KR950015591A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 제조 방식에 관한 것으로서, 경사면을 갖는 반도체 기판의 노광 공정시 경사면에 해당되는 부분에 도트 패턴을 구비하는 노광 마스크를 사용하거나, 경사면에 해당되는 부분으로의 노광을 방지하기 위한 보조패턴이 크롬 패턴들의 사이에 형성한 노광 마스크를 사용하여 경사면에서의 반사광에 의해 감광막의 예정되지 않은 부분이 노광되어 감공막이 손상되는 것을 방지하였으므로 종래의 삼층 레지스트 법이나, 저반사 물질을 이용하는 방법에 비해 공정이 간단하여 공정 수율을 증가시키고, 신뢰성을 향상시킨다.

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 감광막 패턴 형성을 위한 노광 마스크의 일실시예의 평면도,
제5도는 제4도에서의 선V-V에 따른 단면도,
제6도는 제4도의 노광 마스크를 사용한 반도체 장치의 단면도.

Claims (4)

  1. 경사면을 갖는 기판의 상측에 감광막 패턴을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 기판의 경사면에 대응되는 부분에 패턴이 되지 않을 정도의 크기로된 도트 패턴들을 구비하는 노광 마스크로 감광막을 노광하여 경사면에서 반사되는 광의 세기를 감소시켜 광반사에 의해 감광막 패턴의 손상을 방지하는 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서. 상기 도트 패턴이 광차단 물질이나 위상 반전 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도트 패턴이 0.1∼0.3㎛ 정도 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  4. 경사면을 갖는 기판의 상측에 감광막 패턴을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 기판의 경사면에서 반사되는 광에 노출되는 부분에 노광되는 광을 차단하는 별도의 보조 패턴을 구비하는 노광 마스크로 노광하여 광반사에 의한 감광막 패턴의 손상을 방지하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08314113A (ja) * 1995-05-17 1996-11-29 Fujitsu Ltd マスク及びこれを使用して形成されるプリント基板
US5866913A (en) * 1995-12-19 1999-02-02 International Business Machines Corporation Proximity correction dose modulation for E-beam projection lithography
US6228279B1 (en) * 1998-09-17 2001-05-08 International Business Machines Corporation High-density plasma, organic anti-reflective coating etch system compatible with sensitive photoresist materials
KR100476366B1 (ko) * 2002-04-17 2005-03-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
US6835504B2 (en) * 2002-05-13 2004-12-28 Macronix International Co., Ltd. Photomask with illumination control over patterns having varying structural densities
US6811933B2 (en) * 2002-07-01 2004-11-02 Marc David Levenson Vortex phase shift mask for optical lithography
CN100442475C (zh) * 2003-12-30 2008-12-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于制造半导体晶片的半色调掩模的制造方法和结构
JP6795323B2 (ja) 2016-04-07 2020-12-02 日東電工株式会社 配線回路基板およびその製造方法
JP6787693B2 (ja) 2016-06-07 2020-11-18 日東電工株式会社 配線回路基板の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0611672B2 (ja) * 1985-02-08 1994-02-16 秀之 川村 人造鉱物質繊維成形体
JPS6220844U (ko) * 1985-07-22 1987-02-07
JPS62135837A (ja) * 1985-12-10 1987-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ホトマスクおよびそれを用いた写真蝕刻法
JPS62276552A (ja) * 1986-05-26 1987-12-01 Hitachi Micro Comput Eng Ltd パタ−ン形成用マスク及びそれを用いた電子装置の製造方法
US4902899A (en) * 1987-06-01 1990-02-20 International Business Machines Corporation Lithographic process having improved image quality
JPH02151862A (ja) * 1988-12-05 1990-06-11 Omron Tateisi Electron Co フォトリソグラフィ用マスクおよびその作製方法
JPH03142466A (ja) * 1989-10-30 1991-06-18 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及びそれに用いられるマスク
JPH03186845A (ja) * 1989-12-15 1991-08-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路用フオトマスク
JPH04268556A (ja) * 1991-02-25 1992-09-24 Oki Electric Ind Co Ltd レジストパターン形成方法
JP2771907B2 (ja) * 1991-05-24 1998-07-02 三菱電機株式会社 フォトマスクおよびその製造方法
JPH05142748A (ja) * 1991-11-25 1993-06-11 Mitsubishi Electric Corp 位相シフトマスク及びその製造方法
US5411824A (en) * 1993-01-21 1995-05-02 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging

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