KR950021132A - 반도체 소자의 스텝 커버리지(Step coverage) 향상을 위한 경사 프로파일(Profile) 제조방법. - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자제조 공정에 있어서, 반도체소자 표면의 스텝 커버리지를 향상시키는 방법에 관한 것으로, 특히 하나의 마스크를 사용해 노광 에너지 조절에 의한 다중 리소그래피 공정과 부분 식각으로 절연층의 콘택홀 상부에 계단모양의 프로파일을 형성하여 콘택홀 상부를 넓게 함으로써 스텝커버리지가 나쁜 물질을 증착하더라도 반도체 소자의 스텝 커버리지를 향상 시킬 수 있는 반도체 소자의 스텝 커버리지 향상을 위한 경사 프로파일제조방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 스텝 커버리지(Step coverage) 향상을 위한 경사 프로파일(Profile) 제조방법.

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 따라 경사 프로파일 제조방법의 각 단계를 도시한 단면도.

Claims (4)

1. 반도체 소자의 스텝 커버리지 향상을 위한 콘택홀의 상부에 경사 프로파일을 형성함으로서, 과다 노광에너지를 마스크 패턴으로 감광막에 주사하여 마스크 패턴상에 형성된 콘택홀의 크기보다 큰 콘택홀을 가진 제1 감광막 패턴을 하부 절연막 상부에 형성하는 단계와, 상기 제1 감광막 패턴을 이용하여 하부의 절연막을 부분식각하는 단계와, 제1 감광막 패턴의 콘택홀에 감광막을 도포하는 단계와, 상기 과다 노광 에너지보다는 작은 노광 에너지를 상기 마스크 패턴을 통해 감광막에 주사하여, 첫번째 형성된 콘택홀 보다는 작고, 마스크 패턴상에 형성된 콘택홀 보다는 큰 콘택홀을 가진 제2 감광막 패턴을 하부 절연막 상부에 형성하는 단계와, 상기 제2 감광막 패턴을 이용하여 하부의 절연막을 부분 식각하는 단계와, 제2 감광막 패턴의 콘택홀에 감광막을 도포하는 단계와, 적정 노광에너지를 감광막에 조사하여 마스크 패턴상에 설계되어 있는 콘택홀의 크기와 동일한 콘택홀을 가진 제3 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제3 감광막 패턴을 이용하여 하부 절연막의 끝까지 식각하여 계단형태의 경사 프로파일을 하부 절연막의 콘택홀 상부에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스텝 커버리지 향상을 위한 경사 프로파일 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1 감광막 패턴을 형성하기 위해, 감광막에 조사되는 과다 노광 에너지는 리소그래피 공정상의 적정량의 빛 에너지보다 훨씬 많은 에너지로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스텝 커버리지 향상을 위한 경사 프로파일 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1 감광막 패턴을 이용해 하부의 절연막을 건식식각으로 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스텝 커버리지 향상을 위한 경사 프로파일 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 감광막 패턴을 제3 감광막 패턴 이상의 다중 감광막 패턴을 형성하여 다단계 경사 프로파일을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스텝 커버리지 향상을 위한 경사 프로파일 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.