JP2865727B2 - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JP2865727B2 JP2865727B2 JP22442189A JP22442189A JP2865727B2 JP 2865727 B2 JP2865727 B2 JP 2865727B2 JP 22442189 A JP22442189 A JP 22442189A JP 22442189 A JP22442189 A JP 22442189A JP 2865727 B2 JP2865727 B2 JP 2865727B2
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Description
本発明は半導体素子，磁気バブル素子，表面弾性波素
子などの微細素子形成に係り，特に位相シフトパターン
を有するマスクを用いた微細パターンの形成に好適なリ
ソグラフィー技術の改良に関する。
子などの微細素子形成に係り，特に位相シフトパターン
を有するマスクを用いた微細パターンの形成に好適なリ
ソグラフィー技術の改良に関する。
投影露光法の解像度向上手段として，原画パターンの
描かれたレチクルの，光透過部の所望の位置に位相シフ
タを配置する，位相シフト法が知られている。位相シフ
ト法におけるパターン形成法としては，例えば特開昭58
−173744が挙げられる。 この従来例ではレチクル上の隣あった透過領域の少な
くとも１対において通過した光に位相差を導入する事を
開示しており，これにより解像度の向上がはかられるこ
とが述べられている。 しかし，微細なライン−スペースパターンにこれを適
用した場合，ライン−スペースパターン群の中央部と最
外郭部で得られる透過光の光強度に差が生じ，パターン
寸法に誤差が生じる。具体的には最外郭部の光強度が低
下する。従って，パターン群全体としては高い解像度向
上が達成できない。
描かれたレチクルの，光透過部の所望の位置に位相シフ
タを配置する，位相シフト法が知られている。位相シフ
ト法におけるパターン形成法としては，例えば特開昭58
−173744が挙げられる。 この従来例ではレチクル上の隣あった透過領域の少な
くとも１対において通過した光に位相差を導入する事を
開示しており，これにより解像度の向上がはかられるこ
とが述べられている。 しかし，微細なライン−スペースパターンにこれを適
用した場合，ライン−スペースパターン群の中央部と最
外郭部で得られる透過光の光強度に差が生じ，パターン
寸法に誤差が生じる。具体的には最外郭部の光強度が低
下する。従って，パターン群全体としては高い解像度向
上が達成できない。
上記従来技術においては，半導体素子や，その他の電
子回路素子で用いる実際のパターンに適用する際の問題
点については配慮がされておらず，繰返しパターンの周
辺部でパターン精度が低下すると言う問題が発生してい
た。 本発明の目的は，上記問題を解決し，実素子パターン
で効率良い解像度向上を実現するための，位相シフト法
を用いたリソグラフィーを提供することにある。
子回路素子で用いる実際のパターンに適用する際の問題
点については配慮がされておらず，繰返しパターンの周
辺部でパターン精度が低下すると言う問題が発生してい
た。 本発明の目的は，上記問題を解決し，実素子パターン
で効率良い解像度向上を実現するための，位相シフト法
を用いたリソグラフィーを提供することにある。
上記目的は，レチクル上に於いて，繰返しパターン群
や単一パターンの周辺に位相を考慮した補助パターンを
設けることにより達成される。
や単一パターンの周辺に位相を考慮した補助パターンを
設けることにより達成される。
繰返しパターンの最外郭の光透過パターンの位相に対
し，逆位相の補助パターンを設けることにより，最外郭
パターンに於いても，両側に逆位相のパターンが配置さ
れたことになり，パターン群中央部により近い条件とな
る。補助パターンはウェーハ上に転写する必要のないパ
ターンであり，解像限界以下のパターンを用いる必要が
ある。もちろん補助パターンが転写されても良い場合に
は解像限界以下のパターンを用いる必要はない。
し，逆位相の補助パターンを設けることにより，最外郭
パターンに於いても，両側に逆位相のパターンが配置さ
れたことになり，パターン群中央部により近い条件とな
る。補助パターンはウェーハ上に転写する必要のないパ
ターンであり，解像限界以下のパターンを用いる必要が
ある。もちろん補助パターンが転写されても良い場合に
は解像限界以下のパターンを用いる必要はない。
以下，本発明の一実施例を第１図により説明する。 第１図は，本実施例で用いたパターンの一例を模式的
に示したものである。１が光遮光部，図の一点鎖線の上
側が従来例，下側が本発明を適用した場合のパターンで
ある。パターンは0.3μｍライン−スペースであり，双
方とも光透過部１本おきに位相シフタ２を配置した。補
助パターン３の幅は0.1μｍとした。 用いた露光装置はNA＝0.42,波長＝365nm,露光光のコ
ヒーレンシσ＝0.3の1/10縮小投影露光装置である。 第２図（ａ）に第１図のＡ−Ａ′部のウェーハ上でえ
られる光強度分布を，第２図（ｂ）に第１図のＢ−Ｂ′
部のウェーハ上でえられる光強度分布をに示す。 （ａ）の従来法による光強度分布では最外郭パターン
の光強度低下および寸法太りが見られる。 一方，（ｂ）の本発明による光強度分布では，最外郭
パターンと中央部パターンの光強度分布に大きな差は見
られなかった。 このレチクルを用いてウェーハ上のレジストにパター
ン転写した結果，従来法では最外郭パターンの解像不良
が発生したが，本発明の方法では，寸法ばらつきの少な
い，良好なパターンが形成できた。特に焦点ずれがある
場合に改善効果が顕著であった。 本実施例では，補助パターンをパターンの両側に各１
本づつ設けたが,2本以上としても同様の効果が得られ
る。また，補助パターンの幅は解像度以下の寸法にした
が，これに限らない。補助パターンの幅は太い方が，寸
法均一化の効果は大きい。しかし，補助パターンがレジ
ストに転写されるため，実素子パターンにおいては，パ
ターンの配置を考慮する必要がある。例えば，素子の配
線パターンにおいて，素子の動作に関与しない補助パタ
ーンを配置する場所があれば，太い幅の補助パターンを
配置することができる。 また，素子パターンの設計において補助パターンをコ
ンピュータで自動的に発生させることも可能であり，設
計時間の短縮に有効である。
に示したものである。１が光遮光部，図の一点鎖線の上
側が従来例，下側が本発明を適用した場合のパターンで
ある。パターンは0.3μｍライン−スペースであり，双
方とも光透過部１本おきに位相シフタ２を配置した。補
助パターン３の幅は0.1μｍとした。 用いた露光装置はNA＝0.42,波長＝365nm,露光光のコ
ヒーレンシσ＝0.3の1/10縮小投影露光装置である。 第２図（ａ）に第１図のＡ−Ａ′部のウェーハ上でえ
られる光強度分布を，第２図（ｂ）に第１図のＢ−Ｂ′
部のウェーハ上でえられる光強度分布をに示す。 （ａ）の従来法による光強度分布では最外郭パターン
の光強度低下および寸法太りが見られる。 一方，（ｂ）の本発明による光強度分布では，最外郭
パターンと中央部パターンの光強度分布に大きな差は見
られなかった。 このレチクルを用いてウェーハ上のレジストにパター
ン転写した結果，従来法では最外郭パターンの解像不良
が発生したが，本発明の方法では，寸法ばらつきの少な
い，良好なパターンが形成できた。特に焦点ずれがある
場合に改善効果が顕著であった。 本実施例では，補助パターンをパターンの両側に各１
本づつ設けたが,2本以上としても同様の効果が得られ
る。また，補助パターンの幅は解像度以下の寸法にした
が，これに限らない。補助パターンの幅は太い方が，寸
法均一化の効果は大きい。しかし，補助パターンがレジ
ストに転写されるため，実素子パターンにおいては，パ
ターンの配置を考慮する必要がある。例えば，素子の配
線パターンにおいて，素子の動作に関与しない補助パタ
ーンを配置する場所があれば，太い幅の補助パターンを
配置することができる。 また，素子パターンの設計において補助パターンをコ
ンピュータで自動的に発生させることも可能であり，設
計時間の短縮に有効である。
以上のように本発明によれば，補助パターンの挿入に
より，最外郭パターンの光強度低下および解像不良を防
止することができ，位相シフト法の特性を十分に活かし
た，実質的な解像度向上が実現できる。たとえば，従来
法では，ライン−スペース中央部の解像度が0.3μｍの
場合，最外郭パターンの寸法は0.4μｍ以上が必要であ
ったが，本発明によれば，最外郭パターンも中央部と同
様に0.3μｍにすることができる。 これにより，光リソグラフィーにより超微細なパター
ンの形成も可能となり，半導体記憶素子などの特性改善
あるいは面積の縮小化にも有効である。
より，最外郭パターンの光強度低下および解像不良を防
止することができ，位相シフト法の特性を十分に活かし
た，実質的な解像度向上が実現できる。たとえば，従来
法では，ライン−スペース中央部の解像度が0.3μｍの
場合，最外郭パターンの寸法は0.4μｍ以上が必要であ
ったが，本発明によれば，最外郭パターンも中央部と同
様に0.3μｍにすることができる。 これにより，光リソグラフィーにより超微細なパター
ンの形成も可能となり，半導体記憶素子などの特性改善
あるいは面積の縮小化にも有効である。
第１図は本発明の一実施例のホトマスクの平面図、第２
図は第１図のホトマスクを通過した光の強度分布を示す
図である。 符号の説明 １……遮光部,2……位相シフタ,3……補助パターン
図は第１図のホトマスクを通過した光の強度分布を示す
図である。 符号の説明 １……遮光部,2……位相シフタ,3……補助パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/08
Claims (3)
- 【請求項１】レジスト膜へ、マスク上に形成された所望
の形状を有する第１のパターンの繰り返しパターンを転
写するレジストパターンの形成方法において、 前記繰り返しパターンの互いに隣接するパターンを透過
した露光光は互いに位相が反転しており、 且つ、前記マスク上には、繰り返しパターンの最外郭の
第１のパターンの外側に前記所望の形状とは異なる形状
を有する補助パターンが設けられ、前記補助パターンと
前記繰り返しパターンの最外郭の第１のパターンとを透
過した前記露光光は互いに位相が反転していることを特
徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項２】前記補助パターンは、前記第１のパターン
に比べて前記露光光の透過光量が少ないことを特徴とす
る請求項１記載のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項３】前記補助パターンは、解像度以下の寸法を
有することを特徴とする請求項２記載のレジストパター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22442189A JP2865727B2 (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22442189A JP2865727B2 (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0389346A JPH0389346A (ja) | 1991-04-15 |
| JP2865727B2 true JP2865727B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=16813519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22442189A Expired - Lifetime JP2865727B2 (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2865727B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3179520B2 (ja) * | 1991-07-11 | 2001-06-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2701765B2 (ja) * | 1994-12-28 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4791198B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2011-10-12 | パナソニック株式会社 | フォトマスク、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法及びマスクデータ作成方法 |
| JP2008083189A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 位相シフトマスクおよび集光素子の製造方法 |
| JP5104774B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2012-12-19 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクおよびその製造方法 |
| JP5104832B2 (ja) * | 2009-09-09 | 2012-12-19 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの修正方法および修正されたフォトマスク |
| US8974987B2 (en) | 2009-02-16 | 2015-03-10 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photomask and methods for manufacturing and correcting photomask |
-
1989
- 1989-09-01 JP JP22442189A patent/JP2865727B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0389346A (ja) | 1991-04-15 |
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Legal Events
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