KR970051845A - 원자외선을 이용한 삼층 감광막패턴 형성방법 - Google Patents

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    • G03F7/004—Photosensitive materials
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    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Abstract

본 발명은 원자외선을 이용한 삼층 감광막 패턴 형성방법에 관한 것으로, 단파장의 원자외선을 사용하여 삼층감광막 패턴을 형성함에 있어서, 중간층으로 사용되는 PEOXIDE 층 형성후 그 상부에 곧바로 산소 플라즈마 처리를 하는 공정을 추가 삽입시킴으로써, 단파장의 원자외선을 사용하는 TLR 공정에서 PEOXIDE층과 같은 저밀도층 위에 감광막 패턴을 형성시킬 경우 불규칙한 빛의 반사에 의하여 패턴 CD의 변화가 심하고 프로파일이 나빠지게 되는 등의 문제점을 해결할 수 있으며, 아울러 미세패턴의 균일한 선폭의 구현을 가능하게 한다.

Description

원자외선을 이용한 삼층 감광막패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2c도는 본 발명에 따른 삼층 감광막패턴 형성공정단계를 도시한 단면도.
제3도는 본 발명의 방법에 따라 형성된 삼층 감광막패턴의 선폭의 변화를 도시한 그래프.

Claims (3)

  1. 웨이퍼의 상부에 소정 두께의 감광막을 도포하여 하부 감광막층을 형성하는 단계와, 상기 하부 감광막층 상부에 소정 두께의 PEOXIDE 중간층을 형성하는 단계와, 상기 PEOXIDE 중간층 형성후 산소 플라즈마 처리를 실시하는 단계와, 상기 PEOXIDE 중간층 상부에 소정 두께의 감광막을 도포하여 상부 감광막층을 형성하는 단계와, 상기 상부 감광막층을 노광 및 현상공정을 실시하여 상부 감광막 패턴을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 원자외선을 이용한 삼층 감광막 패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 중간층으로 화학증폭형 레지스트를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 원자외선을 이용한 삼층 감광막 패턴 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산소 플라즈마 처리는 PEOXIDE 중간층 형성후 곧바로 실시하는 것을 특징으로 하는 원자외선을 이용한 삼층 감광막 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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