１の透明
   部と前記第１の半透明部を透過する光の位相がたがいに
   １８０°異なり、前記第２の透明部と前記第２の半透明
   部を透過する光の位相がたがいに１８０°異なり、前記
   第１の透明部と前記第２の透明部を透過する光の位相が
   たがいに１８０°異なる露光マスクであって、前記第１
   および第２の透明部間の透過光の位相差は透明基板上に
   選択的に形成された位相部材により得られることを特徴
   とする露光マスク。
2. 【請求項２】 前記位相部材は透明基板の平坦な上面に
   選択的に形成され、前記位相部材の上面および前記透明
   基板の上面に半透明膜パターンが形成されていることを
   特徴とする請求項１記載の露光マスク。
3. 【請求項３】 透明基板の平坦な上面に半透明膜パター
   ンが形成され、前記半透明膜パターンの選択的箇所を前
   記位相部材で被覆していることを特徴とする請求項１記
   載の露光マスク。