KR970051899A - 반도체장치의 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 노광된 포토레지스트를 베이크하는 PEB공정을 포토레지스트상에 형성되어 있는 오버코트막을 제거한 후 수행하여 포토레지스트 패턴이 단락되거나 끊어지는 것을 방지할 수 있는 반도체장치의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 포토레지스트를 사이에 두고 오버코트막을 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트를 노광하는 공정과; 상기 오버코트막을 제거하는 공정과; 오버코트막이 제거된 상기 포토레지스트를 PEB하는 공정과; 상기 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하고 있다. 이러한 방법에 의해서, PEB공정에서 버블성 결점이 생성되는 것을 방지할 수 있고, 아울러 포토레지스트 패턴의 단락 또는 끊어짐 등의 문제점을 해결할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체장치의 포토레지스트 패턴 형성 방법을 보여주고 있는 순차 공정도.
Claims (3)
- 반도체장치의 패턴 형성 방법에 있어서, 반도체기판(10)상에 포토레지스트(12)를 사이에 두고 오버코트막(14)을 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트(12)를 노광하는 공정과; 상기 오버코트막(14)을 제거하는 공정과; 오버코트막(14)이 제거된 상기 포토레지스트(12)를 PEB하는 공정과; 상기 포토레지스트(12)를 형상하여 포토레지스트 패턴(12a)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트(12)는 화학증폭형 레지스트로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴(12a)의 선폭은 약 350nm 정도의 범위내에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 패턴 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950059362A KR970051899A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체장치의 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950059362A KR970051899A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체장치의 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970051899A true KR970051899A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66619935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950059362A KR970051899A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체장치의 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970051899A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100825907B1 (ko) * | 2000-05-13 | 2008-04-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 제작방법 |
-
1995
- 1995-12-27 KR KR1019950059362A patent/KR970051899A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100825907B1 (ko) * | 2000-05-13 | 2008-04-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 제작방법 |
| USRE43471E1 (en) | 2000-05-13 | 2012-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
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