JP2794793B2 - 露光用マスクの製造方法 - Google Patents
露光用マスクの製造方法Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。
A.産業上の利用分野 B.発明の概要 C.背景技術［第２図］ D.発明が解決しようとする問題点［第３図、第４図］ E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例［第１図］ H.発明の効果 （A.産業上の利用分野） 本発明は露光用マスクの製造方法、特に透明基板にマ
スク膜を形成し、該マスク膜に対して露光及び選択的エ
ッチング処理を施すことによりマスク膜からなるマスク
パターンを形成する露光用マスクの製造方法に関する。
スク膜を形成し、該マスク膜に対して露光及び選択的エ
ッチング処理を施すことによりマスク膜からなるマスク
パターンを形成する露光用マスクの製造方法に関する。
（B.発明の概要） 本発明は、上記の露光用マスクの製造方法において、 透明基板の表面に形成するマスク膜のパターン精度の
向上を図るため、 マスク膜の透明基板に占める面積の割合に応じて異な
る補正量でマスクパターン位置の補正を行うものであ
る。
向上を図るため、 マスク膜の透明基板に占める面積の割合に応じて異な
る補正量でマスクパターン位置の補正を行うものであ
る。
（C.背景技術）［第２図］ IC、LSI、VLSI等半導体集積回路を製造するには、半
導体基板上に各種のパターンを形成する必要があり、そ
してそのパターンの形成は透明基板にマスク膜を選択的
に形成してなるマスクを予め用意しておき、このマスク
越しに光、イオンビーム、電子線等を半導体基板に照射
するという光学的転写方法により行われる（特開昭59−
178726号公報）。
導体基板上に各種のパターンを形成する必要があり、そ
してそのパターンの形成は透明基板にマスク膜を選択的
に形成してなるマスクを予め用意しておき、このマスク
越しに光、イオンビーム、電子線等を半導体基板に照射
するという光学的転写方法により行われる（特開昭59−
178726号公報）。
より具体的に説明すると、半導体基板の表面にネガ型
あるいはポジ型のフォトレジスト膜を塗布した後、露光
用マスク越しにフォトレジスト膜に光、イオンビームあ
るいは電子線等を照射する。すると、ネガ型フォトレジ
スト膜の場合は光が照射された部分が硬化し、ポジ型フ
ォトレジスト膜の場合は光が照射された部分が分解す
る。その後、現像処理する。すると、ネガ型フォトレジ
スト膜の場合は光が照射されて硬化した部分の残りの部
分が除去され、ポジ型フォトレジスト膜の場合は光が照
射された部分が除去され、光が照射されなかった部分が
残る。この現像後にフォトレジスト膜をマスクとして下
地膜等をエッチングすることにより半導体基板に所定の
パターンを形成することができる。また、フォトレジス
ト膜をマスクとして不純物の導入が行われる場合もあ
る。
あるいはポジ型のフォトレジスト膜を塗布した後、露光
用マスク越しにフォトレジスト膜に光、イオンビームあ
るいは電子線等を照射する。すると、ネガ型フォトレジ
スト膜の場合は光が照射された部分が硬化し、ポジ型フ
ォトレジスト膜の場合は光が照射された部分が分解す
る。その後、現像処理する。すると、ネガ型フォトレジ
スト膜の場合は光が照射されて硬化した部分の残りの部
分が除去され、ポジ型フォトレジスト膜の場合は光が照
射された部分が除去され、光が照射されなかった部分が
残る。この現像後にフォトレジスト膜をマスクとして下
地膜等をエッチングすることにより半導体基板に所定の
パターンを形成することができる。また、フォトレジス
ト膜をマスクとして不純物の導入が行われる場合もあ
る。
ところで、半導体基板のパターン形成は何回も行われ
るが、そのパターン形成にはネガ型フォトレジスト膜が
使用されたりポジ型フォトレジスト膜が使用されたり
し、そのいずれか一方の型のフォトレジスト膜を用いて
全部のパターン形成が行われるということはない。とい
うのは、絶縁膜にスルーホールを形成する場合のように
エッチングする部分の半導体基板に占める面積の割合が
小さいときはポジ型フォトレジスト膜を使用した方が微
細形成がし易く、逆にエッチングする部分の半導体基板
に占める面積の割合が大きい場合にはネジ型フォトレジ
スト膜を使用した方が好ましい。しかも、半導体装置の
製造プロセスにおいてはエッチングする部分の方がしな
い部分よりも面積が大きくなるパターン形成が必要であ
ると共にその逆の関係になるパターン形成も必要だから
である。
るが、そのパターン形成にはネガ型フォトレジスト膜が
使用されたりポジ型フォトレジスト膜が使用されたり
し、そのいずれか一方の型のフォトレジスト膜を用いて
全部のパターン形成が行われるということはない。とい
うのは、絶縁膜にスルーホールを形成する場合のように
エッチングする部分の半導体基板に占める面積の割合が
小さいときはポジ型フォトレジスト膜を使用した方が微
細形成がし易く、逆にエッチングする部分の半導体基板
に占める面積の割合が大きい場合にはネジ型フォトレジ
スト膜を使用した方が好ましい。しかも、半導体装置の
製造プロセスにおいてはエッチングする部分の方がしな
い部分よりも面積が大きくなるパターン形成が必要であ
ると共にその逆の関係になるパターン形成も必要だから
である。
第２図（Ａ）はポジ型フォトレジスト膜を用いてのエ
ッチングに用いる露光用マスクであるポジレティクルを
示し、同図（Ｂ）はネガ型フォトレジスト膜を用いての
エッチングに用いる露光用マスクであるネガレティクル
を示している。
ッチングに用いる露光用マスクであるポジレティクルを
示し、同図（Ｂ）はネガ型フォトレジスト膜を用いての
エッチングに用いる露光用マスクであるネガレティクル
を示している。
同図において、ａはガラスからなる透明基板、ｂは透
明基板ａの一方の主面に形成されたマスク膜で、一般に
クロムからなる。同図（Ａ）に示すポジレティクルは透
明基板ａの主面に全面的にクロム等のマスク膜ｂを形成
し、その後マスク膜ｂ上にポジ型フォトレジスト膜を形
成し、電子線露光装置を用いて露光し、現像し、しかる
後、ポジ型フォトレジスト膜をマスクとしてマスク膜ｂ
をエッチングすることにより製造されるが、残存するマ
スク膜ｂがレティクル全体に占める面積の割合が50％よ
りも相当に大きい。一方、図面（Ｂ）に示すネガレティ
クルは、レジスト膜としてネガ型フォトレジスト膜を用
いることとし、選択的エッチング後に残存するマスク膜
ｂがレティクル全体に占める面積の割合が50％よりも相
当に小さい点で異なっている。しかし、従来においては
ポジレティクルもネガレティクルも同じ方法で製造され
ていた。
明基板ａの一方の主面に形成されたマスク膜で、一般に
クロムからなる。同図（Ａ）に示すポジレティクルは透
明基板ａの主面に全面的にクロム等のマスク膜ｂを形成
し、その後マスク膜ｂ上にポジ型フォトレジスト膜を形
成し、電子線露光装置を用いて露光し、現像し、しかる
後、ポジ型フォトレジスト膜をマスクとしてマスク膜ｂ
をエッチングすることにより製造されるが、残存するマ
スク膜ｂがレティクル全体に占める面積の割合が50％よ
りも相当に大きい。一方、図面（Ｂ）に示すネガレティ
クルは、レジスト膜としてネガ型フォトレジスト膜を用
いることとし、選択的エッチング後に残存するマスク膜
ｂがレティクル全体に占める面積の割合が50％よりも相
当に小さい点で異なっている。しかし、従来においては
ポジレティクルもネガレティクルも同じ方法で製造され
ていた。
（D.発明が解決しようとする問題点）［第３図、第４
図］ ところで、半導体デバイスの高集積化に伴い、チップ
パターン転写によって形成される層間重ね合わせ精度を
高くすることが強く要求されるようになっている。その
ため、１つのデバイスの製造に用いる各レティクル間の
重ね合わせ精度を高くすることが要求されるが、その要
求に応えることが難しくなっている。
図］ ところで、半導体デバイスの高集積化に伴い、チップ
パターン転写によって形成される層間重ね合わせ精度を
高くすることが強く要求されるようになっている。その
ため、１つのデバイスの製造に用いる各レティクル間の
重ね合わせ精度を高くすることが要求されるが、その要
求に応えることが難しくなっている。
そこで、その原因を追究したところ、第２図（Ａ）に
示すようにマスク膜ｂのレティクル全体に占める面積の
割合が大きいものと、同図（Ｂ）に示すようにマスク膜
ｂのレティクル全体を占める面積の割合が小さいものと
で位置精度が異なり、その結果、第２図（Ａ）に示すよ
うなポジレティクルを用いて形成した層、膜、あるいは
スルーホール等と同図（Ｂ）に示すようなネガレティク
ルを用いて形成した層、膜、あるいはスルーホール等と
の間に重ね合わせ誤差が生じ、これがより一層の半導体
デバイスの高集積化を阻む大きな要因になるということ
が判明した。そして、ポジレティクルとネガレティクル
とで位置精度が異なるのは、薄膜応力により反りが異な
ることに起因していることが判明した。この点について
第３図、第４図に従って具体的に説明すると次の通りで
ある。
示すようにマスク膜ｂのレティクル全体に占める面積の
割合が大きいものと、同図（Ｂ）に示すようにマスク膜
ｂのレティクル全体を占める面積の割合が小さいものと
で位置精度が異なり、その結果、第２図（Ａ）に示すよ
うなポジレティクルを用いて形成した層、膜、あるいは
スルーホール等と同図（Ｂ）に示すようなネガレティク
ルを用いて形成した層、膜、あるいはスルーホール等と
の間に重ね合わせ誤差が生じ、これがより一層の半導体
デバイスの高集積化を阻む大きな要因になるということ
が判明した。そして、ポジレティクルとネガレティクル
とで位置精度が異なるのは、薄膜応力により反りが異な
ることに起因していることが判明した。この点について
第３図、第４図に従って具体的に説明すると次の通りで
ある。
ガラスからなる透明基板ａの表面に全面的にクロムか
らなるマスク膜ｂを例えば蒸着等により形成した後、マ
スクパターンの形成に供する前の階段では露光用マスク
は第３図において示すｃのように薄膜応力による反りが
生じている。この露光用マスクｃのマスク膜ｂに対して
フォトエッチングすることにより例えば同図に示すｄの
ようなポジレティクルが形成されたり、同図に示すｅの
ようなネガレティクルが形成されたりするが、その際マ
スク膜ｂの面積が小さくなるので薄膜応力による反りも
小さくなる。しかし、薄膜応力による反りの小さくなり
方がポジレティクルの場合と、ネガレティクルの場合と
で異なるのであり、マスク膜ｂの面積の小さいネガレテ
ィクルの場合の方が逆のポジレティクルの場合よりも反
りの小さくなりようが激しい。その結果、反りが小さく
なることによって生じる位置座標の狂い方が第４図
（Ａ）、（Ｂ）に示すようにネガレティクルの方がポジ
レティクルよりも大きくなる。第４図において、実線は
理想格子であり、破線はエッチング後における格子を示
しその両格子間のずれが反りによる座標のずれというこ
とになる。そして、全工程においてマスク膜ｂのレティ
クル全体を占める面積の割合が同程度のものを使用する
ことができれば、上述した層間重ね精度を非常に小さく
することができるが、マスク膜ｂのレティクル全体に占
める面積の割合が同程度のレティクルを使用して全マス
クパターンの形成を行うことは不可能であり、各マスク
パターン形成工程毎にマスク膜ｂのレティクル全体を占
める面積の割合は異ならざるを得ない。従って、従来に
おいては層間重ね合わせ精度を高くすることに大きな限
界があった。
らなるマスク膜ｂを例えば蒸着等により形成した後、マ
スクパターンの形成に供する前の階段では露光用マスク
は第３図において示すｃのように薄膜応力による反りが
生じている。この露光用マスクｃのマスク膜ｂに対して
フォトエッチングすることにより例えば同図に示すｄの
ようなポジレティクルが形成されたり、同図に示すｅの
ようなネガレティクルが形成されたりするが、その際マ
スク膜ｂの面積が小さくなるので薄膜応力による反りも
小さくなる。しかし、薄膜応力による反りの小さくなり
方がポジレティクルの場合と、ネガレティクルの場合と
で異なるのであり、マスク膜ｂの面積の小さいネガレテ
ィクルの場合の方が逆のポジレティクルの場合よりも反
りの小さくなりようが激しい。その結果、反りが小さく
なることによって生じる位置座標の狂い方が第４図
（Ａ）、（Ｂ）に示すようにネガレティクルの方がポジ
レティクルよりも大きくなる。第４図において、実線は
理想格子であり、破線はエッチング後における格子を示
しその両格子間のずれが反りによる座標のずれというこ
とになる。そして、全工程においてマスク膜ｂのレティ
クル全体を占める面積の割合が同程度のものを使用する
ことができれば、上述した層間重ね精度を非常に小さく
することができるが、マスク膜ｂのレティクル全体に占
める面積の割合が同程度のレティクルを使用して全マス
クパターンの形成を行うことは不可能であり、各マスク
パターン形成工程毎にマスク膜ｂのレティクル全体を占
める面積の割合は異ならざるを得ない。従って、従来に
おいては層間重ね合わせ精度を高くすることに大きな限
界があった。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもの
であり、透明基板の表面に形成するマスク膜のパターン
の精度の向上を図り、層間重ね合せ精度の向上を図るこ
とができるようにする目的とする。
であり、透明基板の表面に形成するマスク膜のパターン
の精度の向上を図り、層間重ね合せ精度の向上を図るこ
とができるようにする目的とする。
（E.問題点を解決するための手段） 本発明露光用マスクの製造方法は上記問題点を解決す
るため、マスク膜の透明基板に占める面積の割合に応じ
て異なる補正量でマスクパターン位置の補正を行うこと
を特徴とする。
るため、マスク膜の透明基板に占める面積の割合に応じ
て異なる補正量でマスクパターン位置の補正を行うこと
を特徴とする。
（F.作用） 本発明露光用マスクの製造方法によれば、マスク膜の
透明基板に占める面積の割合に応じて異なる補正量でマ
スクパターン位置の補正を行うのでマスク膜の透明基板
に占める面積の割合の違いに起因するマスク上の位置の
座標の違いをなくすことができ、延いてはマスク膜のパ
ターンの精度を高くすることができる。そして、半導体
装置の製造における層間重ね合せ精度を高めることがで
きる。
透明基板に占める面積の割合に応じて異なる補正量でマ
スクパターン位置の補正を行うのでマスク膜の透明基板
に占める面積の割合の違いに起因するマスク上の位置の
座標の違いをなくすことができ、延いてはマスク膜のパ
ターンの精度を高くすることができる。そして、半導体
装置の製造における層間重ね合せ精度を高めることがで
きる。
（G.実施例）［第１図］ 以下、本発明露光用マスクの製造方法を実施例に従っ
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第１図はマスクパターン形成のための露光に用いる電
子ビーム露光装置を示す概略構成図である。
子ビーム露光装置を示す概略構成図である。
図面において、１は装置本体、２は電子銃、３はブラ
ンキング電極、４はレンズ、５はビーム成形回路、６〜
８はレンズ、９は偏向電極、10は電子ビームにより露光
されるレティクル、11はレティクル支持台である。
ンキング電極、４はレンズ、５はビーム成形回路、６〜
８はレンズ、９は偏向電極、10は電子ビームにより露光
されるレティクル、11はレティクル支持台である。
12は電子ビームをブランキングしたりしなかったりす
るブランキング制御を行うビームブランキング回路、13
はビームの断面形状を所定の形に成形するビーム成形回
路、14はビームを偏向するビーム偏向回路、15はステー
ジ制御回路、16は高速データ転送回路、17はバッファメ
モリ、18は描画データ、19は露光によりマスクパターン
を形成しようとするレティクルの描画率（即ち、エッチ
ング後におけるマスク膜のレティクル全体に占める面積
の割合）に応じて位置座標の補正が正しく行われるよう
にするためのスイッチであり、描画率をパラメータとす
るデータをバッファメモリ17へ切換えて入力することが
できる。尚、上記各回路は図示しないCPUにより制御さ
れる。
るブランキング制御を行うビームブランキング回路、13
はビームの断面形状を所定の形に成形するビーム成形回
路、14はビームを偏向するビーム偏向回路、15はステー
ジ制御回路、16は高速データ転送回路、17はバッファメ
モリ、18は描画データ、19は露光によりマスクパターン
を形成しようとするレティクルの描画率（即ち、エッチ
ング後におけるマスク膜のレティクル全体に占める面積
の割合）に応じて位置座標の補正が正しく行われるよう
にするためのスイッチであり、描画率をパラメータとす
るデータをバッファメモリ17へ切換えて入力することが
できる。尚、上記各回路は図示しないCPUにより制御さ
れる。
第１図に示す電子ビーム露光装置は、形成しようとす
るマスクパターンを描かせる描画データ18を取り込む
と、露光用マスクの上述した反りによるところの位置座
標のずれを補正して電子ビームによる描画ができるよう
になっている。そして、その補正はレティクルの描画率
に応じてスイッチ19を切換えることにより常に正しい補
正量になるようにされている。
るマスクパターンを描かせる描画データ18を取り込む
と、露光用マスクの上述した反りによるところの位置座
標のずれを補正して電子ビームによる描画ができるよう
になっている。そして、その補正はレティクルの描画率
に応じてスイッチ19を切換えることにより常に正しい補
正量になるようにされている。
かかる補正用のデータ20は予め次のようにしてつくっ
ておく。
ておく。
先ず、無補正で露光したうえで露光用マスクを形成し
た場合のマスクパターンのＸ方向の伸縮誤差Xg、Ｙ方向
の伸縮誤差Yg及び直交度の狂いOgを測定しておく。これ
は、描画率が50％以上のレティクル（ポジレティクル）
と、描画率が50％のレティクル（ネガレティクル）それ
ぞれについて測定しておく。ここで、ポジレティクルに
ついてのＸ方向の伸縮誤差をXgp、Ｙ方向の伸縮誤差をY
gp、直交度の狂いをOgpとし、ネガレティクルについて
のＸ方向の伸縮誤差をXgn、Ｙ方向の伸縮誤差をYgn、直
交度の狂いをOgnとする。
た場合のマスクパターンのＸ方向の伸縮誤差Xg、Ｙ方向
の伸縮誤差Yg及び直交度の狂いOgを測定しておく。これ
は、描画率が50％以上のレティクル（ポジレティクル）
と、描画率が50％のレティクル（ネガレティクル）それ
ぞれについて測定しておく。ここで、ポジレティクルに
ついてのＸ方向の伸縮誤差をXgp、Ｙ方向の伸縮誤差をY
gp、直交度の狂いをOgpとし、ネガレティクルについて
のＸ方向の伸縮誤差をXgn、Ｙ方向の伸縮誤差をYgn、直
交度の狂いをOgnとする。
そして、若し、マスクパターンを形成しようとするレ
ティクルがポジレティクルの場合には上記スイッチ19を
ポジレティクル側に切換えて、Ｘ方向については−Xg
p、Ｙ方向については−Ygp、直交度については−Ogpの
補正を加えたデータがバッファメモリ17から読み出され
るようにする。すると、露光用マスクに前述のような反
りがあってもマスクパターンの位置座標の誤差は生じな
い。
ティクルがポジレティクルの場合には上記スイッチ19を
ポジレティクル側に切換えて、Ｘ方向については−Xg
p、Ｙ方向については−Ygp、直交度については−Ogpの
補正を加えたデータがバッファメモリ17から読み出され
るようにする。すると、露光用マスクに前述のような反
りがあってもマスクパターンの位置座標の誤差は生じな
い。
また、ネガレティクルの場合には上記スイッチ19をネ
ガレティクル側に切換えてＸ方向については−Xgn、Ｙ
方向については−Ygn、直交度については−Ognの補正を
加えたデータがバッファメモリ17から読み出されるよう
にする。すると、やはりこの場合もマスタパターンの位
置座標の誤差は生じない。
ガレティクル側に切換えてＸ方向については−Xgn、Ｙ
方向については−Ygn、直交度については−Ognの補正を
加えたデータがバッファメモリ17から読み出されるよう
にする。すると、やはりこの場合もマスタパターンの位
置座標の誤差は生じない。
しかして、１つの半導体デバイスの製造に必要な全レ
ティクルのすべてに対して第１図に示す装置を用い、描
画率によりスイッチ19を切換えて描画率に応じた位置座
標の補正をしたうえで露光をすると、層間の重ね合わせ
精度を極めて高くすることができ、0.35μｍルールある
いはそれよりももっと微細なルールに対応することがで
き、16MスタティックRAM、64MスタティックRAMの製造を
可能にする。
ティクルのすべてに対して第１図に示す装置を用い、描
画率によりスイッチ19を切換えて描画率に応じた位置座
標の補正をしたうえで露光をすると、層間の重ね合わせ
精度を極めて高くすることができ、0.35μｍルールある
いはそれよりももっと微細なルールに対応することがで
き、16MスタティックRAM、64MスタティックRAMの製造を
可能にする。
尚、描画率による切換えは上記実施例においては二段
階の切換えであった。しかし、より補正を正確に行うに
は、描画率をより多段階に切換えるようにすると良く、
上記例はあくまで本発明の一実施例にすぎず、本発明に
は種々のバリエーションが考えられ得る。
階の切換えであった。しかし、より補正を正確に行うに
は、描画率をより多段階に切換えるようにすると良く、
上記例はあくまで本発明の一実施例にすぎず、本発明に
は種々のバリエーションが考えられ得る。
（H.発明の効果） 以上に述べたように、本発明露光用マスクの製造方法
は、透明基板にマスク膜を形成し、該マスク膜に対して
露光及び選択的エッチング処理を施すことによりマスク
膜からなるマスクパターンを形成する露光用マスクの製
造方法において、マスクパターン形成のための露光の際
に、エッチング後に残るマスク膜の透明基板に占める面
積の割合に応じて異なる補正量でマスクパターンの位置
の補正を行うことを特徴とするものである。
は、透明基板にマスク膜を形成し、該マスク膜に対して
露光及び選択的エッチング処理を施すことによりマスク
膜からなるマスクパターンを形成する露光用マスクの製
造方法において、マスクパターン形成のための露光の際
に、エッチング後に残るマスク膜の透明基板に占める面
積の割合に応じて異なる補正量でマスクパターンの位置
の補正を行うことを特徴とするものである。
従って、本発明露光用マスクの製造方法によれば、マ
スク膜の透明基板を占める面積の割合に応じて異なる補
正量でマスクパターン位置の補正を行うのでマスク膜の
透明基板に占める面積の割合の違いに起因するマスク上
の位置の座標の違いをなくすことができ、延いてはマス
ク膜のパターンの精度を高くすることができる。依っ
て、層間マスク合せ精度の向上を図ることができる。
スク膜の透明基板を占める面積の割合に応じて異なる補
正量でマスクパターン位置の補正を行うのでマスク膜の
透明基板に占める面積の割合の違いに起因するマスク上
の位置の座標の違いをなくすことができ、延いてはマス
ク膜のパターンの精度を高くすることができる。依っ
て、層間マスク合せ精度の向上を図ることができる。
第１図は本発明露光用マスクの製造方法に用いる電子ビ
ーム露光装置の概略構成図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は背
景技術を示すところの露光用マスク（レティクル）の平
面図で、同図（Ａ）はポジタイプ、同図（Ｂ）はネガタ
イプ、第３図は問題点を示す露光用マスクの断面図、第
４図（Ａ）、（Ｂ）は問題点を示す露光用マスクの平面
図で、同図（Ａ）はポジタイプを、同図（Ｂ）はネガタ
イプを示す。
ーム露光装置の概略構成図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は背
景技術を示すところの露光用マスク（レティクル）の平
面図で、同図（Ａ）はポジタイプ、同図（Ｂ）はネガタ
イプ、第３図は問題点を示す露光用マスクの断面図、第
４図（Ａ）、（Ｂ）は問題点を示す露光用マスクの平面
図で、同図（Ａ）はポジタイプを、同図（Ｂ）はネガタ
イプを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−110634（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−191332（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−116657（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−178726（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/08 - 1/16
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板にマスク膜を形成し、該マスク膜
に対して露光及び選択的エッチング処理を施すことによ
りマスク膜からなるマスクパターンを形成する露光用マ
スクの製造方法において、 マスクパターン形成のための露光の際に、エッチング後
に残るマスク膜の透明基板に占める面積の割合に応じて
異なる補正量でマスクパターン位置の補正を行う ことを特徴とする露光用マスクの製造方法
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP15028989A JP2794793B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 露光用マスクの製造方法 |
| US07/536,303 US5202204A (en) | 1989-06-13 | 1990-06-11 | Process of producing exposure mask |
| EP90306376A EP0403220B1 (en) | 1989-06-13 | 1990-06-12 | Producing exposure masks |
| DE69012441T DE69012441T2 (de) | 1989-06-13 | 1990-06-12 | Herstellung von Belichtungsmasken. |
| KR1019900008645A KR0160963B1 (ko) | 1989-06-13 | 1990-06-13 | 노광용 마스크의 제조방법 |
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| JP15028989A JP2794793B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 露光用マスクの製造方法 |
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-
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