KR970008321A - 반도체 장치의 포토레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 포토레지스트 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 장치의 포토레지스트 패턴 형성방법이 개시되어 있다. 패터닝될 층이 형성되어 고단차를 가지는 반도체 기판 상에 패턴 형성을 위한 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층을 노광, 현상하는 단계를 구비하는 고단차를 가지는 반도체 소자의 패턴형성 공정에 있어서, 상기 포토레지스트층 형성 이전에, 단차의 상단에 형성되는 포토레지스트 패턴의 크기의 변화를 최소화할 수 있도록 단차 하단에 보강용 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 구비한다.
따라서, 스토리지 노드 형성용 포토레지스트 도포시 단차에 의한 영향을 제거시킬 수 있어 포토레지스트 두께 차에 따른 패턴 사이즈 변화를 제거할 수 있으며, 커패시턴스 차를 최소화하여 메모리 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 의한 공정 흐름도, 제6A도 및 제6D도는 본 발명에 의한 포토레지스트 패턴 형성방법을 순서대로 도시한 공정순서도.
Claims (3)
- 패터닝될 층이 형성되어 고단차를 가지는 반도체 기판 상에 패턴 형성을 위한 포토레시즈스트층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층을 노광, 현상하는 단계를 구비하는 고단차를 가지는 반도체 소자의 패턴형성 공정에 있어서, 상기 포토레지스트층 형성 이전에, 단차의 상단에 형성되는 포토레지스트 패턴의 크기의 변화를 최소화할 수 있도록 단차 하단에 보강용 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단차 하단 부위 보강을 위한 포토레지스트 패턴은 단차의 높이만큼 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단차 하단 부위 보강을 위한 포토레지스트 패턴 형성시 디포커스(defocus)를 주어 패턴 모서리 거침(edge roughness)을 향상시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950023186A KR970008321A (ko) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 반도체 장치의 포토레지스트 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950023186A KR970008321A (ko) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 반도체 장치의 포토레지스트 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970008321A true KR970008321A (ko) | 1997-02-24 |
Family
ID=66541882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950023186A KR970008321A (ko) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 반도체 장치의 포토레지스트 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970008321A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100685618B1 (ko) * | 2000-12-09 | 2007-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-07-31 KR KR1019950023186A patent/KR970008321A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100685618B1 (ko) * | 2000-12-09 | 2007-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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