KR950019909A - 포토마스크 및 포토마스크 블랭크 - Google Patents

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KR950019909A
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KR
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photolithography
photomask
light
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KR1019940036012A
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Inventor
수지 나까오
Original Assignee
기다오까 다까시
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60Substrates
    • GPHYSICS
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    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image

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Abstract

서로 대향되는 2개의 주면(2a,2b)을 갖는 투광성 기판(2)과, 상기 일 주면(2a)에 형성된 광차폐 패턴(3)을 구비하고, 상기 타 주면(2b)은 불규칙하게 분포된 복수의 요철을 포함하고, 상기 요철의 간격과 높이는 상기 포토리소그래피에 사용되는 광 파장의 50 내지 1000배의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 포토리소그래프(photolithography)에서 사용되는 포토마스크.

Description

포토마스크 및 포토마스크 블랭크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 포토마스크의 개략적인 단면도이다.

Claims (4)

  1. 포토리소그래피(photolithography)에 사용되는 포토마스크에 있어서, 서로 대향되는 2개의 주면(2a,2b)을 갖는 투광성 기판(2);및 상기 일주면(2a)에 형성된 광차폐 패턴(3)을 구비하고, 상기 타주면(2b)은 불규칙하게 분포된 복수의 요철을 포함하고, 상기 요철의 간격과 높이는 상기 포토리소그래피에 사용되는 광파장 50 내지 1000배의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광은 436nm의 파장을 갖는 g-라인, 365nm의 파장을 갖는 i-라인, 및 248nm의 파장을 갖는 KrF엑시머 레이저로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  3. 포토리소그래피에 사용되는 포토마스크를 제조하기 위한 포토마스크 블랭크(blank)에 있어서, 서로 대향되는 2개의 주면(2a,2b)을 구비한 투광성 기판(2);상기 일 주면(2a)에 형성된 광차폐층(3A);및 상기 광차폐층 상에 형성된 전자빔 레지스트 또는 포토레지스트층(4)을 구비하고, 상기 타주면(2b)은 불규칙하게 분포된 복수의 요철을 포함하고, 상기 요철의 간격과 높이는 상기 포토리소그래피에 사용되는 50 내지 1000배의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
  4. 제3항에 있어서, 상기 광은 436nm의 파장을 갖는 g-라인, 365nm의 파장을 갖는 i-라인, 및 248nm의 파장을 갖는 KrF엑시머 레이저로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940036012A 1993-12-27 1994-12-22 포토마스크 및 포토마스크 블랭크 KR950019909A (ko)

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JP33080293A JPH07191448A (ja) 1993-12-27 1993-12-27 フォトマスクおよびフォトマスクブランク
JP93-330802 1993-12-27

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5801821A (en) * 1995-06-30 1998-09-01 Intel Corporation Photolithography method using coherence distance control
KR20030006784A (ko) * 2001-07-16 2003-01-23 류석철 패턴형성용 노광장치 및 이를 이용한 노광방법
US7404877B2 (en) * 2001-11-09 2008-07-29 Springworks, Llc Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD
KR101094305B1 (ko) 2010-02-11 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 열전사용 마스크 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03266842A (ja) * 1990-03-16 1991-11-27 Fujitsu Ltd 反射型ホトリソグラフィ方法、反射型ホトリソグラフィ装置および反射型ホトマスク

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US5597667A (en) 1997-01-28
JPH07191448A (ja) 1995-07-28

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