JP3047111B2 - マスクのパターン形成方法 - Google Patents
マスクのパターン形成方法Info
- Publication number
- JP3047111B2 JP3047111B2 JP16978390A JP16978390A JP3047111B2 JP 3047111 B2 JP3047111 B2 JP 3047111B2 JP 16978390 A JP16978390 A JP 16978390A JP 16978390 A JP16978390 A JP 16978390A JP 3047111 B2 JP3047111 B2 JP 3047111B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- patterns
- pattern
- forming
- mask
- row
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 マスクのパターン形成方法、特に、レジスト膜に転写
されるパターンの寸法精度を高めるようにするマスクの
パターン形成方法に関し、 マスクに形成されている複数のパターンよりなるパタ
ーン群をを転写するにあり、転写されるすべてのパター
ンが高い寸法精度をもって形成されるようにするマスク
のパターン形成方法を提供することを目的とし、 光学系に特有のコマ収差が発生する平均的面内方向に
対して45度以内の方向にパターンが複数本列状に配置さ
れている複数のパターンを形成するにあたり、この複数
のパターンの最外列にあるパターンの側部に、ダミーパ
ターンを設けるように構成する。
されるパターンの寸法精度を高めるようにするマスクの
パターン形成方法に関し、 マスクに形成されている複数のパターンよりなるパタ
ーン群をを転写するにあり、転写されるすべてのパター
ンが高い寸法精度をもって形成されるようにするマスク
のパターン形成方法を提供することを目的とし、 光学系に特有のコマ収差が発生する平均的面内方向に
対して45度以内の方向にパターンが複数本列状に配置さ
れている複数のパターンを形成するにあたり、この複数
のパターンの最外列にあるパターンの側部に、ダミーパ
ターンを設けるように構成する。
〔産業上の利用分野〕 本発明は、マスクのパターン形成方法、特に、レジス
ト膜に転写されるパターンの寸法精度を高めるようにす
るマスクのパターン形成方法に関する。
ト膜に転写されるパターンの寸法精度を高めるようにす
るマスクのパターン形成方法に関する。
半導体デバイスの高集積化に伴い、デザインルールの
微細化が強く望まれている。そのために、三層レジスト
法等の高解像度レジストプロセスを使用して解像度を向
上する方法や主パターンの周囲に露光光の位相を反転す
る補助パターンを形成した位相シフトマスクを使用し、
主パターンと補助パターンとを透過する露光光の干渉効
果を利用して解像度を向上する方法等が提案されてい
る。
微細化が強く望まれている。そのために、三層レジスト
法等の高解像度レジストプロセスを使用して解像度を向
上する方法や主パターンの周囲に露光光の位相を反転す
る補助パターンを形成した位相シフトマスクを使用し、
主パターンと補助パターンとを透過する露光光の干渉効
果を利用して解像度を向上する方法等が提案されてい
る。
これらの方法は、マスクに形成されている個々のパタ
ーンの解像度を向上することを目的としたものであっ
て、複数のパターンよりなるパターン群に対して何等か
の手段を講ずることによって、そのパターン群に属する
個々のパターンの転写寸法精度を高めようとする技術思
想についてはこれまで開示されたものはない。本発明は
後者の技術思想に基づくものである。
ーンの解像度を向上することを目的としたものであっ
て、複数のパターンよりなるパターン群に対して何等か
の手段を講ずることによって、そのパターン群に属する
個々のパターンの転写寸法精度を高めようとする技術思
想についてはこれまで開示されたものはない。本発明は
後者の技術思想に基づくものである。
例えば、開口数が0.45であるステッパを使用し、ｉ線
（波長365nm）を照射して高解像力レジスト膜を露光す
る場合に、マスクに形成されたパターンが第４図（ａ）
に示すような1:1のライン・スペースパターンである
と、露光・現像して転写されたレジストパターンの形状
は第４図（ｂ）のようになる。すなわち、中央の３本の
ラインパターンl2、l3、l4は設計寸法どおりに形成され
るのに対し、両端のラインパターンl1及びl5は設計寸法
と異なる寸法に形成される。具体例を示すと、設計寸法
がそれぞれ0.65μｍ、0.6μｍ、0.55μｍ及び0.5μｍの
場合に、ラインパターンl1及びl5の寸法は第１表に示す
ようになる。
（波長365nm）を照射して高解像力レジスト膜を露光す
る場合に、マスクに形成されたパターンが第４図（ａ）
に示すような1:1のライン・スペースパターンである
と、露光・現像して転写されたレジストパターンの形状
は第４図（ｂ）のようになる。すなわち、中央の３本の
ラインパターンl2、l3、l4は設計寸法どおりに形成され
るのに対し、両端のラインパターンl1及びl5は設計寸法
と異なる寸法に形成される。具体例を示すと、設計寸法
がそれぞれ0.65μｍ、0.6μｍ、0.55μｍ及び0.5μｍの
場合に、ラインパターンl1及びl5の寸法は第１表に示す
ようになる。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、マ
スクに形成されている複数のパターンよりなるパターン
群を転写するにあたり、転写されるすべてのパターンが
高い寸法精度をもって形成されるようにするマスクのパ
ターン形成方法を提供することにある。
スクに形成されている複数のパターンよりなるパターン
群を転写するにあたり、転写されるすべてのパターンが
高い寸法精度をもって形成されるようにするマスクのパ
ターン形成方法を提供することにある。
上記の目的は、下記いずれの手段によっても達成され
る。
る。
第１の手段は、光学系に特有のコマ収差が発生する平
均的面内方向に対して45度以内の方向にパターンが複数
本列状に配置されている複数のパターンを形成するにあ
たり、この複数のパターンの最外列にあるパターンの側
部に、ダミーパターンを設けるマスクのパターン形成方
法であり、第２の手段は、光学系に特有のコマ収差が発
生する平均的面内方向に対して45度の方向にパターンが
複数本列状に配置されている複数のパターンを形成する
にあたり、この複数のパターンの最外列にあるパターン
の側部と、この複数のパターン列の方向と直交する方向
に列が形成される複数のパターンの最外列にあるパター
ンの側部とに、ダミーパターンを設けるマスクのパター
ン形成方法である。
均的面内方向に対して45度以内の方向にパターンが複数
本列状に配置されている複数のパターンを形成するにあ
たり、この複数のパターンの最外列にあるパターンの側
部に、ダミーパターンを設けるマスクのパターン形成方
法であり、第２の手段は、光学系に特有のコマ収差が発
生する平均的面内方向に対して45度の方向にパターンが
複数本列状に配置されている複数のパターンを形成する
にあたり、この複数のパターンの最外列にあるパターン
の側部と、この複数のパターン列の方向と直交する方向
に列が形成される複数のパターンの最外列にあるパター
ンの側部とに、ダミーパターンを設けるマスクのパター
ン形成方法である。
〔作用〕 露光装置の光学系のコマ収差の発生する方向及び大き
さをフィールド（画角）内の各領域において測定し、そ
れらの合成ベクトルの方向を光学系のコマ収差が発生す
る平均的面内方向と定義する。
さをフィールド（画角）内の各領域において測定し、そ
れらの合成ベクトルの方向を光学系のコマ収差が発生す
る平均的面内方向と定義する。
露光装置の光学系のコマ収差が発生する平均的面内方
向に複数のパターンが形成されているマスクを使用して
レジスト膜を露光・現像すると、転写された複数のレジ
ストパターンのうち、両端のパターンの寸法が所定の寸
法からずれることが確認された。ずれ量は、レジストプ
ロセスの改善、位相シフトマスクの採用等の高解像度化
技術が適用される以前は特に問題となる大きさではなか
ったが、解像度が向上し、パターンが微細化した今日に
おいては無視できない大きさになってきた。
向に複数のパターンが形成されているマスクを使用して
レジスト膜を露光・現像すると、転写された複数のレジ
ストパターンのうち、両端のパターンの寸法が所定の寸
法からずれることが確認された。ずれ量は、レジストプ
ロセスの改善、位相シフトマスクの採用等の高解像度化
技術が適用される以前は特に問題となる大きさではなか
ったが、解像度が向上し、パターンが微細化した今日に
おいては無視できない大きさになってきた。
本出願の発明者は、光学系のコマ収差が発生する平均
的面内方向に対して45度以内の方向に複数のパターンを
形成する場合には、複数のパターンの両端にダミーパタ
ーンを形成し、また、丁度45度の方向に複数のパターン
を形成する場合には、複数のパターンの両端及びその方
向と直交する方向に形成される複数のパターンの両端に
それぞれダミーパターンを形成することによって、転写
されるすべてのパターンの寸法精度を高めることができ
ることを見出した。
的面内方向に対して45度以内の方向に複数のパターンを
形成する場合には、複数のパターンの両端にダミーパタ
ーンを形成し、また、丁度45度の方向に複数のパターン
を形成する場合には、複数のパターンの両端及びその方
向と直交する方向に形成される複数のパターンの両端に
それぞれダミーパターンを形成することによって、転写
されるすべてのパターンの寸法精度を高めることができ
ることを見出した。
この作用については、収差論の教えるところである
が、極めて難解な数式的表現を必要とするのでこれを省
略する。しかし、この作用が実現することは、実験的に
確認済みである。
が、極めて難解な数式的表現を必要とするのでこれを省
略する。しかし、この作用が実現することは、実験的に
確認済みである。
以下、図面を参照しつゝ、本発明の一実施例に係るマ
スクのパターン形成方法について説明する。
スクのパターン形成方法について説明する。
第１図参照 石英ガラス等の透光性基板１に、周知の方法を使用し
て複数（図においては５本）のラインパターンl1、l2・
・・、l5を形成してマスクを製造する場合について説明
する。
て複数（図においては５本）のラインパターンl1、l2・
・・、l5を形成してマスクを製造する場合について説明
する。
露光装置の光学系のコマ収差が発生する平均的面内方
向Ａ−Ａ′に対して45度以内の方向Ｂ−Ｂ′に複数のラ
インパターンl1、l2・・・、l5を形成する場合には、複
数のラインパターンl1、l2・・・、l5の両端にダミーパ
ターンl5及びleを形成する。ラインパターンの寸法が0.
5μｍ以上の場合には、このマスクを使用してレジスト
膜に転写されるラインパターン（図においては５本）
は、すべて設計寸法通りに形成されることが確認され
た。
向Ａ−Ａ′に対して45度以内の方向Ｂ−Ｂ′に複数のラ
インパターンl1、l2・・・、l5を形成する場合には、複
数のラインパターンl1、l2・・・、l5の両端にダミーパ
ターンl5及びleを形成する。ラインパターンの寸法が0.
5μｍ以上の場合には、このマスクを使用してレジスト
膜に転写されるラインパターン（図においては５本）
は、すべて設計寸法通りに形成されることが確認され
た。
第２図参照 メモリセルを形成するときの周辺回路に形成される蛇
行ラインパターンｌに対しては、第２図に示す位置にダ
ミーパターンls及びleを設けることによって、寸法精度
の高いパターンを転写することができる。
行ラインパターンｌに対しては、第２図に示す位置にダ
ミーパターンls及びleを設けることによって、寸法精度
の高いパターンを転写することができる。
第３図参照 メモリセルを形成するときのホール状または島残し状
のパターンliに対しては、第３図に示す位置にダミーパ
ターンls及びleを設けることによって、寸法精度の高い
パターンを転写することができる。
のパターンliに対しては、第３図に示す位置にダミーパ
ターンls及びleを設けることによって、寸法精度の高い
パターンを転写することができる。
なお、光学系のコマ収差が発生する平均的面内方向に
対して丁度45度の方向に複数のパターンを形成する場合
には、その複数のパターンの両端とその複数のパターン
の形成方向と直交する方向に形成される複数のパターン
の両端とにそれぞれダミーパターンを形成することが効
果的である。
対して丁度45度の方向に複数のパターンを形成する場合
には、その複数のパターンの両端とその複数のパターン
の形成方向と直交する方向に形成される複数のパターン
の両端とにそれぞれダミーパターンを形成することが効
果的である。
以上説明せるとおり、本発明に係るマスクのパターン
形成方法においては、光学系のコマ収差が発生する平均
的面内方向に対して45度以内の方向に複数のパターンが
配設されるマスクを形成する場合に、複数のパターンの
両端にダミーパターンを形成することによってコマ収差
による影響は排除され、複数のパターンのすべてが高い
寸法精度をもって転写されるようになった。この結果、
高解像力レジストプロセス、位相シフトマスク等の使用
と相俟って高度な微細パターン形成技術を提供すること
が可能になった。
形成方法においては、光学系のコマ収差が発生する平均
的面内方向に対して45度以内の方向に複数のパターンが
配設されるマスクを形成する場合に、複数のパターンの
両端にダミーパターンを形成することによってコマ収差
による影響は排除され、複数のパターンのすべてが高い
寸法精度をもって転写されるようになった。この結果、
高解像力レジストプロセス、位相シフトマスク等の使用
と相俟って高度な微細パターン形成技術を提供すること
が可能になった。
第１図は、本発明の一実施例に係るマスクのパターン形
成方法を説明する図である。 第２図、第３図は、ダミーパターンの配置例を示す図で
ある。 第４図は、従来技術に係るマスクを使用して転写したラ
インパターンの形状を示す図である。 １……透光性基板、 ls・le……ダミーパターン、 l1〜l5……ラインパターン、 ｌ……蛇行ラインパターン、 li……島残しパターン。
成方法を説明する図である。 第２図、第３図は、ダミーパターンの配置例を示す図で
ある。 第４図は、従来技術に係るマスクを使用して転写したラ
インパターンの形状を示す図である。 １……透光性基板、 ls・le……ダミーパターン、 l1〜l5……ラインパターン、 ｌ……蛇行ラインパターン、 li……島残しパターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−186617（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−78150（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−195450（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−235837（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−89346（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−170928（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/08 - 1/16 H01L 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】光学系に特有のコマ収差が発生する平均的
面内方向に対して45度以内の方向にパターンが複数本列
状に配置されてなる複数のパターンを形成するにあた
り、該複数のパターンの最外列にあるパターンの側部
に、ダミーパターンを設ける ことを特徴とするマスクのパターン形成方法。 - 【請求項２】光学系に特有のコマ収差が発生する平均的
面内方向に対して45度の方向にパターンが複数本列状に
配置されてなる複数のパターンを形成するにあたり、該
複数のパターンの最外列にあるパターンの側部と、該複
数のパターンの列方向と直交する方向に列が形成される
複数のパターンの最外列にあるパターンの側部とに、ダ
ミーパターンを設ける ことを特徴とするマスクのパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16978390A JP3047111B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | マスクのパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16978390A JP3047111B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | マスクのパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0460547A JPH0460547A (ja) | 1992-02-26 |
| JP3047111B2 true JP3047111B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=15892792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16978390A Expired - Lifetime JP3047111B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | マスクのパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3047111B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4634849B2 (ja) * | 2005-04-12 | 2011-02-16 | 株式会社東芝 | 集積回路のパターンレイアウト、フォトマスク、半導体装置の製造方法、及びデータ作成方法 |
| KR100712996B1 (ko) * | 2005-09-20 | 2007-05-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 패턴더미를 갖는 반도체소자 및 패턴더미를 이용한반도체소자의 제조방법 |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP16978390A patent/JP3047111B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0460547A (ja) | 1992-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7659041B2 (en) | Lithographic method of manufacturing a device | |
| EP1094366B1 (en) | Method and system for optical proximity correction | |
| JP3119217B2 (ja) | フォトマスクおよびフォトマスクを使用した露光方法 | |
| US9864831B2 (en) | Metrology pattern layout and method of use thereof | |
| JP2896347B2 (ja) | フォトマスク | |
| JPH09199390A (ja) | パターン形成方法、投影露光装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2002252157A (ja) | マスク作製用部材およびその製造方法ならびにマスクおよびその製造方法ならびに露光方法ならびに半導体装置の製造方法 | |
| US4610948A (en) | Electron beam peripheral patterning of integrated circuits | |
| JPH031522A (ja) | レジストパターン形成法 | |
| JP3047111B2 (ja) | マスクのパターン形成方法 | |
| US5237393A (en) | Reticle for a reduced projection exposure apparatus | |
| JP3292909B2 (ja) | パタン位置歪の算出方法 | |
| JP2865727B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| CN210776174U (zh) | 组合光罩 | |
| JP3087364B2 (ja) | マスクの製造方法 | |
| US11043417B2 (en) | Line structure for fan-out circuit and manufacturing method thereof, and photomask pattern for fan-out circuit | |
| JP2995061B2 (ja) | フォトマスク | |
| JP3129007B2 (ja) | ホトマスク及び半導体装置の製造方法 | |
| KR0134169Y1 (ko) | 마스크 패턴 | |
| KR20070077383A (ko) | 노광 공정을 이용한 패턴 형성 방법 | |
| JP3288829B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0389347A (ja) | 投影露光装置用光学マスク | |
| JPS588132B2 (ja) | 集積回路製造方法 | |
| JP2892014B2 (ja) | 光露光用マスク及び露光方法 | |
| JPH04267537A (ja) | 露光方法及び半導体素子の製造方法 |