KR950021157A - 반도체 소자 제조방법 - Google Patents

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KR950021157A
KR950021157A KR1019930029278A KR930029278A KR950021157A KR 950021157 A KR950021157 A KR 950021157A KR 1019930029278 A KR1019930029278 A KR 1019930029278A KR 930029278 A KR930029278 A KR 930029278A KR 950021157 A KR950021157 A KR 950021157A
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김근영
이철승
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조방법에 있어서 셀 지역과 주변회호 지역간에 단차로 인한 경사변이 구비된 하부층을 리소그라피 공정으로 패턴하기 위해 감광막 패턴을 형성할때 상기 셀지역과 주변회로 지역 사이 경제부에 반사되는 광을 차단하는 반사광 차단용 감광막 패턴을 형성하는 기술이다.

Description

반도체 소자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의해 반사방지 패턴을 형성함으로 메모리셀 가장자리 패턴이 반사광으로부터 보호되는 것을 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자 제조방법에 있어서, 셀지역과 주변회로 지역간에 단차로 인한 경사면이 구비된 하부층을 리소그라피 공정으로 패턴하기 위해 하부층 상부에 감광막 패턴을 형성할 때 상기 셀지역과 주변회로 지역의 경계부에 반사되는 광을 차단하는 반사광 차단용 감광막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반사광 차단방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반사광 차단용 감광막 패턴은 반사광에 의해 감광막 두께가 거의 제거되어 하부막 식각패턴에 전사되지 않는 것을 특징으로 하는 반사광 차단 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930029278A 1993-12-23 1993-12-23 반도체 소자 제조방법 KR970000961B1 (ko)

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