KR970018118A - 감광막 현상방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 노광후 한 배치내에서 서로 다른 농도를 갖는 현상액을 사용함으로써 고해상도 및 임계 면적(critical dimension)이 균일한 미세패턴을 형성하며, 생산성을 향상시킬 수 있는 감광막 현상방법에 관한 것으로서 초기에는 고농도의 현상액을 사용한 후 저농도의 현상액을 사용하는 방법과 초기에는 저농도의 현상액을 사용하고, 고농도의 현상액을 사용하는 방법을 사용함으로써 종래의 동일 농도로만 현상함으로 인한 문제점을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 감광막 현상 공정도이다.
Claims (2)
- 노광이 완료된 웨이퍼를 서로 다른 농도를 갖는 현상액을 이용하여 현상하는 것을 특징으로 하는 감광막 현상방법.
- 웨이퍼가 장착되는 용기와 용기내에 장착된 웨이퍼를 고농도 현상액을 주입하기 위한 제1노즐과 용기내에 장착된 웨이퍼로 저농도 현상액을 주입하기 위한 제2노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 감광막 현상 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031817A KR970018118A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 감광막 현상방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031817A KR970018118A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 감광막 현상방법 및 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018118A true KR970018118A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950031817A KR970018118A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 감광막 현상방법 및 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018118A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100465868B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2005-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼의 패턴 형성 방법 |
-
1995
- 1995-09-26 KR KR1019950031817A patent/KR970018118A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100465868B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2005-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼의 패턴 형성 방법 |
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