KR950030231A - 포토마스크 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 소정길이의 파장을 갖는 빛 에너지를 웨이퍼전면에 조사시켜 감광막 내의 감광요소 확산을 통하여 정재파가 없는 양호한 형상을 갖도록 하는 포토마스크 패턴 형성방법에 관한 것으로, 상기 포토마스크 형상에 따른 빛의 노출후(11), 비노광지역 및 완전노광지역의 경계부에 형성된 부분적으로 표백된 감광막내의 감광요소를 확산시키기 위하여 상기 메인노광보다 소정길이만큼 파장의 긴 광에너지를 상기 웨이퍼 전면에 조사하여 확산노광을 수행하는 단계(12)를 포함하여 공정을 수행하므로써 실리사이드나 금속과 같은 고반사율을 가진 하층위에서 정재파가 없는 양호한 형상의 포토마스크 패턴을 형성할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 포토마스크 패턴 형성방법의 일실시예를 구현하기 위한 기구적 구성을 나타낸 개략도, 제3도는 본 발명에 의한 포토마스크 패턴 형성방법을 나타낸 공정흐름도.
Claims (2)
- 트랜지스터 제조공정중 웨이퍼 기판상에 놓여진 웨이퍼에 감광막을 코팅하는 단계(10)와, 상기 감광막이 형성된 웨이퍼를 노광기에 정렬시킨 후 상기 정렬된 웨이퍼에 메인노광을 실시하여 포토마스크의 형상에 따른 광을 노출시키는 단계(11)와, 상기 웨이퍼의 감광막을 식각하여 현상하는 단계(13)를 포함하는 포토마스크 패턴 형성방법에 있어서, 상기 포토마스크 형상에 따른 빛의 노출후(11), 비노광지역 및 완전노광지역의 경제부에 형성된 부분적으로 표백된 감광막내의 감광요소를 확산시키기 위하여 상기 메인노광보다 소정길이만큼 파장이 긴 광에너지를 상기 웨이퍼 전면에 조사하여 확산노광을 수행하는 단계(12)를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 확산노광에 사용되는 광에너지는 500nm이상의 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 포토마스크 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940008595A KR950030231A (ko) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 포토마스크 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940008595A KR950030231A (ko) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 포토마스크 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950030231A true KR950030231A (ko) | 1995-11-24 |
Family
ID=66677856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940008595A KR950030231A (ko) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 포토마스크 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950030231A (ko) |
-
1994
- 1994-04-22 KR KR1019940008595A patent/KR950030231A/ko not_active Application Discontinuation
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