KR930010618A - 이중노광에 의한 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법 - Google Patents

이중노광에 의한 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930010618A
KR930010618A KR1019910021479A KR910021479A KR930010618A KR 930010618 A KR930010618 A KR 930010618A KR 1019910021479 A KR1019910021479 A KR 1019910021479A KR 910021479 A KR910021479 A KR 910021479A KR 930010618 A KR930010618 A KR 930010618A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exposure
mask pattern
photoresist mask
forming
double exposure
Prior art date
Application number
KR1019910021479A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940005624B1 (ko
Inventor
최용근
인재식
황준
Original Assignee
정몽헌
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 정몽헌, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 정몽헌
Priority to KR1019910021479A priority Critical patent/KR940005624B1/ko
Publication of KR930010618A publication Critical patent/KR930010618A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940005624B1 publication Critical patent/KR940005624B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 고집적 반도체 소자의 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법에 관한 것으로, 특히 실리콘 기판 상부의 도전층 또는 절연층을 패턴시키는 공정에서 포토레지스트를 도로한 후 자외선을 이중노광시켜 포토레지스트의 노강영역과 비노강영역의 패턴형상의 해상력을 증가시키는 이중노광에 의한 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법에 관한 것이다.

Description

이중노광에 의한 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 노광공정시 위치에 따른 광감도와 노광된 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 마스크 패턴을 도시한 단면도, 제3도는 본 발명에 의한 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법을 도시한 블럭도, 제4도는 자외선 파장변화에 따른 포토레지스트의 흡수율을 도시한 그래프도.

Claims (4)

  1. 하부의 예정된 물질층을 패턴하기 위해 포토레지스트를 도포하고, 노광 및 현상공정으로 이루어지는 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법에 있어서, 상기 노광공정을, 1차 전면노광을 실시한 다음, 2차 주노광으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이중노광에 의한 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 1차 전면노광은 2차 주노광 에너지의 10∼20%정도의 노광에너지를 사용하는 것을 특징으로 하는 이중노광에 의한 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 1차 전면노광의 노광에너지가 22.5mJ/㎠ 정도인 것을 특징으로 하는 이중노광에 의한 포토레지시트 마스크 패턴 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 1차 전면노광을 실시하는 것은 근접 얼라이너 또는 자외선 안전장치를 이용하는 것을 특징으로 하는 이중노광에 의한 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910021479A 1991-11-28 1991-11-28 이중노광에 의한 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법 KR940005624B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910021479A KR940005624B1 (ko) 1991-11-28 1991-11-28 이중노광에 의한 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910021479A KR940005624B1 (ko) 1991-11-28 1991-11-28 이중노광에 의한 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930010618A true KR930010618A (ko) 1993-06-22
KR940005624B1 KR940005624B1 (ko) 1994-06-21

Family

ID=19323680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910021479A KR940005624B1 (ko) 1991-11-28 1991-11-28 이중노광에 의한 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR940005624B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101494733B1 (ko) * 2014-06-25 2015-02-23 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 패턴 형성 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101494733B1 (ko) * 2014-06-25 2015-02-23 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 패턴 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR940005624B1 (ko) 1994-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960005864A (ko) 미세패턴 형성방법
KR950012591A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR950021055A (ko) 하프톤형 위상반전 마스크 및 그 제조 방법
KR970018110A (ko) 반도체장치의 패턴 형성방법
KR930010618A (ko) 이중노광에 의한 포토레지스트 마스크 패턴 형성방법
KR950015617A (ko) 반도체소자의 미세패턴 제조방법
KR970008372A (ko) 반도체장치의 미세 패턴 형성방법
KR960019486A (ko) 반도체소자의 콘택 마스크 제조방법
KR970067553A (ko) 반도체 장치의 미세패턴형성방법
KR910001460A (ko) 포토레지스트의 측벽 프로파일 개선 방법
KR950015577A (ko) 반도체소자의 제조방법
KR940004747A (ko) 레지스트 패턴형성방법
KR950030231A (ko) 포토마스크 패턴 형성 방법
JPS55101948A (en) Photoetching method
KR970076077A (ko) 더미패턴을 사용하는 반도체소자의 제조방법
KR950021045A (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법
KR940022740A (ko) 3층 감광막의 제조방법
KR970003523A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR940009769A (ko) 반도체 소자의 감광막 미세 패턴 형성방법
KR970022517A (ko) 포토마스크 및 그 제조방법
KR950014983A (ko) 사진식각방법
KR980003860A (ko) 포토레지스트 패턴 형성방법
KR950033666A (ko) 감광막 패턴 형성방법
KR950021132A (ko) 반도체 소자의 스텝 커버리지(Step coverage) 향상을 위한 경사 프로파일(Profile) 제조방법.
KR950009942A (ko) 반도체 소자의 패턴 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040331

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee