KR930008522A - 패턴형성방법 - Google Patents

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한우성
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김광호
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조공정중 포토리토그래피 공정에 있어서 부위에 따라 두께가 다른 레지스트를 노광시켜 패턴을 형성하는 방법에 있어서 레지스트의 두께의 중심선에 광선의 촛점을 맞추어 레지스트를 노출시키는 방법에 관한 것이다. 상기 노광공정은 광역단차의 패턴에 대응하는 포토마스크를 사용하여 노광을 수행하는 공정 및 밀접단차의 패턴에 대응하는 포토마스트를 사용하여 노광을 수행하는 공정을 포함한다. 본 발명의 노광방법에 따라 노광시킨 레지스트를 현상하면 소기의 일정한 선폭을 갖는 패턴형성을 수득할 수 있다.

Description

패턴형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 단차에 따라 서로 상이한 두께의 레지스트가 웨이퍼상에 도포되어 있음을 나타내는 단면도이고, 제5도는 본 발명의 방법에 따라 레지스트의 중심선에 광선의 촛점을 맞추어 노광했을때 수득한 광도분포를 나타내고,
제6도는 제5도와 같이 노광된 레지스트를 현상했을때 수득한 레지스트 패턴의 단면도를 나타낸다.

Claims (12)

  1. 부위에 따라 두께가 다른 레지스트를 노출시켜 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 레지스터의 두께의 중심선에 광선의 촛점을 맞추어 레지스트를 노출시킴을 특징으로 하는 패턴형성법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 방법이 반도체 제조에서의 포토리토그래피 공정의 노출 공정인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 노광공정을 서로 다른 패턴을 갖는 포토마스크를 2개 이상 사용하여 수행함을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 광역단차의 패턴에 대응하는 포토마스트를 사용하여 광역단차 부위를 노광하는 공정 및 밀접단차의 패턴에 대응하는 포토마스크를 사용하여 밀집단차 부위를 노광하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 포토마스트가 통상 마스크, 반사형마스크 또는 위상반전마스크인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 촛점면간의 편차가 -5.0㎛ 내지 +5.0㎛인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 서로 다른 두께의 레지스트는 반도체 기판의 단차에 따라 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  8. 제6항에 있어서, 밀집단차부위의 레지스트의 두께는 광역단차부위의 레지스트의 두께보다 작음을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 단차의 높이는 0.3㎛∼5.0㎛인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 레지스트가 포지형인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 레지스트가 노블락계, 화학증폭형 및 측쇄절단형 중 어느 하나임을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 광선이 g-라인(436nm), i-라인(365nm), h-라인(405nm), 엑시머레이저(248nm, 193nm)또는 브로드 밴드(240∼440nm)를 갖는 광선임을 특징으로 하는 패턴형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910018681A 1991-10-23 1991-10-23 패턴형성방법 KR940005623B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980005334A (ko) * 1996-06-04 1998-03-30 고노 시게오 노광 방법 및 노광 장치

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