KR950014991A - 레티클 제조방법(Method of manufacturing reticle) - Google Patents

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Abstract

소정의 패턴을 가진 래티클 제조방법은 전자 비임 감광층이 적용되는 유리기판을 포함하는 마스크 브랭크에 전자비임을 방출하는 단계를 포함한다. 상기 마스크 브랭크는 스텝퍼가 레티클을 통하여 반도체 웨이퍼를 광에 노출시킬때에 레티클이 유지되는 위치와 동일 위치에 유지된다. 예를들면 상기 마스크 브랭크는 전자비임 감광층이 하부로 향하고 전자비임 상기 층의 저부로부터 방출되도록 유지된다. 상기 방법은 레티클의 곡률때문에 발생할 수 있는 패턴의 치수 오차와 패턴의 변위를 해소시킬 수 있다.

Description

레티클 제조방법(Method of manufacturing reticle)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 실시예에 따른 마스크 브랭크에 전자비임을 방사하기 위한 장치를 도시하는 개략도.

Claims (9)

  1. 소정의 패턴을 갖는 레티클 제조방법에 있어서, 상기 방법은 전자비임 감광층이 적용되는 유리기판을 포함하는 마스크 브랭크에 전자비임을 방출하는 단계를 포함하며, 상기 마스크 브랭크는 스텝퍼가 레티클을 통하여 반도체 웨이퍼를 빛에 노출시킬때 상기 레티클이 유지되는 위치와 동일 위치의 장소에 유지되는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유리기판은 그위에 광 차단층을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 레티클은 전자비침이 레티클에 방출될때와 스텝퍼가 레티클을 통하여 반도체 웨이퍼를 빛에 노출시킬때 레티클의 모서리 부분에서만 유지되는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
  4. 소정의 패턴을 갖는 레티클 제조 방법에 있어서, 상기 방법은 전자 비임 감광층이 적용되는 유리기판을 포함하는 마스크 브랭크에 전자비임을 방출하는 단계를 포함하며, 상기 전자비임 감광층이 하방으로 향하도록 상기 마스크 브랭크는 유지되고, 상기 전자비임은 상기층의 저부로부터 방출되는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 유리기판은 그위에 적용된 광차단층을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 레티클은 전자비임이 레티클에 방출될때와 스텝퍼가 레티클을 통하여 반도체 웨이퍼를 빛에 노출시킬때 레티클의 모서리 부분에서만 유지되는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
  7. 소정의 패턴을 갖는 레티클 제조방법에 있어서, 상기 방법은 전자 비임 감광층이 적용되는 유리기판을 포함하는 마스크 브랭크에 전자비임을 방출하는 단계를 포함하며, 마스크 브랭크의 곡률 방향과 전자 비임이 방출되는 방향 사이의 관계가 스텝퍼가 레티클을 통하여 반도체 웨이퍼를 빛에 노출시키는데에서의 상기 이들의 관계와 동일한 관계로 상기 마스크 브랭크가 유지되는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 유리기판은 그 위에 광 차단층을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 레티클은 전자비임이 레티클에 방출될때와 스텝퍼가 레티클을 통하여 반도체 웨이퍼를 빛에 노출시킬때 레티클의 모서리 부분에서만 유지되는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940029383A 1993-11-15 1994-11-10 레티클 제조방법 KR0142632B1 (ko)

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