KR960001909A - 레지스트 스트립 공정방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조공정의 레지스트 스트립 공정방법에 관한 것으로, 레지스트를 재작업하기 위하여 레지스트를 스트립(strip)할때 하부의 저반사막의 카본 성질이 제거되는 것을 해결하기 위하여 도포된 레지스트 또는 레지스트 패턴에 전면 노광시킨 다음, 알칼리 현상용액에서 예정된 시간 현상시켜 레지스트만 제거하거나, 레지스트 또는 레지스트 패턴을 전면노광 공정없이 아세톤 또는 솔벤트와 같이 강한 현상용액으로 레지스트를 제거하는 기술이다.

Description

레지스트 스트립 공정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 알루미늄(Aluminum)이나 텅스텐 실리사이드(W-silicide)등과 같이 고반사도를 갖는 막(film) 상에 저반사막으로 비정질 카본막을 증착시킨 후에 레지스트를 도포한 다음, 노광 및 현상공정으로 레지스트 패턴을 형성할 때 레지스트를 재작업하기 위하여 레지스트를 스트립하는 방법에 있어서, 도포된 레지스트 또는 레지스트 패턴에 전면 노광시킨 다음, 알칼리 현상용액에서 예정된 시간 현상시켜 레지스트만 제거하는 레지스트 스트립 공정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전면노광시 G, I선을 이용하여 약 200~400mj 정도의 노광 에너지를 이용하는 것을 레지스트 스트립 공정방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전면노광시 DUV를 이용하여 약 10~40mj 정도의 노광 에너지를 이용하는 것을 레지스트 스트립 공정방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 알칼리 현상용액은 TMAH(Tetramethy Ammonia Hydorgem)을 기본으로 하는 것을 레지스트 스트립 공정방법.
  5. 알루미늄(Aluminum)이나 텅스텐 실리사이드(W-silicide)등과 같이 고반사도를 갖는 막(film)상에 저반사막으로 비정질 카본막을 증착시킨 후에 레지스트를 도포한 다음, 노광 및 현상공정으로 레지스트 패턴을 형성할 때 레지스트를 재작업하기 위하여 레지스트를 스트립하는 방법에 있어서, 레지스트 또는 레지스트 패턴의 전면노광 공정없이 아세톤 또는 솔벤트와 같이 강한 현상용액으로 레지스를 제거하는 것을 레지스트 스트립 공정방법
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940013483A 1994-06-15 1994-06-15 레지스트 스트립 공정방법 KR0137718B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100510069B1 (ko) * 1996-12-30 2006-03-17 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트패턴제거방법

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