KR970051896A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 Download PDF

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KR970051896A
KR970051896A KR1019950059308A KR19950059308A KR970051896A KR 970051896 A KR970051896 A KR 970051896A KR 1019950059308 A KR1019950059308 A KR 1019950059308A KR 19950059308 A KR19950059308 A KR 19950059308A KR 970051896 A KR970051896 A KR 970051896A
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KR
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photosensitive film
exposure
semiconductor device
manufacturing
dummy
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KR1019950059308A
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Inventor
오석환
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체장치의 제조에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 사진 공정에 더미노광 공정을 추가하여 노광장치에서의 공정시간을 단축할 수 있는 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로, 반도체장치의 제조방법에 있어서, 웨이퍼상에 감광막을 도포하는 감광막도포공정과; 상기 감광막이 도포된 웨이퍼를 더미노광하는 더미노광공정과; 상기 더미노광된 감광막을 주노광하는 노광공정과; 상기 노광공정에서 노광된 감광막 부위를 현상액을 이용하여 제거하는 현상공정과; 상기 현상공정에서 감광막의 노광된 부위가 제거되면서 형성된 감광막 패턴을 검사하는 검사공정을 포함하고 있다. 이와같은 방법에 의해서, 감광막을 패터닝할 수 있는 에너지까지 노광하는 주노광공정에서의 노광시간을 단축할 수 있고, 궁극적으로 반도체 장치의 생산성을 향상할 수 있게 된다.

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체장치의 사진공정을 단계별로 보여 주고 있는 공정 흐름도.

Claims (5)

  1. 반도체장치의 제조방법에 있어서, 웨이퍼(10)상에 감광막을 도포하는 감광막도포공정(12)과; 상기 감광막이 도포된 웨이퍼를 더미노광하는 더미노광공정(13)과; 상기 더민노광공정(13)에서 노광된 감광막을 주노광하는 노광공정(14)과; 상기 노광공정(14)에서 노광된 감광막 부위를 현상액을 이용하여 제거하는 현상공정(16)과; 상기 현상공정(16)에서 감광막의 노광된 부위가 제거되면서 형성된 감광막 패턴을 검사하는 검사공정(18)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 더미노광공정(13)은 상기 감광막이 현상액에 용해되지 않는 범위, 즉 화학적 성질이 변화하지 않는 에너지 범위내의 최대값이 Eo 값까지 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 더미노광공정(13)에서의 노광 에너지 값은 웨이퍼의 반송 속도에 의해서 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 더미노광공정(13)은 감광막이 도포된 웨이퍼에 전면적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 감광막은 양성 감광막 또는 음성 감광막중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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