KR0142632B1 - 레티클 제조방법 - Google Patents

레티클 제조방법

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KR0142632B1
KR0142632B1 KR1019940029383A KR19940029383A KR0142632B1 KR 0142632 B1 KR0142632 B1 KR 0142632B1 KR 1019940029383 A KR1019940029383 A KR 1019940029383A KR 19940029383 A KR19940029383 A KR 19940029383A KR 0142632 B1 KR0142632 B1 KR 0142632B1
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히로시 노즈에
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가네꼬 히사시
니뽄 덴끼 가부시끼 가이샤
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Abstract

소정의 패턴을 가진 레티클 제조방법은 전자 비임 감광층이 적용되는 유리기판을 포함하는 마스크 브랭크에 전자비임을 방출하는 단계를 포함한다. 상기 마스크 브랭크는 스텝퍼가 레티클을 통하여 반도체 웨이퍼를 광에 노출시킬때에 레티클이 유지되는 위치와 동일 위치에 유지된다. 예를들면 상기 마스크 브랭크는 전자비임 감광층이 하부로 향하고 전자비임이 상기 층의 저부로부터 방출되도록 유지된다. 상기 방법은 레티클의 곡률 때문에 발생할 수 있는 패턴의 치수 오차와 패턴의 변위를 해소시킬 수 있다.

Description

레티클 제조 방법
제1도는 종래의 스텝퍼(stepper)를 도시하는 개략도.
제2도는 마스크 브랭크(mask blank)에 전자비임을 방사하기 위한 장치를 도시하는 개략도.
제3a도 내지 제3d도는 마스크 브랭크의 곡률과 회로 패턴의 변위 사이의 관계를 도시하는 부분 단면도.
제4도는 본 발명의 실시예에 따른 마스크 브랭크에 전자비임을 방사하기 위한 장치를 도시하는 개략도.
제5도는 홀더의 저면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11:방진기16 : 홀더
20:전자광학 시스템C:크롬층
R:저항체G:유리기관
33:광원32:렌즈
W:반도체 웨이퍼100:마스크 브랭크
200:레티클
[발명의 배경]
[발명의 분야]
본 발명은 반도체 직접회로 장치의 제조공정중 하나인 포토리소그라피(photolithography) 공정에 사용되는 레티클(reticle) 제조방법에 관한 것이다.
[관련기술의 설명]
반도체 직접회로장치의 제조에 있어서, 반도체 웨이퍼위에 미세한 패턴(micro pattern)을 고정밀도로 형성하기 위하여 포토리소그라피 공정이 채택된다.
상기 포토리소그라피 공정에서, 소위 레티클이 사용된다. 상기 레티클은 자외선이 통과하는 것을 방지하는 크롬과 같은 물질로 구성된 회로 패턴이 형성된 석영과 같은 유리기판으로 구성된다. 상기 레티클은 반도체 웨이퍼를 광에 노출하기 위한 장치인 스텝퍼(stepper)에 설정되고, 레티클위에 형성된 회로패턴은 스탭퍼에 의해 반도체 기판에 영상화 되므로써, 직적회로 장치가 형성된다.
제1도는 스텝퍼를 개략적으로 도시한다. 반도체 직접회로 장치를 형성하는 반도체 웨이퍼(w)는 X와 Y 방향 둘다로 이동가능한 X-Y 스테이지(31)위에 위치된다. 회로를 포함하는 도전층은 웨이퍼(W)의 상부면위에 형성되고, 포토레지스트는 상기 도전층위에 형성된다. 렌즈(32)는 X-Y 스테이지(31)위에 배치되고, 홀더(34)에 의해 유지되는 레티클(200)은 상기 렌즈(32)위에 배치된다. 자외선을 방사하는 광원(33)은 레티클(200)위에 배치된다. 상기 광원(33)으로부터 레티클(200)에 자외선을 방사함으로써, 레티클(200)위에 형성된 회로 패턴은 반도체 웨이퍼(W)의 상부면위에 형상이 형성된다. 그 다음, 상기 웨이퍼(W)는 빛에 노출된다. 상기 포토레지스터는 현상되므로 상기 회로 패턴에 대응하는 부분만을 남긴다. 마스크로서 잔류 포토레지스터를 사용하는 전도층을 에칭함으로써, 바람직한 전도패턴이 얻어진다.
그래서, 만약 회로 패턴이 예를 들면, 패턴의 위치와 패턴의 크기에 대하여 낮은 정확도로 유리기판 위에 형성된다면, 소위 반도체 직접회로장치인 최종 생산물은 단지 낮은 레벨의 수행성을 가지거나 불일치(non-conforming)하게 될 수 있다. 그래서, 높은 정밀도로 유리기판위에 회로 패턴을 형성하는 것이 매우 중요하다.
레티클은 일반적으로 전자 비임 노출장치에 의하여 제조된다. 제2도는 종래의 전자비임 노출장치를 개략적으로 도시한다. 진공펌프와 같은 진공 시스템(42)에 의하여 감압되는 진공챔버(43)는 방진기(41)위에 배치된다. X와 Y 방향으로 이동가능한 X-Y 스테이지(44)는 진공챔버(43)내에 배치되고, 레티클이 제조되는 마스크 브랭크(100)를 유지하기 위한 홀더(45)는 상기 X-Y 스테이지(44)위에 배치된다. 제3A도에 도시된 바와 같이, 상기 마스크 브랭크(100)는 크롬층(C)이 적용되는 유리기판(G)을 포함하고, 전자 비임 저항(R)은 상기 크롬층(C)위에 적용된다.
상기 마스크 브랭크(100)는 X-Y 스테이지(44)위에 설정되고, 크롬층(C)에 의해 상기 홀더(45)에 고정되고, 상기 저항(R)은 상방으로 향한다. 전자총(46)으로부터 방사된 전자비임(E)은 전자광학 시스템(47)에 적절하게 방사되고, 그 다음 상기 마스크 브랭크(100)위에 방사된다. 전자비임(E)의 방사와 동시에, 마스크 브랭크(100)위에 형성되는 회로 패턴에 대한 데이터는 영상 형성용에 적합하게 포맷(format)하기 위하여 데이터 변환기(48)에 의하여 변환된다. 상기 적절하게 변환된 포맷을 기초로 하여, 상기 제어기(49)는 전자 광학 시스템(47)과 X-Y 스테이지(44)를 제어하므로, 상기 마스크 브랭크(100)위에 바람직한 패턴으로 영상 형성을 한다. 상기 영상형성에 이어서, 전자 비임 저항(R)은 현상되고, 상기 크롬층(C)은 마스크로서 잔류저항(R)을 사용하여 에칭되고 상기 저항이 제거되므로 크롬패턴을 형성한다. 그래서 레티클이 완성된다.
상술된 바와 같이, 반도체 직접회로 장치가 제1도에 도시된 바와 같이 형성된 레티클을 사용하여 제조될때, 상기 레티클(100)은 스텝퍼내의 홀더(34)에 의하여 유지되고 크롬층(C)은 하부로 향한 유리기판위에 형성된다. 먼지와 같은 파편이 크롬층(C)위에 형성된 회로 패턴에 부착되는 것을 방지하기 위하여 크롬층(C)이 하부로 있는 이유는, 만약 파편이 상기 패턴에 부착된다면 파편의 형상은 패턴의 형상과 함께 반도체 웨이퍼로 이동될 수 있으므로, 반도체 장치는 불일치되게 형성된다.
그러나 상기 레티클(200)이 이것의 원주부에서 홀더(34)에 의해 유지되기 때문에, 상기 레티클(200)은 이것의 중심부에서 하부로 굽혀지고 즉, 상기 레티클(200)은 유리기판의 자중(dead weight) 때문에 하방으로 만곡된다. 상기 유리기판이 상방으로 향하는 크롬층(C)으로 유지될 때 발생되는 유리기판의 곡률은 유리기판이 하방으로 향하는 크롬층(C)으로 유지될때 발생되는 유리기판의 곡률과 다르다. 이것은 유리기판의 자중은 물론 크롬층(C)의 응력이 유리기판위에 가해지기 때문이다.
상술된 바와 같이, 상기 마스크 브랭크는 제2도에 도시된 바와 같이 상방으로 향하는 크롬층(C)을 가진 전자 비임 노출장치내에 유지되는 반면에, 상기 레티클(200)은 제1도에 도시된 바와 같이 하방으로 향하는 크롬층(C)을 가진 스텝퍼내에서 유지된다. 제3B도는 전자 비임 노출 장치내에 유지되는 유리기판(G)의 곡률을 도시하는 반면에, 제3D도는 스텝퍼 내에 유지되는 유리기판(G)의 곡률을 도시한다.
다음은, 회로 패턴(P)이 제3A도에 도시된 바와 같이 마스크 브랭크(100)의 중심(0)으로부터 거리(X1)에서 마스크 브랭크(100)위에 형상이 형성되도록 된다.
상기 마스크 브랭크(100)를 전자비임에 노출하기 위한 장치에서, 마스크 브랭크(100)가 X-Y 스테이지(44)위에 유지되기 때문에, 제3B도에 도시된 바와 같이 마스크 브랭크는 굽혀지고 이것의 중심부는 하강하거나 또는 이것의 원주부는 상승된다. 그러므로, 만약 전자비임(E)이 마스크 브랭크(100)의 중심(0)으로부터 거리(X1)에서 마스크 브랭크(100)로 방사된다면, 마스크 브랭크(100)가 홀더(45)로부터 해제될 때 상기 회로패턴(P)이 마스크 브랭크(100)의 중심(0)으로부터 거리(X2)에 위치하므로 이것의 원래형상 즉, 제3C도에 도시된 바와 같이 곡률이 없는 평면으로 되돌아 간다. 상기 마스크 브랭크(100)의 중심(0)에 회로 패턴(P)에 연결하는 선이 수평면과 θ1의 각도를 이루게 된다고 가정하면, 상기 거리(X2)는 다음의 식으로 표시된다.
X2 = X1/cosθ1X1
그래서, 상기 회로 패턴(P)은 회로 패턴(P)이 형성되는 점으로부터 거리(X)로 이동된다. 상기 이동거리(X)는 다음과 같이 된다.
X = X2 - X1 = X1(1/cosθ1-1)
한편 상기 스텝퍼에서, 레티클(200)이 홀더(34)로서 레티클의 원주부에 유지되고, 따라서 상기 레티클(200)이 굽혀지므로 이것의 중심부는 제3D도에 도시된 바와 같이, 하방으로 변형된다. 상기 스텝퍼내에 유지된 레티클(200)의 곡률은 전자비임 노출장치내에 유지되는 마스크 브랭크(100)의 곡률보다 더 크게 된다. 즉, 레티클(200)의 중심(0)에 회로 패턴(P)을 연결하는 선이 수평면과 θ2의 각도를 이룬다고 가정하면, 상기 각도(θ2)는 θ1보다 크게 된다. 그래서 회로 패턴(P)은 레티클(200)의 중심(0)으로부터 거리(X3)에 배치된다. 상기 거리(X3)는 다음식과 같다.
X3 = X2 cosθ2
따라서, 회로패턴(P)을 패턴(P)이 형성되는 점으로부터 거리(X4)로 스텝내로 이동된다. 상기 거리(X4)는 다음과 같다.
X4 = X1 -X3 = X1 - (X1/cosθ1)cosθ2= X1 (1- cosθ2/cosθ1)
직경이 15.2cm(6 inch)이고, 두께가 0.65cm(0.25 inch)이며 석영유리로 구성된 소위 6025 레티클로 불리는 레티클에서, 상기 변위는 레티클의 중심으로부터 50mm의 거리에서 0.05㎛ 내지 0.2㎛ 범위와, 레티클의 중심으로부터 75mm의 거리에서 0.075㎛ 내지 0.3㎛의 범위에 있다. 종래의 스텝퍼는 1/5 축소렌즈를 사용하고, 반도체 웨이퍼위에서 상술된 변위의 1/5 변위 즉, 0.01㎛ 내지 0.06㎛ 범위의 변위가 발생된다.스텝퍼는 16MDRAM 레벨용으로 0.1㎛ 이하의 정렬 정확도를 갖는 것이 요구된다. 따라서, 레티클의 곡률 때문에 0.06㎛ 이상의 변위가 발생한다면, 이것은 0.16㎛ 이상의 결합된 곡률을 발생시키고 반도체 장치가 표준에 일치되는 것을 불가능하게 한다. 유리기판은 마스크 브랭크 또는 레티클의 곡률을 감소시키기 위하여 종래에는 큰 두께를 가진다. 그러나 상기 큰 두께는 유리기판의 무게를 크게 하고 레티클을 비싸게 한다. 또한, 노출 장치의 스테이지는 큰 무게를 지지하기 위하여 크게되는 것이 요구된다.
미 심사된 일본 공개 특허 제 61-214518호는 곡률이 없는 마스크 브랭크를 가지고 이 마스크 브랭크를 전자 비임에 노출시키기 위한 방법을 제안한다. 그러나, 만약 레티클이 곡률이 없이 제조된다면, 스텝퍼에 사용될 때 레티클에 곡률이 발생한다면 상기 레티클은 사용할 수 없게 된다. 미 심사된 일본 공개 특허 제 3-15065 호는 크롬층의 영역에 따라 발생되는 곡률의 정도에 의존하는 패턴을 보상하는 방법을 제안한다. 그러나 상기 방법은 유리기판의 자중으로 인하여 발생되는 곡률을 고려하지 않았고, 그래서 만약 유리기판의 자중으로 인한 곡률이 스텝퍼내에 발생된다면, 상기방법은 더 이상 유용하지 않게 된다.
[발명의 요약 ]
본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼위에서 패턴의 치수 오차 및 변위를 해소할 수 있는 레티클 제조방법을 제공하는 것이다. 본 발명은 바람직한 패턴을 가지며, 전자비임 감광층이 적용되는 유리기판을 포함하는 마스크 브랭크에 전자비임을 사출하는 단계를 포함하는 레티클 제조방법을 제공하여 레티클을 제조하고, 스텝퍼가 상기 레티클을 통하여 반도체 웨이퍼를 빛에 노출시킬 때 레티클이 유지되는 위치와 동일한 위치에서 상기 마스크 브랭크는 유지된다.
본 발명은 바람직한 패턴을 가지며, 전자비임 감광층이 적용되는 유리기판을 포함하는 마스크 브랭크에 전자 비임을 사출하는 단계를 포함하는 레티클 제조방법을 부가로 제공하여 레티클 제조하고, 상기 전자 비임 감광층이 하향으로 향할수 있는 위치에 상기 마스크 브랭크가 유지되고, 상기 전자 비임은 상기 층의 저부로부터 사출된다.
본 발명은 바람직한 패턴을 가지며, 전자비임 감광층이 적용되는 유리기판을 포함하는 마스크 브랭크에 전자비임을 사출하는 단계를 포함하는 부가로 레티클 제조방법을 제공하여 레티클을 제조하고, 상기 마스크 브랭크의 곡률 방향과 전자비임이 사출되는 방향사이의 관계가 스텝터가 레티클을 통하여 반도체 웨이퍼를 빛에 노출시키는 데에서의 상기 이들의 관계와 동일한 관계로 상기 마스크 브랭크가 유지된다.
양호한 실시예에서, 유리기판은 이들사이에 적용되는 광차단(light cut-off)층을 가진다. 다른 양호한 실시예에서, 전자 비임이 레티클에 사출될때와 스텝퍼가 레티클을 통하여 반도체 웨이퍼를 빛에 노출시킬ㄸ 레티클의 모서리에서만 유지된다.
상술된 본 발명에 의해 얻어진 장점은 아래에 설명된다.
상술된 바와 같이, 마스크는 브랭크는 마스크 브랭크가 스텝퍼내에 유지되는 위치와 동일한 위치에서 유지되는 전자비임에 노출되므로 마스크 브랭크위에 회로 패턴을 형성한다. 그러므로 스텝퍼내에 유지되는 레티클의 곡률은 전자비임 노출장치에 유지되는 마스크 브랭크의 곡률과 동일하다. 이러한 점은 회로 패턴이 반도체 웨이퍼에 영상이 형성되는 정렬 정확도를 고양시키므로, 높은 수행성을 갖는 저가의 반도체 장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에서 마스크 브랭크가 전자 비임 공급부 위에 배치되므로 상기 전자 비임은 마스크 브랭크의 저부에서 마스크 브랭크에 방사된다. 그래서, 마스크 브랭크는 마스크 브랭크가 스텝퍼내에 유지될 때 갖는 동일한 곡률의 전자 비임에 노출된다. 따라서, 회로 패턴이 레티클을 통하여 반도체 웨이퍼로 이동되는 높은 정렬-정확도를 가진 레티클을 제조하는 것이 가능하다.
또한 본 발명에서, 마스크 브랭크는 이것에 존재하는 마스크 브랭크의 곡률을 가진 전자비임에 노출된다. 따라서, 유리기판의 곡률은 감소시키기 이하여 유리기판을 두껍게 할 필요가 없으므로 얇은 유리기판을 사용할 수 있다. 이것은 레티클이 제조단가를 감소시킨다. 상술한 본 발명의 목적 및 장점은 첨부도면을 참조로하여 다음의 설명에 의해 명백해질 것이며, 동일 도면부호는 도면에서 동일하거나 비슷한 부분을 지시한다.
[양호한 실시예의 설명]
본 발명에 따른 양호한 실시예는 도면을 참조로 하여 아래에 설명된다.
제4도는 본 발명에 따라 전자 비임을 마스크 브랭크에 노출하기 위한 장치를 도시한다. 진공 펌프(12)에 의하여 감압되는 진공챔버(13)는 방진기(11)위에 지지된다. 진공챔버(13)에서, X와 Y방향으로 이동가능한 X-Y 스테이지(14)는 스테이지 테이블(15)위에 위치한다. 마스크 브랭크(100)가 이것의 모서리 부분에서 지지됨으로써 홀더(16)는 X-Y 스테이지(14)의 저면에 부착된다. 상기 마스크 브랭크(100)는 광차단층으로서 작용하는 크롬층(C)이 적용되는 유리기판(G)을 포함하고, 크롬층(C)위에는 전자 비임 저항(R)이 적용된다. 제5도에 도시된 바와 같이, 상기 홀더(16)는 마스크 브랭크(100)보다 더 큰 치수를 가진 프레임(17)을 포함한다. 상기 프레임(17)은 프레임(17)의 내부로 돌출된 전체 4 개 클램프(18)로서 프레임의 대향 내측부에 제공된다. 상기 마스크 브랭크(100)는 클램프(18)로써 마스크 브랭크이 4 위치에서 유지된다. 상기 홀더(16)는 스텝퍼내에서 레티클을 유지하기 위하여 제1도에 도시된 홀더(34)와 구조와 동일한 구조를 가진다. 진공챔버(13)에서, 전자총(19)과 전자 광학 시스템(20)은 마스크 브랭크(100)아래에 배치된다. 상기 전자 광학시스템(20)은 전자총(19)으로부터 방사된 전자비임을 빗나가게 하고, 상기 빗나간 전자비임을 마스크 브 랭크(100)로 방향지운다. 상기 X-Y 스테이지(14)와, 전자총(19) 및, 전자광학 시스템(20)은 전기적으로 연결되고, 데이터 변환시스템(21)을 포함하는 제어기(22)에 의하여 제어된다.
상기 마스크 브랭크(100)는 크롬층(C)과 저항체(R)가 하부로 향하도록 홀더(16)에 의하여 지지된다. 상기 전자총(19)으로부터 방사된 전자비임(E)은 전자광학 시스템(20)에 의하여 되고, 그 다음 마스크 브랭크(100)로 방사된다. 상기 전자비임(E)이 마스크 브랭크(100)로 방사되기 전에, 회로 패턴을 설계하기 위한 데이터는 데이터 변환 시스템에 의해 영상형성에 적합하도록 포맷하기 위하여 변환된다. 상기 제어기(22)는 전자광학 시스템(20)과 상기 포맷을 기초로한 X-Y 스테이지(14)를 제어하므로, 바람직한 패턴이 상기 마스크 브랭크(100)위에 형성된다. 마스크 브랭크(100)위에 패턴형성에 이어서, 상기 저항체(R)는 현상되고 크롬층(C)은 마스크로서 잔유 저항체(R)를 사용하여 에칭된다. 그래서 바람직한 패턴을 가진 레티클이 얻어진다. 상기 실시예를 따라, 마스크 브랭크(100)가 전자비임에 노출될때, 상기 마스크 브랭크(100)는 마스크 브랭크(100)가 스텝퍼내에 유지되는 위치와 동일한 위치에서 홀더(16)에 의하여 유지된다. 즉, 상기 마스크 브랭크(100)는 홀더(16, 54)에 의해 이것의 원주부에서만 유지되고, 크롬층(C)은 유리기판(G)아래에 위치된다. 따라서, 전자비임 노출 장치내에 유지되는 유리기판(G)은 스텝퍼내에 유지되는 유리기판(G)의 곡률과 동일한 곡률을 가진다. 그래서 상기 스템퍼에서, 전자비임 노출장치내에 형성된 패턴과 완전히 동일한 패턴이 반도체 웨이퍼에 노출된다. 그러므로, 반도체 웨이퍼에 높은 정밀도로서 회로패턴을 정렬할 수 있다.
상기 실시예에서, X-Y 스테이지(14)와 스테이지 테이블(15)의 접촉부가 마스크 브랭크(100)위에 위치하기 때문에, 상기 접촉부로부터 이물질이 나와서 마스크 브랭크(100)에 부착될 위험성이 있다. 그러나, 상기 크롬층(C)이 유리기판(G)하에 위치하기 때문에, 상기 외부 물질이 유리기판(G)에 부착할 수도 있지만 상기 크롬층(C)에는 거의 부착되지 않는다. 그래서, 이물질이 접촉부로부터 나올지라도, 이들은 마스크 브랭크의 회로패턴에 악영향을 미치지 않는다. 이렇게 됨으로써, 입자와 같은 이물질의 발생을 방지할 필요가 있다. 따라서, X-Y 스테이지(14)와 스테이지 테이블(15)의 접촉부는 가능한 작게 정렬되고, 상기 접촉부는 마스크 브랭크(100)로부터 이격 배치된다.
본 발명이 특정 실시예에 따라 설명되었지만, 본 발명에 의해 보호되는 주제는 상기 특정 실시예에 한정되는 것이 아니다. 반대로, 본 발명의 주제는 다음의 청구범위의 정신과 범위내에 포함 될 수 있는 모든 변경예, 수정예 및 동일예를 포함한다.

Claims (6)

  1. 소정의 패턴을 가지며, 상기 레티클 위에 정렬된 광원으로부터 방출되고 상기 레티클을 통하여 전달되는 전달 빛에 상기 레티클 아래에 정렬된 반도체 웨이퍼를 노출시키기 위하여 스텝퍼의 아래에 대향되는 소정의 패턴으로 사용되는 레티클 제조 방법에 있어서, 하방으로 향해 있는 감광성 층과 유리기판을 포함하는 마스크 브랭크를 홀더위에 위치시키는 단계와 ; 상기 감광성 층을 전자 비임에 노출시키기 위하여 감광성 층의 표면 아래에 위치된 전자층으로부터 전자 비임을 방출하는 단계 및 ; 상기 감광성층 위에 소정의 패턴을 발생하여 레티클을 제조하는 단계를 포함하며, 상기 마스크 브랭크는 상기 스텝퍼가 반도체 웨이퍼를 레티클을 통하여 전달된 광에 노출시키는 관계에 대하여 마스크 브랭크의 곡률 방향과 상기 전자 비임이 방출되는 방향 사이에서 동일한 관계로 상기 홀더에 의하여 제위치에 유지되는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 유리기판은 그위에 광 차단층을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
  3. 상기 레티클은 전자비임이 레티클에 방출될때와 스텝퍼가 레티클을 통하여 반도체 웨이퍼를 빛에 노출시킬 때 레티클의 모서리 부분에서만 유지되는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
  4. 소정의 패턴을 가지며, 상기 레티클 위에 정렬된 광원으로부터 방출되고 상기 레티클을 통하여 전달되는 전달 빛에 상기 레티클 아래에 정렬된 반도체 웨이퍼를 노출시키기 위하여 스텝퍼의 아래에 대향되는 소정의 패턴으로 사용되는 레티클 제조방법에 있어서, 하방으로 향해 있는 감광성 층과 유리 기판을 포함하는 마스크 브랭크를 홀더 위에 위치시키는 단계와 ; 상기 감광성층을 전자 비임에 노출시키기 위하여 감광성 층의 표면 아래에 위치된 전자층으로부터 전자 비임을 방출하는 단계 및 ; 상기 감광성 층과 마스크 브랭크의 유리기판은 레티클이 상기 전달된 빛에 반도체 웨이퍼를 노출시키기 위하여 스텝퍼에 위치될 때와 같이, 상기 레티클 제조동안에 동일한 위치관계로 유지되는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 유리기판은 그위에 적용된 광차단층을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 레티클을 전자비임이 레티클에 방출될때와 스텝퍼가 레티클을 통하여 반도체 웨이퍼를 빛에 노출시킬때 레티클의 모서리 부분에서만 유지되는 것을 특징으로 하는 레티클 제조방법.
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