JP3031728B2 - レチクルおよび露光装置 - Google Patents
レチクルおよび露光装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レチクルおよび露光装
置に関するものである。
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レチクルおよび露光装置は、半導体集積
回路装置の製造工程において使用されており、以下、従
来のレチクルおよび露光装置について説明する。
回路装置の製造工程において使用されており、以下、従
来のレチクルおよび露光装置について説明する。
【０００３】図３及び図４は各々従来のレチクルの構造
を示し、図３（ａ）及び図４（ａ）は各々レチクルの平
面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のIII −III 線断面図、
図４（ｂ）は図４（ａ）のIV−IV線断面図であり、図５
は従来の露光装置の構成図である。図３〜図５におい
て、１は表裏面が互いに平行な平行平板ガラス、２はク
ロムパターン、５は光源、６は凸レンズ、９Ｂ，９Ｃは
各々レチクル、１０はポジ型フォトレジスト、１１は被
エッチング膜、１２はシリコン基板である。
を示し、図３（ａ）及び図４（ａ）は各々レチクルの平
面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のIII −III 線断面図、
図４（ｂ）は図４（ａ）のIV−IV線断面図であり、図５
は従来の露光装置の構成図である。図３〜図５におい
て、１は表裏面が互いに平行な平行平板ガラス、２はク
ロムパターン、５は光源、６は凸レンズ、９Ｂ，９Ｃは
各々レチクル、１０はポジ型フォトレジスト、１１は被
エッチング膜、１２はシリコン基板である。
【０００４】以上のように構成されたレチクルおよび露
光装置の使用方法を、シリコン基板１２上のシリコン酸
化膜にコンタクトホールを形成し、該コンタクトホール
上にポリシリコンよりなる蓄積電極を形成する工程を一
例にとって説明する。
光装置の使用方法を、シリコン基板１２上のシリコン酸
化膜にコンタクトホールを形成し、該コンタクトホール
上にポリシリコンよりなる蓄積電極を形成する工程を一
例にとって説明する。
【０００５】まず、シリコン基板１２上にシリコン酸化
膜よりなる被エッチング膜１１を形成し、該被エッチン
グ膜１１の上にポジ型フォトレジスト１０を塗布して、
図５に示すようなシリコン基板１２を得る。
膜よりなる被エッチング膜１１を形成し、該被エッチン
グ膜１１の上にポジ型フォトレジスト１０を塗布して、
図５に示すようなシリコン基板１２を得る。
【０００６】次に、前記のポジ型フォトレジスト１０を
図３に示すレチクル９Ｂ及び図５に示す露光装置を用い
て露光し、現像後にシリコン基板１２上のシリコン酸化
膜よりなる被エッチング膜１１をエッチングして該シリ
コン酸化膜にコンタクトホールを形成する。
図３に示すレチクル９Ｂ及び図５に示す露光装置を用い
て露光し、現像後にシリコン基板１２上のシリコン酸化
膜よりなる被エッチング膜１１をエッチングして該シリ
コン酸化膜にコンタクトホールを形成する。
【０００７】次に、前記シリコン酸化膜上にポリシリコ
ン膜よりなる被エッチング膜１１を形成し、該ポリシリ
コン膜の上にポジ型フォトレジスト１０を塗布する。
ン膜よりなる被エッチング膜１１を形成し、該ポリシリ
コン膜の上にポジ型フォトレジスト１０を塗布する。
【０００８】次に、前記ポジ型フォトレジスト１０を図
４に示すレチクル９Ｃ及び図５に示す露光装置を用いて
露光し、現像後にポリシリコン膜よりなる被エッチング
膜１１をエッチングしてシリコン酸化膜に形成されたコ
ンタクトホール上にポリシリコンよりなる蓄積電極を形
成する。
４に示すレチクル９Ｃ及び図５に示す露光装置を用いて
露光し、現像後にポリシリコン膜よりなる被エッチング
膜１１をエッチングしてシリコン酸化膜に形成されたコ
ンタクトホール上にポリシリコンよりなる蓄積電極を形
成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、前記の方法
によると、露光工程毎に別個のレチクル９Ｂ，９Ｃが必
要になるためレチクルの枚数が多くなるという問題、及
び別個のレチクル９Ｂ，９Ｃに形成された２つのパター
ンを重ね合わせる必要があるため、レチクル交換の際に
生じるレチクルの位置ずれによるパターンの合わせずれ
が発生するという問題があった。
によると、露光工程毎に別個のレチクル９Ｂ，９Ｃが必
要になるためレチクルの枚数が多くなるという問題、及
び別個のレチクル９Ｂ，９Ｃに形成された２つのパター
ンを重ね合わせる必要があるため、レチクル交換の際に
生じるレチクルの位置ずれによるパターンの合わせずれ
が発生するという問題があった。
【００１０】本発明は前記従来の問題点を解決するもの
で、レチクルの枚数を削減することができ且つレチクル
交換の際に生じるレチクルの位置ずれによるパターンの
合わせずれが発生しないレチクル及び露光装置を提供す
ることを目的とする。
で、レチクルの枚数を削減することができ且つレチクル
交換の際に生じるレチクルの位置ずれによるパターンの
合わせずれが発生しないレチクル及び露光装置を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、請求項１の発明に係るレチクルは、光透過性を有し
表裏面が互いに平行な平板の表裏いずれかの面に形成さ
れ、一方向に振動している偏光のみを透過させる第１の
偏光子よりなる島状の第１のパターンと、前記第１のパ
ターンの外側に前記第１のパターンを囲むように形成さ
れた遮光性を有する第２のパターンと、前記第２のパタ
ーンの外側に前記第２のパターンを囲むように形成さ
れ、前記一方向と直交する方向に振動している偏光のみ
を透過させる第２の偏光子よりなる第３のパターンとを
備えている。
め、請求項１の発明に係るレチクルは、光透過性を有し
表裏面が互いに平行な平板の表裏いずれかの面に形成さ
れ、一方向に振動している偏光のみを透過させる第１の
偏光子よりなる島状の第１のパターンと、前記第１のパ
ターンの外側に前記第１のパターンを囲むように形成さ
れた遮光性を有する第２のパターンと、前記第２のパタ
ーンの外側に前記第２のパターンを囲むように形成さ
れ、前記一方向と直交する方向に振動している偏光のみ
を透過させる第２の偏光子よりなる第３のパターンとを
備えている。
【００１２】また、請求項２の発明に係る露光装置は、
光透過性を有し表裏面が互いに平行な平板の表裏いずれ
かの面に形成され、一方向に振動している偏光のみを透
過させる第１の偏光子よりなる島状の第１のパターン
と、前記第１のパターンの外側に前記第１のパターンを
囲むように形成された遮光性を有する第２のパターン
と、前記第２のパターンの外側に前記第２のパターンを
囲むように形成され、前記一方向と直交する方向に振動
している偏光のみを透過させる第２の偏光子よりなる第
３のパターンとを有するレチクルと、前記レチクルに照
射される露光光の経路に配置可能に設けられ、前記一方
向に振動している偏光のみを透過させる第１の偏光子よ
りなる第１の光透過板と、前記露光光の経路に配置可能
に設けられ、前記一方向と直交する方向に振動している
偏光のみを透過させる第２の偏光子よりなる第２の光透
過板とを備えている。
光透過性を有し表裏面が互いに平行な平板の表裏いずれ
かの面に形成され、一方向に振動している偏光のみを透
過させる第１の偏光子よりなる島状の第１のパターン
と、前記第１のパターンの外側に前記第１のパターンを
囲むように形成された遮光性を有する第２のパターン
と、前記第２のパターンの外側に前記第２のパターンを
囲むように形成され、前記一方向と直交する方向に振動
している偏光のみを透過させる第２の偏光子よりなる第
３のパターンとを有するレチクルと、前記レチクルに照
射される露光光の経路に配置可能に設けられ、前記一方
向に振動している偏光のみを透過させる第１の偏光子よ
りなる第１の光透過板と、前記露光光の経路に配置可能
に設けられ、前記一方向と直交する方向に振動している
偏光のみを透過させる第２の偏光子よりなる第２の光透
過板とを備えている。
【００１３】
【作用】請求項１及び２の発明の構成により、露光装置
が備えており一方向に振動している偏光のみを透過させ
る第１の偏光子よりなる第１の光透過板を透過する光
は、レチクルに形成された前記一方向と直交する方向に
振動している偏光のみを透過させる第２の偏光子よりな
るパターンを透過しないため、第１の光透過板を透過す
る光に対しては、レチクルに形成された第２の偏光子よ
りなるパターン及び遮光性を有するパターンは共に遮光
性のパターンを形成し、第１の偏光子よりなるパターン
は光透過性のパターンを形成する。従って、この場合、
基板上のレジストに対しては、レチクル上に形成された
第１の偏光子よりなるパターンが露光されることにな
る。
が備えており一方向に振動している偏光のみを透過させ
る第１の偏光子よりなる第１の光透過板を透過する光
は、レチクルに形成された前記一方向と直交する方向に
振動している偏光のみを透過させる第２の偏光子よりな
るパターンを透過しないため、第１の光透過板を透過す
る光に対しては、レチクルに形成された第２の偏光子よ
りなるパターン及び遮光性を有するパターンは共に遮光
性のパターンを形成し、第１の偏光子よりなるパターン
は光透過性のパターンを形成する。従って、この場合、
基板上のレジストに対しては、レチクル上に形成された
第１の偏光子よりなるパターンが露光されることにな
る。
【００１４】同様にして、前記一方向と直交する方向に
振動している偏光のみを透過させる第２の偏光子よりな
る第２の光透過板を透過する光に対しては、レチクルに
形成された第１の偏光子よりなるパターン及び遮光性を
有するパターンは共に遮光性のパターンを形成し、第２
の偏光子よりなるパターンは光透過性のパターンを形成
するので、基板上のレジストに対しては、レチクル上に
形成された第２の偏光子よりなるパターンが露光される
ことになる。
振動している偏光のみを透過させる第２の偏光子よりな
る第２の光透過板を透過する光に対しては、レチクルに
形成された第１の偏光子よりなるパターン及び遮光性を
有するパターンは共に遮光性のパターンを形成し、第２
の偏光子よりなるパターンは光透過性のパターンを形成
するので、基板上のレジストに対しては、レチクル上に
形成された第２の偏光子よりなるパターンが露光される
ことになる。
【００１５】以上のように、１枚のレチクルで異なる２
つのパターンをレジストに転写することができる。
つのパターンをレジストに転写することができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を、シリコン基板上
のシリコン酸化膜にコンタクトホールを形成し、該コン
タクトホール上にポリシリコンよりなる蓄積電極を形成
する工程を例にとって図面に基づいて説明する。
のシリコン酸化膜にコンタクトホールを形成し、該コン
タクトホール上にポリシリコンよりなる蓄積電極を形成
する工程を例にとって図面に基づいて説明する。
【００１７】図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例
に係るレチクル９Ａの構成を示し、（ａ）はその平面
図、（ｂ）は（ａ）におけるＩ−Ｉ線の断面図である。
同図において、１は表裏面が互いに平行な平行平板ガラ
ス、２は平行平板ガラス１上に形成された遮光性を有す
るパターンとしてのクロムパターン、３は平行平板ガラ
ス１上に形成されＸ方向に振動する光のみを透過する第
１の偏光子としての偏光子Ｘよりなるパターン、４は平
行平板ガラス１上に形成されＹ方向に振動する光のみを
透過する第２の偏光子としての偏光子Ｙよりなるパター
ンである。
に係るレチクル９Ａの構成を示し、（ａ）はその平面
図、（ｂ）は（ａ）におけるＩ−Ｉ線の断面図である。
同図において、１は表裏面が互いに平行な平行平板ガラ
ス、２は平行平板ガラス１上に形成された遮光性を有す
るパターンとしてのクロムパターン、３は平行平板ガラ
ス１上に形成されＸ方向に振動する光のみを透過する第
１の偏光子としての偏光子Ｘよりなるパターン、４は平
行平板ガラス１上に形成されＹ方向に振動する光のみを
透過する第２の偏光子としての偏光子Ｙよりなるパター
ンである。
【００１８】一方、図２は本発明の一実施例に係る露光
装置であって、同図において、５は光源、６は光源５か
ら発せられた光を平行光線にする凸レンズ、７はＸ方向
に振動する光のみを透過する第１の偏光子としての偏光
子Ｘよりなる第１の光透過板、８はＹ方向に振動する光
のみを透過する第２の偏光子としての偏光子Ｙよりなる
第２の光透過板、９Ａは前述のレチクル、１０はポジ型
フォトレジスト、１１は被エッチング膜、１２はシリコ
ン基板であって、第１の光透過板７及び第２の光透過板
８は、必要に応じていずれか一方を凸レンズ６とレチク
ル９Ａとの間の光の経路中に設置するものとする。
装置であって、同図において、５は光源、６は光源５か
ら発せられた光を平行光線にする凸レンズ、７はＸ方向
に振動する光のみを透過する第１の偏光子としての偏光
子Ｘよりなる第１の光透過板、８はＹ方向に振動する光
のみを透過する第２の偏光子としての偏光子Ｙよりなる
第２の光透過板、９Ａは前述のレチクル、１０はポジ型
フォトレジスト、１１は被エッチング膜、１２はシリコ
ン基板であって、第１の光透過板７及び第２の光透過板
８は、必要に応じていずれか一方を凸レンズ６とレチク
ル９Ａとの間の光の経路中に設置するものとする。
【００１９】以下、前記のように構成されたレチクル９
Ａおよび露光装置を用いて露光を行い、シリコン基板１
２の上にパターンを形成する方法を説明する。
Ａおよび露光装置を用いて露光を行い、シリコン基板１
２の上にパターンを形成する方法を説明する。
【００２０】まず、シリコン基板１２を酸化してシリコ
ン基板１２上にシリコン酸化膜よりなる被エッチング膜
１１を形成し、該シリコン酸化膜の上にポジ型フォトレ
ジスト１０を塗布する。
ン基板１２上にシリコン酸化膜よりなる被エッチング膜
１１を形成し、該シリコン酸化膜の上にポジ型フォトレ
ジスト１０を塗布する。
【００２１】次に、前記のシリコン基板１２に対し、図
１に示すレチクル９Ａ及び図２に示す露光装置を用いて
露光を行う。このとき、凸レンズ６とレチクル９Ａとの
間には第２の光透過板８を設置する。
１に示すレチクル９Ａ及び図２に示す露光装置を用いて
露光を行う。このとき、凸レンズ６とレチクル９Ａとの
間には第２の光透過板８を設置する。
【００２２】次に、光源５より発生した光を凸レンズ６
を通すことにより平行光とする。この平行光はあらゆる
方向に振動している自然光である。
を通すことにより平行光とする。この平行光はあらゆる
方向に振動している自然光である。
【００２３】次に、この自然光を凸レンズ６とレチクル
９Ａとの間に設置された第２の光透過板８を通過させる
と、この自然光は図１におけるＹ方向に振動する偏光に
なる。図１のレチクル９Ａ上のクロムパターン２及び偏
光子Ｘよりなるパターン３は、このＹ方向に振動する偏
光を通さないため、ポジ型フォトレジスト１０上には偏
光子Ｙよりなるパターン４を透過した偏光のみが照射さ
れ、シリコン基板１２には偏光子Ｙよりなるパターン４
が露光される。そして、このシリコン基板１２を現像
し、シリコン基板１２上のシリコン酸化膜をエッチング
すると、このシリコン酸化膜にコンタクトホールが形成
される。
９Ａとの間に設置された第２の光透過板８を通過させる
と、この自然光は図１におけるＹ方向に振動する偏光に
なる。図１のレチクル９Ａ上のクロムパターン２及び偏
光子Ｘよりなるパターン３は、このＹ方向に振動する偏
光を通さないため、ポジ型フォトレジスト１０上には偏
光子Ｙよりなるパターン４を透過した偏光のみが照射さ
れ、シリコン基板１２には偏光子Ｙよりなるパターン４
が露光される。そして、このシリコン基板１２を現像
し、シリコン基板１２上のシリコン酸化膜をエッチング
すると、このシリコン酸化膜にコンタクトホールが形成
される。
【００２４】次に、シリコン基板１２上のシリコン酸化
膜上にポリシリコン膜よりなる被エッチング膜１１を形
成し、該ポリシリコン膜上にポジ型フォトレジスト１２
を塗布する。
膜上にポリシリコン膜よりなる被エッチング膜１１を形
成し、該ポリシリコン膜上にポジ型フォトレジスト１２
を塗布する。
【００２５】次に、レンズ６とレチクル９Ａとの間の第
２の光透過板８を第１の光透過板７に入れ替えて露光を
行うと、今度はレチクル９Ａ上のクロムパターン２及び
偏光子Ｙよりなるパターン４がＸ方向に振動する偏光を
通さないため、ポジ型フォトレジスト１０上には偏光子
Ｘよりなるパターン３を透過した偏光のみが照射され、
シリコン基板１２には偏光子Ｘよりなるパターン３が露
光される。このシリコン基板１２を現像し、シリコン基
板１２上のポリシリコン膜をエッチングすると、シリコ
ン酸化膜に形成されたコンタクトホール上にポリシリコ
ンよりなる蓄積電極を形成することができる。
２の光透過板８を第１の光透過板７に入れ替えて露光を
行うと、今度はレチクル９Ａ上のクロムパターン２及び
偏光子Ｙよりなるパターン４がＸ方向に振動する偏光を
通さないため、ポジ型フォトレジスト１０上には偏光子
Ｘよりなるパターン３を透過した偏光のみが照射され、
シリコン基板１２には偏光子Ｘよりなるパターン３が露
光される。このシリコン基板１２を現像し、シリコン基
板１２上のポリシリコン膜をエッチングすると、シリコ
ン酸化膜に形成されたコンタクトホール上にポリシリコ
ンよりなる蓄積電極を形成することができる。
【００２６】なお、前記実施例においては、シリコン基
板１２上のシリコン酸化膜にコンタクトホールを形成
し、このコンタクトホール上にポリシリコンの蓄積電極
を形成する工程を一例に説明したが、本発明は、前記一
例に限られず半導体製造における他の工程にも適用でき
るものである。
板１２上のシリコン酸化膜にコンタクトホールを形成
し、このコンタクトホール上にポリシリコンの蓄積電極
を形成する工程を一例に説明したが、本発明は、前記一
例に限られず半導体製造における他の工程にも適用でき
るものである。
【００２７】また、前記実施例においては、露光装置内
の第１及び第２の光透過板７，８を凸レンズ６とレチク
ル９Ａとの間に設置したが、第１及び第２の光透過板
７，８の設置位置はこれに限られず、露光に用いる光の
経路中であれば適宜の位置に設置できる。
の第１及び第２の光透過板７，８を凸レンズ６とレチク
ル９Ａとの間に設置したが、第１及び第２の光透過板
７，８の設置位置はこれに限られず、露光に用いる光の
経路中であれば適宜の位置に設置できる。
【００２８】また、前記実施例においては、露光装置と
して、レチクル９Ａ上のパターンを等倍でシリコン基板
１２上に転写する等倍露光装置を用いたが、本発明は、
レチクル９Ａ上のパターンを縮小してシリコン基板１２
上に転写する縮小露光装置にも適用できる。
して、レチクル９Ａ上のパターンを等倍でシリコン基板
１２上に転写する等倍露光装置を用いたが、本発明は、
レチクル９Ａ上のパターンを縮小してシリコン基板１２
上に転写する縮小露光装置にも適用できる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、基板のレジストに
対して請求項１のレチクル及び第１の光透過板を透過す
る光を照射すると、基板上のレジストにはレチクルに形
成された第１の偏光子よりなるパターンが露光され、前
記基板のレジストに対して前記のレチクル及び第２の光
透過板を透過する光を照射すると、基板上のレジストに
はレチクルに形成された第２の偏光子よりなるパターン
が露光されるため、２つのパターンをレジストに転写す
る場合、１枚のレチクルで足りる。
対して請求項１のレチクル及び第１の光透過板を透過す
る光を照射すると、基板上のレジストにはレチクルに形
成された第１の偏光子よりなるパターンが露光され、前
記基板のレジストに対して前記のレチクル及び第２の光
透過板を透過する光を照射すると、基板上のレジストに
はレチクルに形成された第２の偏光子よりなるパターン
が露光されるため、２つのパターンをレジストに転写す
る場合、１枚のレチクルで足りる。
【００３０】このため、請求項１及び２の発明による
と、従来に比べてレチクルの枚数を削減することができ
ると共に、レチクルの交換が不要になるのでレチクルの
交換の際に生じるレチクルの位置ずれに伴うパターンの
合わせずれをなくすことができる。
と、従来に比べてレチクルの枚数を削減することができ
ると共に、レチクルの交換が不要になるのでレチクルの
交換の際に生じるレチクルの位置ずれに伴うパターンの
合わせずれをなくすことができる。
【図１】本発明の一実施例に係るレチクルを示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＩ−Ｉ線の断
面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＩ−Ｉ線の断
面図である。
【図２】本発明の一実施例に係る露光装置の構成図であ
る。
る。
【図３】従来の一のレチクルを示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるIII −III 線の断面図である。
（ｂ）は（ａ）におけるIII −III 線の断面図である。
【図４】従来の他のレチクルを示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるIV−IV線の断面図である。
（ｂ）は（ａ）におけるIV−IV線の断面図である。
【図５】従来の露光装置の構成図である。
１…平行平板ガラス ２…クロムパターン ３…偏光子Ｘよりなるパターン ４…偏光子Ｙよりなるパターン ５…光源 ６…凸レンズ ７…偏光子Ｘよりなる第１の光透過板 ８…偏光子Ｙよりなる第２に光透過板 ９…レチクル １０…ポジ型フォトレジスト １１…被エッチング膜 １２…シリコン基板
Claims (2)
- 【請求項１】 光透過性を有し表裏面が互いに平行な平
板の表裏いずれかの面に形成され、一方向に振動してい
る偏光のみを透過させる第１の偏光子よりなる島状の第
１のパターンと、前記第１のパターンの外側に前記第１
のパターンを囲むように形成された遮光性を有する第２
のパターンと、前記第２のパターンの外側に前記第２の
パターンを囲むように形成され、前記一方向と直交する
方向に振動している偏光のみを透過させる第２の偏光子
よりなる第３のパターンとを備えていることを特徴とす
るレチクル。 - 【請求項２】 光透過性を有し表裏面が互いに平行な平
板の表裏いずれかの面に形成され、一方向に振動してい
る偏光のみを透過させる第１の偏光子よりなる島状の第
１のパターンと、前記第１のパターンの外側に前記第１
のパターンを囲むように形成された遮光性を有する第２
のパターンと、前記第２のパターンの外側に前記第２の
パターンを囲むように形成され、前記一方向と直交する
方向に振動している偏光のみを透過させる第２の偏光子
よりなる第３のパターンとを有するレチクルと、 前記レチクルに照射される露光光の経路に配置可能に設
けられ、前記一方向に振動している偏光のみを透過させ
る第１の偏光子よりなる第１の光透過板と、 前記露光光の経路に配置可能に設けられ、前記一方向と
直交する方向に振動している偏光のみを透過させる第２
の偏光子よりなる第２の光透過板と を備えていることを
特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4187891A JP3031728B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | レチクルおよび露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4187891A JP3031728B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | レチクルおよび露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH055980A JPH055980A (ja) | 1993-01-14 |
| JP3031728B2 true JP3031728B2 (ja) | 2000-04-10 |
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ID=12620532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4187891A Expired - Fee Related JP3031728B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | レチクルおよび露光装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3031728B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7150945B2 (en) * | 2003-11-18 | 2006-12-19 | Micron Technology, Inc. | Polarized reticle, photolithography system, and method of forming a pattern using a polarized reticle in conjunction with polarized light |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP4187891A patent/JP3031728B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH055980A (ja) | 1993-01-14 |
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