JPH11184066A - フォトマスク及びコンタクトホール形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被加工膜を所望パターンに近似したパターン
に沿ってエッチング処理することができるリソグラフィ
用マスクパターンを提供する。 【解決手段】 半導体基板２０上の被加工層２６に選択
的なエッチング処理を施すためのエッチングマスク２８
ａを形成すべく被加工層２６を覆って配置され、選択露
光を受けた後に現像処理および乾燥処理を受けるフォト
レジスト２８に、前記選択露光で所定のパターンを転写
するために用いられるリソグラフィ用フォトマスク１
０。フォトマスク１０には、現像処理後の乾燥処理によ
る転写パターンの歪み分を補償するための修正部１２ｂ
が設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップのよう
な半導体装置の製造工程に使用されるリソグラフィ技術
で用いるのに好適なリソグラフィ用フォトマスクおよび
このフォトマスクを用いたコンタクトホールの形成方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣチップのような半導体装置の製造工
程に利用される技術に、リソグラフィがある。このリソ
グラフィでは、半導体ウエハのような半導体基板上に形
成された被加工膜上に、フォトレジストが膜状に形成さ
れる。このフォトレジスト膜上には、例えば所望のデバ
イスパターンあるいは回路パターンを有するフォトマス
クを用いて選択的な露光が施される。この露光により、
フォトマスクのマスクパターンがフォトレジスト膜に焼
き付けられる。

【０００３】パターンの焼き付け後、フォトレジスト膜
に現像処理が施されることにより、フォトレジスト膜に
マスクパターンが転写され、この現像を受けて残存した
レジスト膜部分すなわちレジストマスクをエッチングマ
スクとして、フォトレジスト膜下の被加工膜が選択的な
エッチング処理を受ける。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記したよ
うなフォトレジスト膜へのマスクパターンの焼き付けで
は、このマスクパターンが正確にフォトレジスト膜に投
影されることから、フォトレジスト膜上のパターンに歪
みが見られることはない。しかしながら、現像によって
残存するレジストマスクが現像後のポストベークと称さ
れる焼きしめ、すなわち乾燥工程を受けると、レジスト
マスク材料の収縮により、レジストマスクには、部分的
な歪みが生じる。

【０００５】このレジストマスクの歪みのために、従来
のリソグラフィでは、フォトマスクのパターンを正確に
レジストマスクに写し取ることができず、そのためフォ
トマスクのパターンに一致したパターンが形成されるよ
うに、被加工膜にエッチング加工を施すことは容易では
なかった。

【０００６】また、リソグラフィを用いて、半導体ウエ
ハ上の電気絶縁膜に該膜を板厚方向に貫通するコンタク
トホールを形成するとき、このようなレジストマスクの
歪みについては、次に述べるような現象が観察されてい
た。

【０００７】例えば正方形の開口面を有するコンタクト
ホールを得るために、正方形のパターンを有するフォト
マスクを用いてフォトレジスト膜にそのパターンを転写
しようとしても、フォトレジスト膜の現像および焼きし
め後に得られるレジストマスクすなわちエッチングマス
クの転写パターンは、この歪みのためにフォトマスクの
パターンよりも面積の小さなほぼ円形のパターンとな
る。また、例えば長方形の開口面を有するコンタクトホ
ールを得るために、長方形のパターンを有するフォトマ
スクを用いても、同様な歪みのために、エッチングマス
クのパターンは楕円形となり、しかもフォトマスクの長
方形の長辺に対応する辺部分で外方に大きな膨らみが生
じる。

【０００８】このようなコンタクトホールの形成に使用
されるエッチングマスクの転写パターンの歪みは、コン
タクト部の断面積の減少による電気抵抗の増加を招き、
また、コンタクトホールの平面形状の膨らみによるアラ
イメントの誤差許容量に大きな影響を及ぼす。

【０００９】従って、本発明の目的は、所望パターンに
近似したパターンに被加工膜を加工処理することができ
るリソグラフィ用マスクパターンを提供することにあ
る。また、本発明の他の目的は、所望の開口面を有する
コンタクトホールを形成し得るリソグラフィ用マスクパ
ターンを提供することにある。本発明のさらに他の目的
は、アライメント誤差許容量の問題を引き起こすことの
ないコンタクトホール形成方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、以上の点を解
決するために、次の構成を採用する。 〈構成１〉本発明は、半導体基板上の被加工層に選択的
なエッチング処理を施すためのエッチングマスクを形成
すべく前記被加工層を覆って配置され、選択露光を受け
た後に現像処理および乾燥処理を受けるフォトレジスト
に、前記選択露光で所定のパターンを転写するために用
いられるリソグラフィ用フォトマスクであって、該フォ
トマスクに、乾燥処理による転写パターンの歪み分を補
償するための修正部を設けたことを特徴とする。

【００１１】〈作用１〉本発明に係るリソグラフィ用フ
ォトマスクでは、該フォトマスクを用いた選択露光後に
現像処理を受けるフォトレジストに現像処理に関連した
乾燥処理によって導入される歪み分が、修正分として、
フォトマスクに予め考慮されている。

【００１２】従って、本発明係るリソグラフィ用フォト
マスクによれば、従来に比較して、より所望パターンに
近似したパターンのレジストマスクを得ることができ、
これにより被加工膜を所望パターンに沿って加工処理す
ることができる。また、本発明に係るリソグラフィ用フ
ォトマスクを用いてコンタクトホールを形成することに
より、所望の開口面形状を有するコンタクトホールを形
成することができ、このコンタクトホールに関連した適
正な抵抗値の電気接続部を形成することが可能となる。

【００１３】本発明に係るリソグラフィ用フォトマスク
は、例えば平面形状がほぼ長方形のコンタクトホール形
成用マスクである。このマスクに、ほぼ矩形の細幅パタ
ーン部と、該細幅パターン部の両端にそれぞれ連続し該
細幅パターン部からその幅方向にはみ出し、前記細幅部
と共に全体的に細長の矩形マスクパターンを構成する一
対の広幅パターン部とを設けることができる。このフォ
トマスクでは、前記細幅パターン部が前記修正部として
機能する。

【００１４】また、前記細幅パターン部からなる修正部
が設けられたフォトマスクを用いたリソグラフィでは、
例えば、前記半導体基板の前記被加工層下に、エッチン
グ処理を受ける絶縁層、該絶縁層に埋設された電子回路
構成部が形成されている。前記フォトマスクは、前記絶
縁層をその厚さ方向に貫通するコンタクトホールの形成
のために、用いることができる。このフォトマスクを用
いた選択露光では、前記一対の広幅パターン部が前記電
子回路構成部に所定の間隔をおくように該電子回路構成
部に沿ってフォトマスクを配置することができる。

【００１５】また、本発明に係るリソグラフィ用フォト
マスクは、例えば、平面形状がほぼ正方形のコンタクト
ホール形成用マスクである。このマスクに、ほぼ正方形
の主パターン部と、該主パターン部の四つの隅に該主パ
ターン部に連続する修正部とを設けることができる。当
該修正部は、前記主パターン部の一辺の半値以下の長さ
寸法を有する矩形の補助パターン部で構成することがで
きる。

【００１６】前記補助パターン部は、該補助パターン部
が設けられる前記主パターン部の前記隅を規定する隣接
する二辺からそれぞれ外方に突出して配置することがで
きる。前記補助パターン部を規定するその各四辺は、そ
れぞれ前記主パターン部を規定するその各四辺に平行に
形成することができる。

【００１７】〈構成２〉また、本発明は、半導体ウエハ
上の電子回路構成部を埋め込む絶縁層に、前記電子回路
構成部の近傍で前記絶縁層下の導電部に貫通するコンタ
クトホールを形成すべく、前記絶縁層を覆うフォトレジ
ストを形成すること、長方形のパターン部を有するリソ
グラフィ用フォトマスクを用いて前記フォトレジストに
選択露光を施すこと、露光を受けた前記フォトレジスト
に現像処理を施こした後乾燥処理を施し、フォトレジス
トからエッチングマスクを形成すること、該エッチング
マスクを用いて前記絶縁層に選択的にエッチング処理を
施すことを含むコンタクトホールの形成方法であって、
前記選択露光において、前記マスクの前記パターン部の
短辺が前記電子回路構成部の近傍で該電子回路構成部の
縁部に沿うように、前記マスクを配置することを特徴と
する。

【００１８】〈作用２〉フォトマスクが長方形のパター
ン部を有するとき、このフォトマスクを用いたフォトレ
ジストへの露光後、該フォトレジストが現像処理を受
け、その後の乾燥処理を受けると、フォトレジストで
は、フォトマスクの長方形のパターン部の長辺に対応す
る部分に比較的大きな歪みが見受けられるが、他方、前
記パターン部の短辺に対応する部分には、実質的な歪み
は見受けられない。

【００１９】この特性を利用し、フォトレジストに実質
的な歪みを生じさせない前記パターン部の短辺を電子回
路構成部に近接するように、フォトマスクを配置するこ
とにより、このフォトマスクを用いて形成されるコンタ
クトホールと、前記電子回路構成部との間隔を予めほぼ
正確に知ることができる。

【００２０】従って、フォトマスクを用いた選択露光で
は、該フォトマスクの短辺を電子回路構成部に近接して
配置することにより、コンタクトホールと前記電子回路
構成部との間隔を所定の許容誤差の範囲内に形成するこ
とができ、この誤差許容量の考慮に、フォトレジストの
歪みによる誤差を加味する必要はなくなる。その結果、
本発明によれば、アライメント誤差許容量に、新たな問
題を引き起こすことなく、コンタクトホールを形成する
ことが可能となる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
について詳細に説明する。 〈具体例１〉図１は、本発明に係るフォトマスクを示
す。本発明に係るフォトマスク１０は、例えばＩＣチッ
プのような半導体装置の製造工程の１つであるリソグラ
フィに用いられる。フォトマスク１０は、図１に示され
ているように、例えばガラスのような透明材料からなる
ガラス基板１１と、該ガラス基板上に形成されるパター
ン１２（１２ａおよび１２ｂ）とを備える。

【００２２】パターン１２は、ＣＡＤ（Computer aided
design）を用いたデータ処理により設計することがで
きる。ＣＡＤの実行により得られたパターンデータにし
たがって、ガラス基板１１上の、例えばパターン１２の
領域を除く領域に、クロム金属膜のような遮光性を有す
る金属膜が蒸着される。これにより、前記金属膜から露
出した透光性部分で構成されたパターン１２を有するフ
ォトマスク１０が形成される。

【００２３】この例に代えて、フォトマスク１０のパタ
ーン１２を除く領域に透光性を与え、パターン１２を遮
光部で構成することができる。

【００２４】フォトマスク１０は、図１に示す例では、
ＩＣチップのＭＯＳトランジスタのためのコンタクトホ
ールを形成するために用いられる。このフォトマスク１
０のパターン１２は、４つの辺１３により規定される正
方形の平面形状を有する主パターン部１２ａと、該主パ
ターン部の４隅で、主パターン部１２ａにそれぞれ連続
する補助パターン部１２ｂとを有する。

【００２５】すなわち、本発明に係るパターン１２で
は、主パターン部１２ａは、所望のコンタクトホールの
平面形状にほぼ等しい形状に形成されており、この主パ
ターン部１２ａに後述するようなダミー作用をなす４つ
の補助パターン部１２ｂが付加されている。

【００２６】図１の例では、補助パターン部１２ｂは、
主パターン部１２ａの一つの辺１３の長さ寸法の半値以
下の長さを有する各辺１４により規定されるほぼ正方形
の平面形状を有する。補助パターン部１２ｂは、その各
辺１４が主パターン部１２ａの対応する各辺１３と平行
になるように配置されている。また、補助パターン部１
２ｂは、該補助パターン部が設けられた主パターン部１
２ａの前記隅を規定する相互に隣り合う二辺１４および
１４から、該主パターン部の外方へ突出するように、配
置されている。

【００２７】図２には、フォトマスク１０を用いたリソ
グラフィ工程を実施するための露光装置の一例として、
ステッパ１５が概略的に示されている。ステッパ１５で
は、従来よく知られているように、例えば水銀ランプか
らなる光源１６からの光がコンデンサレンズ１７を通し
て、レティクルとして配置されたフォトマスク１０上に
集光される。フォトマスク１０を透過した光は、縮小投
影レンズ１８を経て、Ｘ−Ｙステージ１９上の半導体ウ
エハ２０上に集光する。

【００２８】また、ステッパ１５では、１ショットの露
光ごとに、Ｘ−Ｙステージ１９が移動される。この各シ
ョットごとのＸ−Ｙステージ１９の移動に伴い、該Ｘ−
Ｙステージ上の半導体ウエハ２０の所定領域が順次、フ
ォトマスク１０を通して選択的な露光を受ける。

【００２９】図３は、フォトマスク１０を通してＸ−Ｙ
ステージ１９上で選択的な露光を受ける半導体ウエハ２
０の一部を拡大して示す。半導体ウエハ２０は、例えば
シリコン結晶板からなる。図３に示す例では、半導体ウ
エハ２０には、素子分離領域２１により区画された活性
領域２２を横切るゲート電極２３が形成されている。活
性領域２２におけるゲート電極２３の両側には、該ゲー
ト電極と共に、ＭＯＳトランジスタの構成要素となるソ
ース２４およびドレイン２５がそれぞれ形成されてい
る。

【００３０】活性領域２２およびゲート電極２３を覆っ
て、例えば酸化シリコンからなる層間絶縁膜２６が形成
されている。この層間絶縁膜２６を通して、その下に位
置するソース２４またはドレイン２５に至るコンタクト
ホール２７（図５参照）を形成するために、この被加工
層である層間絶縁膜２６上には、感光材料からなる層と
して、従来よく知られた例えばポジ型のフォトレジスト
材料からなるフォトレジスト層２８が形成されており、
このフォトレジスト層２８上に、前記したフォトマスク
１０のパターン１２が投影されている。

【００３１】パターン１２は、その主パターン部１２ａ
の、ゲート電極２３に近接する１つの辺１３が、電子回
路構成部であるゲート電極２３のゲート幅方向と一致す
るように、投影されている。図３では、図面の簡素化の
ために、ドレイン２５に対応して投影されるパターン１
２が省略されているが、ソース２４におけると同様にパ
ターン１２が投影される。

【００３２】フォトレジスト層２８へのパターン１２の
投影により、フォトレジスト層２８の選択的な露光が終
わると、フォトレジスト層２８は現像処理を受ける。こ
の現像処理により、例えばポジ型フォトレジスト材料か
らなるフォトレジスト層２８は、露光に晒さらされたパ
ターン１２に対応する部分が除去され、残部がレジスト
マスク２８ａとして残される。その後、残存するレジス
トマスク２８ａは、乾燥処理であるポストベーク処理を
受ける。

【００３３】このポストベーク処理により、レジストマ
スク２８ａは、従来におけると同様に、収縮する。所望
の平面形状を有する主パターン部１２ａのみで従来のよ
うにパターン１２を構成すると、主パターン部１２ａの
４隅でのレジストマスク２８ａの収縮作用により、転写
パターンに歪みが生じる。そのために、図４に仮想線で
示されているように、主パターン部１２ａに対応した正
方形状の内接円で規定される転写パターンのマスク孔２
９′となってしまう。

【００３４】これに対し、本発明に係るフォトマスク１
０のパターン１２では、前記したように、所望のコンタ
クトホールの平面形状に対応する主パターン部１２ａに
加えて、その４隅には、補助パターン部１２ｂが設けら
れている。この補助パターン部１２ｂは、露光時のダミ
ー作用により、前記したポストベーク処理での主パター
ン部１２ａの４隅での収縮歪みを補償するように、該４
隅部分での現像による除去作用を促進させる。その結
果、図４に実線で示されているように、ほぼ主パターン
部１２ａに対応した正方形の所望の平面形状を有する転
写パターンのマスク孔２９が得られる。

【００３５】したがって、フォトマスク１０を用いて得
られたレジストマスク２８ａをエッチングマスクとし
て、フォトレジスト層２８下の層間絶縁膜２６に選択的
なエッチング処理を施すことにより、図５に示されてい
るように、半導体ウエハ２０のソース２４に開放する所
望の平面形状を有するコンタクトホール２７を形成する
ことが可能となる。

【００３６】このコンタクトホール２７には、図５に仮
想線で示されるように、例えばアルミニゥムのような金
属材料で構成される電気接続部たるコンタクト部３０が
形成される。このコンタクト部３０は、所望の平面形状
を有するコンタクトホール２７を充填して形成されるこ
とから、所定の横断面積を有する。したがって、従来に
比較して、コンタクト部３０の電気抵抗値を十分に低減
させることができる。

【００３７】〈具体例２〉図６は、本発明に係るフォト
マスクの他の例を示す。本発明に係るフォトマスク５０
は、全体に長方形のパターン５２を有する。具体例２の
フォトマスク５０では、具体例１におけると同様、ガラ
ス基板１１上の、例えばパターン５２の領域を除く領域
に、クロム金属膜のような遮光性を有する金属膜が蒸着
される。これにより、前記金属膜から露出した透光性部
分で構成されたパターン５２を有するフォトマスク５０
が形成される。長方形のパターンを有するフォトマスク
を用いて形成したレジストマスクでは、現像後の乾燥処
理での収縮歪みのために、その長方形の転写パターンの
特に長辺に対応する辺部分で外方への大きな膨らみを生
じる傾向が見られる。

【００３８】この特性を考慮して、本発明に係るフォト
マスク５０では、所望の幅寸法Ｗ₁よりも小さな幅寸法
Ｗ₂ を有するほぼ矩形の細幅パターン部５２ａと、この
細幅パターン部５２ａの両端でそれぞれ該細幅パターン
部に連続して形成された一対の広幅パターン部５２ｂと
で、全体に長方形のパターン５２が形成されている。

【００３９】両広幅パターン部５２ｂは、それぞれ所望
の幅寸法Ｗ₁ を有し、細幅パターン部５２ａの両側から
均等に張り出す。これにより、細幅パターン部５２ａ
は、その両端の広幅パターン部５２ｂ間で、パターン５
２の後述する修正部として機能する細幅部を規定する。
この細幅パターン部５２ａと広幅パターン部５２ｂとの
段差は、（幅寸法Ｗ₁−幅寸法Ｗ₂ ）／２の値となる。

【００４０】図７は、フォトマスク５０の投影パターン
例を示す。図７では、具体例１に示したと同様な半導体
ウエハ２０上のポジ型のフォトレジスト層２８にフォト
マスク５０のパターン５２が投影されている。パターン
５２は、一対の広幅パターン部５２ｂが電子回路構成部
の１つであるゲート電極２３に所定の間隔Ｗ₃ をおくよ
うに、配置される。

【００４１】フォトマスク５０は、例えば図２に示した
ような露光装置１５に組み込まれ、このフォトマスク５
０を用いて、半導体ウエハ２０上のフォトレジスト層２
８に選択露光が施される。この選択露光後、フォトレジ
スト層２８の残存部分であるレジストマスク２８ａに
は、ポストベークのような乾燥処理が施される。

【００４２】図８は、乾燥処理を受けた後のレジストマ
スク２８ａの平面形状を示す。所望寸法Ｗ₁ を有する一
様な幅寸法の長方形のパターンを用いて得られた従来の
レジストマスクでは、図８に仮想線で示されているとお
り、長方形パターンの長辺に対応する辺部分２９ａ′が
外方に膨らむことから、円形もしくは楕円に近いマスク
孔２９′が形成されてしまう。そのため、従来では、マ
スク孔２９′と電子回路構成部であるゲート電極２３と
の間隔Ｗ₄ は、当所の設置値Ｗ₃ よりも小さな値になっ
てしまう。

【００４３】これに対し、パターン５２の細幅部を規定
する細幅パターン部５２ａと、広幅パターン部５２ｂと
の組み合わせによれば、細幅パターン部５２ａの補償作
用により、マスク孔２９のゲート電極２３に近接する辺
部分における張り出しが防止される。その結果、修正部
として機能する細幅パターン部５２ａの補償作用によ
り、図８に実線で示されているように、マスク孔２９を
その両長辺部が直線状となる長方形状に形成することが
できる。

【００４４】また、ゲート電極２３とマスク孔２９との
間隔Ｗ₃ が、広幅パターン部５２ｂとゲート電極２３と
の間に設定された所望の間隔Ｗ₃ を越えることを抑制す
ることができる。これにより、ゲート電極２３とマスク
孔２９との間に適正な間隔Ｗ₃ を保持するために、レジ
ストマスク２８ａの歪みによる誤差を考慮する必要はな
く、このマスクの歪みによる新たなアライメント誤差許
容量の問題が生じることはない。

【００４５】〈具体例３〉長方形のパターンを有するフ
ォトマスクを用いて形成したレジストマスクでは、現像
後の乾燥処理での収縮歪みのために、その長方形の転写
パターンの特に長辺に対応する辺部分で外方への大きな
膨らみを生じるが、他方、短辺に対応する辺部分では、
このような大きな膨らみは見られない。この特性を利用
すべく、図９に示すように、長方形のパターンを有する
フォトマスクを用いるとき、半導体ウエハ２０上のフォ
トレジスト層２８への投影パターン６０の姿勢は、その
短辺６０ａがゲート電極２３に近接してこれに沿うよう
に配置することが望ましい。

【００４６】長方形の投影パターン６０を用いて形成さ
れたレジストマスク２８ａは、その長辺部で前記したよ
うに外方に膨らむが、短辺部では、前記したようにゲー
ト電極２３へ向けて大きく膨らむことはない。したがっ
て、レジストマスク２８ａの前記した歪みによって該レ
ジストマスク２８ａとゲート電極２３との間隔が小さく
なることはなく、この間隔を投影パターン６０とゲート
電極２３との間に設定された所定寸法Ｗ₃ に保持させる
ことができる。

【００４７】したがって、具体例３に示した例によれ
ば、パターンに格別な改造を施すことなく、フォトレジ
スト層２８上への投影姿勢を適正に選択することによ
り、レジストマスクの歪みによる新たなアライメント誤
差許容量の問題を招くことなく、コンタクトホールの適
正なアライメントが可能となる。

【００４８】前記したところでは、フォトレジスト層２
８がポジ型の例を示したが、これに代えて、ネガ型のフ
ォトレジスト層を用いることができる。また、前記した
ところでは、コンタクトホール形成用フォトマスクにつ
いて説明したが、本発明は、コンタクトホールに限ら
ず、例えば集積回路のような電気回路の種々の平面形状
を有する回路部分のエッチングマスクを形成するための
フォトマスクに適用することができる。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、前記したように、フォ
トマスクを用いた選択露光後に現像処理を受けるフォト
レジストに、現像処理に関連した乾燥工程で導入される
歪み分が、予め修正分として、フォトマスクのパターン
に考慮されていることから、所望パターンに近似したパ
ターンのエッチングマスクを得ることができ、これによ
り被加工膜に従来に比較して正確なパターンでエッチン
グ処理を施すことができる。

【００５０】また、本発明に係るリソグラフィ用フォト
マスクを用いてコンタクトホールを形成することによ
り、所望形状の開口面を有するコンタクトホールを形成
することができ、このコンタクトホールに関連した適正
な抵抗値の電気接続部を形成することが可能となる。

【００５１】また、本発明に係るコンタクトホールの形
成方法によれば、前記したように、フォトレジストに実
質的な歪みを生じさせない前記パターン部の短辺を電子
回路構成部に近接するように、フォトマスクを配置する
ことにより、コンタクトホールと前記電子回路構成部と
の間隔を所定の誤差許容量の範囲内に形成することがで
き、この誤差許容量の考慮に、フォトレジストの歪みに
よる誤差を加味する必要はないことから、アライメント
誤差許容量に、新たな問題を引き起こすことなく、コン
タクトホールを形成することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るフォトマスクの具体例１を示す平
面図である。

【図２】本発明に係るフォトマスクを用いた露光工程を
示す斜視図である。

【図３】具体例１のフォトマスクを用いたフォトレジス
ト上への投影パターン例を示す平面図である。

【図４】具体例１のフォトマスクを用いて形成されるフ
ォトレジストの焼きしめ後の形状を示す平面図である。

【図５】図３に示す線Ｖ−Ｖに沿って得られた断面図で
ある。

【図６】本発明に係るフォトマスクの具体例２を示す平
面図である。

【図７】具体例２のフォトマスクを用いたフォトレジス
ト上への投影パターン例を示す平面図である。

【図８】具体例２のフォトマスクを用いて形成されるフ
ォトレジストの焼きしめ後の形状を示す平面図である。

【図９】本発明に係るコンタクトホールの形成方法にお
けるフォトマスクのフォトレジスト上への投影パターン
例を示す平面図である。

【符号の説明】

１０、５０ フォトマスク １２、５２ パターン １２ａ 主パターン部 １２ｂ （修正部）補助パターン部 ２０ 半導体ウエハ ２３ （電子回路構成部）ゲート電極 ２６ （被加工層）層間絶縁膜 ２７ コンタクトホール ２８ フォトレジスト層 ２８ａ （エッチングマスク）レジストマスク ３０ コンタクト部 ５２ａ （修正部）細幅パターン部 ５２ｂ 広幅パターン部

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上の被加工層に選択的なエッ
   チング処理を施すためのエッチングマスクを形成すべく
   前記被加工層を覆って配置され、選択露光を受けた後に
   現像処理および乾燥処理を受けるフォトレジストに、前
   記選択露光で所定のパターンを転写するために用いられ
   るリソグラフィ用フォトマスクであって、前記現像処理
   後の前記乾燥処理によって前記フォトレジストの転写パ
   ターンに導入される歪み分を補償するための修正部が設
   けられていることを特徴とするリソグラフィ用フォトマ
   スク。
2. 【請求項２】 前記マスクは、平面形状がほぼ長方形の
   コンタクトホール形成用マスクであり、ほぼ矩形の細幅
   パターン部と、該細幅パターン部の両端にそれぞれ連続
   し該細幅パターン部からその幅方向にはみ出し、前記細
   幅部と共に全体的に細長の矩形マスクパターンを構成す
   る一対の広幅パターン部とを備え、前記細幅パターン部
   が前記修正部として機能する請求項１記載のリソグラフ
   ィ用フォトマスク。
3. 【請求項３】 前記半導体基板の前記被加工層下には、
   エッチング処理を受ける絶縁層、該絶縁層に埋設された
   電子回路構成部が形成されており、前記絶縁層をその厚
   さ方向に貫通するコンタクトホールの形成のために、前
   記マスクは前記一対の広幅パターン部が前記電子回路構
   成部に所定の間隔をおくように該電子回路構成部に沿っ
   て配置される請求項２記載のリソグラフィ用フォトマス
   ク。
4. 【請求項４】 前記マスクは、平面形状がほぼ正方形の
   コンタクトホール形成用マスクであり、ほぼ正方形の主
   パターン部と、該主パターン部の四つの隅に該主パター
   ン部に連続する修正部とを備え、該修正部は前記主パタ
   ーン部の一辺の半値以下の長さ寸法を有する矩形の補助
   パターン部からなる請求項１記載のリソグラフィ用フォ
   トマスク。
5. 【請求項５】 前記補助パターン部は、該補助パターン
   部が設けられる前記主パターン部の前記隅を規定する隣
   接する二辺からそれぞれ外方に突出して配置されている
   請求項４記載のリソグラフィ用フォトマスク。
6. 【請求項６】 前記補助パターン部を規定するその各四
   辺は、それぞれ前記主パターン部を規定するその各四辺
   に平行に形成されている請求項５記載のリソグラフィ用
   フォトマスク。
7. 【請求項７】 半導体ウエハ上の電子回路構成部を埋め
   込む絶縁層に、前記電子回路構成部の近傍で前記絶縁層
   下の導電部に貫通するコンタクトホールを形成すべく、
   前記絶縁層を覆うフォトレジストを形成すること、長方
   形のパターン部を有するリソグラフィ用フォトマスクを
   用いて前記フォトレジストに選択露光を施すこと、露光
   を受けた前記フォトレジストに現像処理を施こした後、
   乾燥処理を施し、フォトレジストからエッチングマスク
   を形成すること、該エッチングマスクを用いて前記絶縁
   層に選択的にエッチング処理を施すことを含むコンタク
   トホールの形成方法であって、前記選択露光において、
   前記マスクの前記パターン部の短辺が前記電子回路構成
   部の近傍で該電子回路構成部の縁部に沿うように、前記
   マスクを配置することを特徴とするコンタクトホールの
   形成方法。