JPH0749559A - ホトリソグラフィ用パターンマスク - Google Patents
ホトリソグラフィ用パターンマスクInfo
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- JPH0749559A JPH0749559A JP10706994A JP10706994A JPH0749559A JP H0749559 A JPH0749559 A JP H0749559A JP 10706994 A JP10706994 A JP 10706994A JP 10706994 A JP10706994 A JP 10706994A JP H0749559 A JPH0749559 A JP H0749559A
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- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
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- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 101100063942 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) dot-1 gene Proteins 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
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- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ホトリソグラフィにおいて、マスクパターン
の境界が曖昧になることなく、くっきりと焼き付けがで
き、高解像度のパターン形成を可能にするホトマスクを
提供する。 【構成】パターンの窓領域の中央付近に、レチクル上に
露光エネルギーの強度を減衰させるための露光エネルギ
ー減衰手段を設ける。
の境界が曖昧になることなく、くっきりと焼き付けがで
き、高解像度のパターン形成を可能にするホトマスクを
提供する。 【構成】パターンの窓領域の中央付近に、レチクル上に
露光エネルギーの強度を減衰させるための露光エネルギ
ー減衰手段を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ホトリソグラフィ用
パターンマスクに関するもので、より詳しくは、半導体
素子の製造工程において使用するホトエッチング用のパ
ターンマスクに関するものである。
パターンマスクに関するもので、より詳しくは、半導体
素子の製造工程において使用するホトエッチング用のパ
ターンマスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造工程等において、
感光性樹脂膜であるホトレジストにホトマスクを使用し
てエッチングパターンを焼き付けるが、その際パターン
の細部まで鮮明にくっきりと高解像度でパターン付けさ
れることが要求される。このため、良好な特性を有する
感光性樹脂膜の開発、露光装置の光源の波長の短縮な
ど、種々の工程改良の努力が続けられてきている。しか
し、光源自体の波としての性質上、感光性樹脂膜に焼き
付けられるパターンの解像度の限界は、解決されないま
ま問題であった。
感光性樹脂膜であるホトレジストにホトマスクを使用し
てエッチングパターンを焼き付けるが、その際パターン
の細部まで鮮明にくっきりと高解像度でパターン付けさ
れることが要求される。このため、良好な特性を有する
感光性樹脂膜の開発、露光装置の光源の波長の短縮な
ど、種々の工程改良の努力が続けられてきている。しか
し、光源自体の波としての性質上、感光性樹脂膜に焼き
付けられるパターンの解像度の限界は、解決されないま
ま問題であった。
【０００３】以下，図６〜８を参照して、従来のマスク
パターンの露光工程について説明する。ホトマスクは、
図６に示す断面構造をしており、レチクル１の上に照射
すべき形の窓を残して遮蔽すべき領域にクロームパター
ン２が形成されている。これに矢印の方向に照射を行う
と、ホトマスクを通過して出てくるエネルギー強度は、
図７のように窓領域（非クローム領域）の中央部で最大
になり、その両側に左右対称的に緩やかな傾斜で分布す
ることとなる。その結果、図８に断面構造を示すよう
に、感光性樹脂膜３は、クロームパターン２の端部ａ、
ｂに対応する箇所３ａ、３ｂで露光強度不足により、解
像力が著しく低下する。つまり、従来のホトマスクを利
用するホトレジストのパターン形成は、窓部と遮蔽部と
の境界に沿ってレジストの一部が残留して解像度が劣る
問題が伴った。
パターンの露光工程について説明する。ホトマスクは、
図６に示す断面構造をしており、レチクル１の上に照射
すべき形の窓を残して遮蔽すべき領域にクロームパター
ン２が形成されている。これに矢印の方向に照射を行う
と、ホトマスクを通過して出てくるエネルギー強度は、
図７のように窓領域（非クローム領域）の中央部で最大
になり、その両側に左右対称的に緩やかな傾斜で分布す
ることとなる。その結果、図８に断面構造を示すよう
に、感光性樹脂膜３は、クロームパターン２の端部ａ、
ｂに対応する箇所３ａ、３ｂで露光強度不足により、解
像力が著しく低下する。つまり、従来のホトマスクを利
用するホトレジストのパターン形成は、窓部と遮蔽部と
の境界に沿ってレジストの一部が残留して解像度が劣る
問題が伴った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、マスクパ
ターンの境界において照射エネルギーが曖昧に減衰する
ことなく、くっきりとしたパターン焼き付けができ、高
解像度のパターン形成を可能にするホトマスクを提供す
ることを目的とする。
ターンの境界において照射エネルギーが曖昧に減衰する
ことなく、くっきりとしたパターン焼き付けができ、高
解像度のパターン形成を可能にするホトマスクを提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的を
達成するために、パターンの窓領域の中央付近の露光エ
ネルギー強度が集中する箇所に、レチクル上に露光エネ
ルギーの強度を減衰させるための露光エネルギー減衰手
段を設けるものである。
達成するために、パターンの窓領域の中央付近の露光エ
ネルギー強度が集中する箇所に、レチクル上に露光エネ
ルギーの強度を減衰させるための露光エネルギー減衰手
段を設けるものである。
【０００６】
【実施例】以下、図面を参照しながらこの発明の実施例
を説明する。ホトマスクは、図１に断面図を示すよう
に、レチクル１１の上にクロームパターン１２が乗って
形成されている。パターン１２の中程の窓の部分のほぼ
中央付近に露光エネルギーの強度を減衰させるための手
段として、クロームドット１４が形成されている。この
クロームドット１４は、露光エネルギーの強度を減衰さ
せるためのものであるから、決して影として投影される
ような大きさまたは厚さであってはならない。このよう
に、窓領域の中にクロームドットを形成したことによ
り、照射用エネルギーの強度は、図２に示すように全体
的に均一な分布を呈することとなる。しかし、一方、ク
ロームドットが遮光した分だけエネルギー総量が減少す
るので、ホトマスクの露光に従来より１０％程度増加し
た露光エネルギーを用いる。光源の強度を増加させるか
露光時間を増加させるかで、対処できる。この結果、図
３に示すように、感光性樹脂膜１３に焼き付けられ現像
されたパターンは、角の部分１３ａ、１３ｂに曖昧な残
留物のない良好なものとなる。
を説明する。ホトマスクは、図１に断面図を示すよう
に、レチクル１１の上にクロームパターン１２が乗って
形成されている。パターン１２の中程の窓の部分のほぼ
中央付近に露光エネルギーの強度を減衰させるための手
段として、クロームドット１４が形成されている。この
クロームドット１４は、露光エネルギーの強度を減衰さ
せるためのものであるから、決して影として投影される
ような大きさまたは厚さであってはならない。このよう
に、窓領域の中にクロームドットを形成したことによ
り、照射用エネルギーの強度は、図２に示すように全体
的に均一な分布を呈することとなる。しかし、一方、ク
ロームドットが遮光した分だけエネルギー総量が減少す
るので、ホトマスクの露光に従来より１０％程度増加し
た露光エネルギーを用いる。光源の強度を増加させるか
露光時間を増加させるかで、対処できる。この結果、図
３に示すように、感光性樹脂膜１３に焼き付けられ現像
されたパターンは、角の部分１３ａ、１３ｂに曖昧な残
留物のない良好なものとなる。
【０００７】図４は、以上説明したクロームパターンの
平面図であって、窓領域（非クローム領域）の大きさｄ
×ｅに対して、その中央に形成されたクロームドット１
４の大きさｆ×ｇは面積でほぼ１０％程度が適当である
が、露光装置の特性に合わせて適宜増減させればよい。
なお、クロームドットの大きさがあまり大きすぎると、
露光強度が劣ることになって、スカム (scum) が残存す
るようになるし、あまり小さすぎると、調整効果が小さ
くなる。クロームドット１４を設ける位置は，露光強度
を均一化させようとする窓部の中央が最も効果的であ
る。
平面図であって、窓領域（非クローム領域）の大きさｄ
×ｅに対して、その中央に形成されたクロームドット１
４の大きさｆ×ｇは面積でほぼ１０％程度が適当である
が、露光装置の特性に合わせて適宜増減させればよい。
なお、クロームドットの大きさがあまり大きすぎると、
露光強度が劣ることになって、スカム (scum) が残存す
るようになるし、あまり小さすぎると、調整効果が小さ
くなる。クロームドット１４を設ける位置は，露光強度
を均一化させようとする窓部の中央が最も効果的であ
る。
【０００８】図５は、この発明の別の実施例のホトマス
クのパターン配置を示す平面図で、ラインを形成すると
ころに用いる。この実施例では、所定間隔で並べたクロ
ームパターン２２により間にライン用の細長い窓領域が
あり、各窓領域の中央線上に狭い幅のクロームライン２
４を形成している。このマスクを用いて露光強度を増加
して露光することにより、前記図３で説明したのと同様
に、ラインの縁部分の曖昧な感光性樹脂膜残留物を防止
でき、解像力の向上した高精度の半導体素子の生産がで
きる。
クのパターン配置を示す平面図で、ラインを形成すると
ころに用いる。この実施例では、所定間隔で並べたクロ
ームパターン２２により間にライン用の細長い窓領域が
あり、各窓領域の中央線上に狭い幅のクロームライン２
４を形成している。このマスクを用いて露光強度を増加
して露光することにより、前記図３で説明したのと同様
に、ラインの縁部分の曖昧な感光性樹脂膜残留物を防止
でき、解像力の向上した高精度の半導体素子の生産がで
きる。
【０００９】
【発明の作用・効果】この発明によれば、照射エネルギ
ーの分布を窓領域の中で極力均一にすることができるの
で、パターンの縁が鮮明な高解像度のパターン焼き付け
が行われ、高集積度の半導体素子の生産に寄与すること
ができる。
ーの分布を窓領域の中で極力均一にすることができるの
で、パターンの縁が鮮明な高解像度のパターン焼き付け
が行われ、高集積度の半導体素子の生産に寄与すること
ができる。
【図１】 この発明のホトマスクの断面図である。
【図２】 この発明における照射エネルギーの分布図で
ある。
ある。
【図３】 この発明によりパターン付けされた感光性樹
脂膜の断面図である。
脂膜の断面図である。
【図４】 この発明のホトマスクの平面図である。
【図５】 この発明のホトマスクの別の実施例の平面図
である。
である。
【図６】 従来のホトマスクの断面図である。
【図７】 従来の工程における照射エネルギーの分布図
である。
である。
【図８】 従来の工程によりパターン付けされた感光性
樹脂膜の断面図である。
樹脂膜の断面図である。
１…レチクル、２…クロームパターン、３…クロームパ
ターン、１１…レチクル、１２…クロームパターン、１
３…感光性樹脂膜、１４…クロームドット、２２…クロ
ームパターン、２４…クロームライン
ターン、１１…レチクル、１２…クロームパターン、１
３…感光性樹脂膜、１４…クロームドット、２２…クロ
ームパターン、２４…クロームライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イン ジェーシク 大韓民国 467−860 キョウンキド イチ ヨンクン ブバリュブ アミ−リ サン 136−１ ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリイズ カンパニー リミテ ッド内
Claims (4)
- 【請求項１】 露光エネルギーが透過する窓領域のほぼ
中央付近の領域に露光エネルギーの強度を減衰させるた
めの露光エネルギー減衰手段を設けてなることを特徴と
するホトリソグラフィ用パターンマスク。 - 【請求項２】 請求項１に記載のホトリソグラフィ用パ
ターンマスクにおいて、該露光エネルギー減衰手段は、
パターンマスクの窓領域のレチクル上に小面積のクロー
ムパターンで形成されたことを特徴とするもの。 - 【請求項３】 請求項１に記載のホトリソグラフィ用パ
ターンマスクにおいて、該露光エネルギー減衰手段は、
パターンマスクの細長い窓領域のレチクル上に狭い幅の
クロームラインで形成されたことを特徴とするもの。 - 【請求項４】 請求項２または請求項３に記載のホトリ
ソグラフィ用パターンマスクにおいて、該露光エネルギ
ー減衰手段は、パターンの窓領域の面積の約１０％の大
きさであることを特徴とするもの。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1993-8832 | 1993-05-21 | ||
| KR930008832 | 1993-05-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0749559A true JPH0749559A (ja) | 1995-02-21 |
| JP3205753B2 JP3205753B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=19355821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10706994A Expired - Fee Related JP3205753B2 (ja) | 1993-05-21 | 1994-05-20 | ホトリソグラフィ用パターンマスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5523184A (ja) |
| JP (1) | JP3205753B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08314113A (ja) * | 1995-05-17 | 1996-11-29 | Fujitsu Ltd | マスク及びこれを使用して形成されるプリント基板 |
| US5866913A (en) * | 1995-12-19 | 1999-02-02 | International Business Machines Corporation | Proximity correction dose modulation for E-beam projection lithography |
| KR100564597B1 (ko) * | 2003-12-20 | 2006-03-28 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크 및 그 제조 방법 |
| US7588869B2 (en) * | 2003-12-30 | 2009-09-15 | Lg Display Co., Ltd. | Divided exposure method for making a liquid crystal display |
| CA2787249C (en) | 2009-01-29 | 2017-09-12 | Digiflex Ltd. | Process for producing a photomask on a photopolymeric surface |
| CN105892222A (zh) * | 2016-06-03 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版、接近式曝光机、彩色滤光片的制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5288569A (en) * | 1992-04-23 | 1994-02-22 | International Business Machines Corporation | Feature biassing and absorptive phase-shifting techniques to improve optical projection imaging |
-
1994
- 1994-05-20 JP JP10706994A patent/JP3205753B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-23 US US08/247,705 patent/US5523184A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5523184A (en) | 1996-06-04 |
| JP3205753B2 (ja) | 2001-09-04 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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