JPH02151862A - フォトリソグラフィ用マスクおよびその作製方法 - Google Patents
フォトリソグラフィ用マスクおよびその作製方法Info
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- JPH02151862A JPH02151862A JP63307116A JP30711688A JPH02151862A JP H02151862 A JPH02151862 A JP H02151862A JP 63307116 A JP63307116 A JP 63307116A JP 30711688 A JP30711688 A JP 30711688A JP H02151862 A JPH02151862 A JP H02151862A
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- mask
- shape
- film thickness
- mask material
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- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 13
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
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- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、フォトリソグラフィ用マスク（以下、マスク
と略称する）およびその作製方法に関する。
と略称する）およびその作製方法に関する。
（従来の技術）
所望の膜厚形状を有する物、例えばグレーティングを作
製する従来手法としては、電子線描画法と斜めドライエ
ツチング法とがある。
製する従来手法としては、電子線描画法と斜めドライエ
ツチング法とがある。
（発明が解決し・ようとする課題）
前者の電子線描画法にあっては、作製時間が長くかかる
こと、量産性に適さないこと、高価であることなどの欠
点が指摘される。後者の斜めドライエツチング法にあっ
ては、作製工程数が多くなって高価であるなどの欠点が
指摘されている。
こと、量産性に適さないこと、高価であることなどの欠
点が指摘される。後者の斜めドライエツチング法にあっ
ては、作製工程数が多くなって高価であるなどの欠点が
指摘されている。
これに対してフォトリソグラフィ法では前記両者の欠点
はなく、通常のマスクを用いて膜厚が一定となる矩形タ
イプのものの作製は可能であるが、膜厚が一定にならな
いもの例えばブレイズ型グレーティングとか、マイクロ
フレネルレンズのようものの作製はできなかった。
はなく、通常のマスクを用いて膜厚が一定となる矩形タ
イプのものの作製は可能であるが、膜厚が一定にならな
いもの例えばブレイズ型グレーティングとか、マイクロ
フレネルレンズのようものの作製はできなかった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、膜
厚が一定にならないものに対してもフォトリソグラフィ
法の適用が可能なマスクとその作製方法を提供すること
を目的としている。
厚が一定にならないものに対してもフォトリソグラフィ
法の適用が可能なマスクとその作製方法を提供すること
を目的としている。
（課題を解決するための手段および作用）このような目
的を達成するために、本発明の請求項（１）に係るフォ
トリソグラフィ用マスクにおいては、マスク基板と、前
記マスク基板の面上に形成されたマスク材料とを備え、
前記マスク材料は露光用の光を照射されたときにその光
に対しては所望の膜厚形状に関連付けられた光透過率分
布（ただし、縦軸を光透過率、横軸をマスク材料の長さ
方向にとってあらイっされる分布）を有するように構成
されていることを特徴としている。
的を達成するために、本発明の請求項（１）に係るフォ
トリソグラフィ用マスクにおいては、マスク基板と、前
記マスク基板の面上に形成されたマスク材料とを備え、
前記マスク材料は露光用の光を照射されたときにその光
に対しては所望の膜厚形状に関連付けられた光透過率分
布（ただし、縦軸を光透過率、横軸をマスク材料の長さ
方向にとってあらイっされる分布）を有するように構成
されていることを特徴としている。
上記構成を有する本発明のマスクにおいては、一方の面
上にフォトレジストを塗布された基板の該面上にそのマ
スクをのせてからその面の上方から紫外線を照射すると
、マスク基板の面上に形成されたマスク材料に対する紫
外線の光透過率分布が所望の膜厚を有する物、例えばブ
レイズ型グレーティングの断面形状に関連付けられてい
ることから、そのマスクを介してそのフォトレジストに
照射される紫外線量、つまり露光量はブレイズ型グレー
ティングの断面形状に関連した量となり、その結果、フ
ォトレジストはブレイズ型グレーティングの断面形状に
対応して露光される。そして、そのフォトレジストを現
像処理すると残ったフォトレジスト形状はブレイズ型グ
レーティングの形状に合致した形状となる。
上にフォトレジストを塗布された基板の該面上にそのマ
スクをのせてからその面の上方から紫外線を照射すると
、マスク基板の面上に形成されたマスク材料に対する紫
外線の光透過率分布が所望の膜厚を有する物、例えばブ
レイズ型グレーティングの断面形状に関連付けられてい
ることから、そのマスクを介してそのフォトレジストに
照射される紫外線量、つまり露光量はブレイズ型グレー
ティングの断面形状に関連した量となり、その結果、フ
ォトレジストはブレイズ型グレーティングの断面形状に
対応して露光される。そして、そのフォトレジストを現
像処理すると残ったフォトレジスト形状はブレイズ型グ
レーティングの形状に合致した形状となる。
すなわち、本発明のマスクを用いた場合では膜厚が一定
しない例えばブレイズ型グレーティングのようなものに
対してもフォトリソグラフィ法、つまり短時間で低価格
でそれを量産して作製することができることになる。
しない例えばブレイズ型グレーティングのようなものに
対してもフォトリソグラフィ法、つまり短時間で低価格
でそれを量産して作製することができることになる。
このような請求項（１）に記載のマスクは、本発明の請
求項（２）の作製方法における第１の工程でマスク基板
の面上にマスク材料を形成し、第２の工程でマスク材料
の面上にレジストを形成し、第３の工程でそのレジスト
を所望の膜厚形状に関連した形状に形成する。そして、
第４の工程では萌記第３の工程により所望の膜厚形状に
関連した形状にされたレジストを用いて前記マスク材料
を当該所望の膜厚形状に関連付けた形状にエツチングす
ることで作製することができる。
求項（２）の作製方法における第１の工程でマスク基板
の面上にマスク材料を形成し、第２の工程でマスク材料
の面上にレジストを形成し、第３の工程でそのレジスト
を所望の膜厚形状に関連した形状に形成する。そして、
第４の工程では萌記第３の工程により所望の膜厚形状に
関連した形状にされたレジストを用いて前記マスク材料
を当該所望の膜厚形状に関連付けた形状にエツチングす
ることで作製することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。第１図は本発明の実施例に係るフォトリソグラフィ用
マスクの断面図であり、第２Ａ図および第２Ｂ図はその
マスクの作製方法の説明に供する断面図である。
。第１図は本発明の実施例に係るフォトリソグラフィ用
マスクの断面図であり、第２Ａ図および第２Ｂ図はその
マスクの作製方法の説明に供する断面図である。
本発明のマスク１は第１図に示すように、マスク基板２
と、このマスク基板２の面上に形成されたクロムなどか
らなるマスク材料３とを備える。
と、このマスク基板２の面上に形成されたクロムなどか
らなるマスク材料３とを備える。
このマスク材料３は所望の膜厚形状例えば等間隔ブレイ
ズ型グレーティングの断面形状に関連付けられた断面形
状を有している。つまり、このマスク材料３は、フォト
レジストを塗布した基板上にこのマスクｌをのせた状態
で紫外線照射した場合に、そのフォトレジストに対する
紫外線゛の露光分布がブレイズ型グレーティングの断面
形状となるような断面形状に形成されている。
ズ型グレーティングの断面形状に関連付けられた断面形
状を有している。つまり、このマスク材料３は、フォト
レジストを塗布した基板上にこのマスクｌをのせた状態
で紫外線照射した場合に、そのフォトレジストに対する
紫外線゛の露光分布がブレイズ型グレーティングの断面
形状となるような断面形状に形成されている。
したがって、基板の面上にフォトレジストを塗布し、こ
のフォトレジストの上にマスク１をのせてから紫外線を
照射すると、フォトレジストに対する紫外線の露光最分
布はブレイズ型グレーティングの断面形状に合致した分
布となる。
のフォトレジストの上にマスク１をのせてから紫外線を
照射すると、フォトレジストに対する紫外線の露光最分
布はブレイズ型グレーティングの断面形状に合致した分
布となる。
つぎに、このようなマスクｌの作製方法について第２Ａ
図、第２Ｂ図を参照して説明すると、まず、第２Ａ図の
ようにマスク基板２の面上に所定の膜厚のマスク材料３
を形成する（第１の工程）。
図、第２Ｂ図を参照して説明すると、まず、第２Ａ図の
ようにマスク基板２の面上に所定の膜厚のマスク材料３
を形成する（第１の工程）。
同じく第２Ａ図のようにマスク材料３の面上に電子線レ
ジスト４を形成する（第２の工程）。ついで、第２Ｂ図
のように電子線レジスト４を公知の電子線描画法を用い
てブレイズ型グレーティングの断面形状に関連付けられ
た形状に形成する（第３の工程）。そして、第３の工程
により形成した電子線レジスト４を用いてマスク材料３
を公知のドライエツチング法によりブレイズ型ダレ７テ
イングの断面形状に関連した形状にエツチングする（第
４の工程）。このエツチングの結果、第１図のようなマ
スクＩが得られる。
ジスト４を形成する（第２の工程）。ついで、第２Ｂ図
のように電子線レジスト４を公知の電子線描画法を用い
てブレイズ型グレーティングの断面形状に関連付けられ
た形状に形成する（第３の工程）。そして、第３の工程
により形成した電子線レジスト４を用いてマスク材料３
を公知のドライエツチング法によりブレイズ型ダレ７テ
イングの断面形状に関連した形状にエツチングする（第
４の工程）。このエツチングの結果、第１図のようなマ
スクＩが得られる。
第３図は本発明における他の実施例に係るマスクの平面
図である。第３図に示されるマスク５にあっては、マス
ク基板２の面上においてブレイズ型グレーティングの溝
幅（格子間隔）ａｏ、ａｌａ２・・・毎に対応し、かっ
各溝内においては図で右側を密に左側を粗となるように
ドツト状でマスク材料３を多数形成してなるものである
。第３図のような形状にマスク材料３を形成したマスク
５にあっても第１図のマスクｌと同様の作用効果がある
。なお、不等間隔のブレイズ型グレーティングに対して
は上記溝幅を不等間隔に設定し、等間隔のブレイズ型グ
レーティングに対しては上記溝幅を等間隔に設定する。
図である。第３図に示されるマスク５にあっては、マス
ク基板２の面上においてブレイズ型グレーティングの溝
幅（格子間隔）ａｏ、ａｌａ２・・・毎に対応し、かっ
各溝内においては図で右側を密に左側を粗となるように
ドツト状でマスク材料３を多数形成してなるものである
。第３図のような形状にマスク材料３を形成したマスク
５にあっても第１図のマスクｌと同様の作用効果がある
。なお、不等間隔のブレイズ型グレーティングに対して
は上記溝幅を不等間隔に設定し、等間隔のブレイズ型グ
レーティングに対しては上記溝幅を等間隔に設定する。
その他のグレーティングとしてはフレネルレンズタイプ
のものもあるが、同様にして作製することができること
は言うまでもない。
のものもあるが、同様にして作製することができること
は言うまでもない。
第４図は本発明におけるさらに他の実施例に係るマスク
の平面図である。第４図に示されるマスク６にあっては
、帯状３ａ １，３ａ ２，３ａ ３にマスク材料３を
形成するとともに、各帯状の間隔を粗密にして形成した
ものである。この場合のマスク６も等間隔のブレイズ型
グレーティングに対してはその溝幅ａ Ｏ，ａ １．ａ
２・・・を互いに相等しく設定し、不等間隔のそれに
対してはその溝幅をそれに合わせて異なるように設定す
る。さらに、フレネルレンズタイプのグレーティングに
対しても上記第３図と同様にして作製することができる
。
の平面図である。第４図に示されるマスク６にあっては
、帯状３ａ １，３ａ ２，３ａ ３にマスク材料３を
形成するとともに、各帯状の間隔を粗密にして形成した
ものである。この場合のマスク６も等間隔のブレイズ型
グレーティングに対してはその溝幅ａ Ｏ，ａ １．ａ
２・・・を互いに相等しく設定し、不等間隔のそれに
対してはその溝幅をそれに合わせて異なるように設定す
る。さらに、フレネルレンズタイプのグレーティングに
対しても上記第３図と同様にして作製することができる
。
また、第３図および第４図の各実施例のマスク５および
６はそれぞれ第１図のような方法で作製することができ
るのみならず、通常のフォトリソグラフィ法を用いても
作製することもできる。
６はそれぞれ第１図のような方法で作製することができ
るのみならず、通常のフォトリソグラフィ法を用いても
作製することもできる。
（発明の効果）
以上説明したことから明らかなように本発明のマスクを
用いれば、フォトリソグラフィでもって所望の膜厚形状
の物例えばブレイズ型グレーティングのような物を作製
することができる結果、電子線描画法とかドライエツチ
ング法法によっていた従来法よりも作製時間の短縮化、
量産性向」二、低価格化を図ることができる。
用いれば、フォトリソグラフィでもって所望の膜厚形状
の物例えばブレイズ型グレーティングのような物を作製
することができる結果、電子線描画法とかドライエツチ
ング法法によっていた従来法よりも作製時間の短縮化、
量産性向」二、低価格化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例に係るマスクの断面図、第２Ａ
図および第２Ｂ図は第１図のマスクの作製方法の説明に
供する断面図、第３図は本発明の他の実施例に係るマス
クの平面図、第４図は本発明のさらに他の実施例に係る
マスクの平面図である。 １．５．６・・・マスク、２・・・マスク基板、３・・
・マスク材料、４・・・電子線レジスト。
図および第２Ｂ図は第１図のマスクの作製方法の説明に
供する断面図、第３図は本発明の他の実施例に係るマス
クの平面図、第４図は本発明のさらに他の実施例に係る
マスクの平面図である。 １．５．６・・・マスク、２・・・マスク基板、３・・
・マスク材料、４・・・電子線レジスト。
Claims (2)
- （１）マスク基板と、 前記マスク基板の面上に形成されたマスク材料とを備え
、 前記マスク材料は露光用の光を照射されたときにその光
に対しては所望の膜厚形状に関連付けられた光透過率分
布（ただし、縦軸を光透過率、横軸をマスク材料の長さ
方向にとってあられされる分布）を有するように構成さ
れていることを特徴とするフォトリソグラフィ用マスク
。 - （２）マスク基板の面上にマスク材料を形成する第１の
工程と、 前記マスク材料の面上にレジストを形成する第２の工程
と、 そのレジストを所望の膜厚形状に関連付けられた形状に
形成する第３の工程と、 前記第３の工程により形成したレジストを用いて前記マ
スク材料を前記膜厚形状に関連した形状にエッチングす
る第４の工程 とからなる請求項（１）に記載のフォトリソグラフィ用
マスクの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63307116A JPH02151862A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | フォトリソグラフィ用マスクおよびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63307116A JPH02151862A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | フォトリソグラフィ用マスクおよびその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02151862A true JPH02151862A (ja) | 1990-06-11 |
Family
ID=17965221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63307116A Pending JPH02151862A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | フォトリソグラフィ用マスクおよびその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02151862A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0588335A (ja) * | 1991-02-20 | 1993-04-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | ワークピースに所定傾斜の傾斜面を形成する方法 |
| JPH07219206A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-08-18 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | フォトマスク |
| EP1137969A1 (en) * | 1998-09-17 | 2001-10-04 | Mems Optical, LLC | Method of using a modulated exposure mask |
| JP2001312044A (ja) * | 2000-05-01 | 2001-11-09 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 濃度分布マスクとそれを用いた３次元構造体製造方法 |
| JP2008241935A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Toppan Printing Co Ltd | グレーマスク及びグレーマスク用パターン製造方法 |
| US20140092384A1 (en) * | 2011-05-19 | 2014-04-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Diffraction grating manufacturing method, spectrophotometer, and semiconductor device manufacturing method |
-
1988
- 1988-12-05 JP JP63307116A patent/JPH02151862A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0588335A (ja) * | 1991-02-20 | 1993-04-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | ワークピースに所定傾斜の傾斜面を形成する方法 |
| JPH07219206A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-08-18 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | フォトマスク |
| EP1137969A1 (en) * | 1998-09-17 | 2001-10-04 | Mems Optical, LLC | Method of using a modulated exposure mask |
| EP1137969A4 (en) * | 1998-09-17 | 2002-11-13 | Mems Optical Llc | PROCESS RELATING TO THE USE OF A MODULATED EXPOSURE COVER |
| US6613498B1 (en) | 1998-09-17 | 2003-09-02 | Mems Optical Llc | Modulated exposure mask and method of using a modulated exposure mask |
| JP2001312044A (ja) * | 2000-05-01 | 2001-11-09 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 濃度分布マスクとそれを用いた３次元構造体製造方法 |
| JP4678640B2 (ja) * | 2000-05-01 | 2011-04-27 | リコー光学株式会社 | 濃度分布マスクとそれを用いた３次元構造体製造方法 |
| JP2008241935A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Toppan Printing Co Ltd | グレーマスク及びグレーマスク用パターン製造方法 |
| US20140092384A1 (en) * | 2011-05-19 | 2014-04-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Diffraction grating manufacturing method, spectrophotometer, and semiconductor device manufacturing method |
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