KR880011899A - 포토레지스트패턴 형성방법 - Google Patents

포토레지스트패턴 형성방법 Download PDF

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KR880011899A
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이와오 히가시가와
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아오이 죠이치
가부식키가이샤 도시바
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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

포토레지스트패턴 형성방법.
제2도(a)내지 제2도(e)는 본 발명의 포토레지스트패턴형성 방법에 관한 일련의 공정단계를 나타낸 도면이다.

Claims (6)

  1. 기판표면에 포토레지스트재료를 도포해주는 단계와, 포토레지스트패턴을 형성시켜 주기 위해 제1광원에 상기 포토레지스트재료의 소정영역을 조광시켜 주는 단계, 상기 기판과 포토레지스트패턴을 패턴불용화 처리에 주는 단계, 노광되지 않은 영역의 외부 표면이 기판과 접촉되는 부위보다 더 큰 용해성을 갖도록 포토레지스트패턴의 비노광영역을 변형시켜 주는 단계 및, 포토레지스트패턴층을 형성시켜 주기 위해 비노광영역을 분해시켜 주는 단계를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 포토레지스트패턴형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 변형단계에는 특정파장을 자는 제2 광원으로 비노광영역을 조광시켜 주는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 포토레지스트패턴형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 광원에 의한 노광단계에는 포토레지스트재료의 표면영역을 마스크화 하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 포토레지스트패턴형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 광원에 의한 노광단계에는 그 제1 광원으로 노광영역을 노광시켜 주는 단계후에 마스크를 제거시켜 주는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 포토레지스트패턴형성방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제2 광원의 특정파장은 300nm 이하인 것을 특징으로 하는 포토레지스트패턴 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2 광원에 의한 노광단계에는 엑시머레이저로 부터의 광생성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트패턴형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880002225A 1987-03-04 1988-03-04 포토레지스트패턴 형성방법 KR920005636B1 (ko)

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