KR970051898A - 반도체 장치의 패턴 형성 방법 - Google Patents
반도체 장치의 패턴 형성 방법 Download PDFInfo
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
본 발명은 수용성폴리머를 이용하여 포토레지스트의 단차를 갖는 두영역간의 패턴의 선폭 변화를 최소화할 수 있는 반도체 장치의 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 형성되어 있는 포토레지스트를 전면적으로 1차 노광하는 공정과; 상기 1차 노광된 포토레지스트상에 상기 1차 노광시의 빛의 위상과 180°의 위상차를 갖도록 2차 노광시의 빛의 위상을 제어하는 수용성폴리머를 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트의 패턴 영역을 정의하여 부분적으로 2차 노광하는 공정을 포함하고 있다. 이와 같은 방법에 의해서, 높은 단차를 갖는 반도체 기판상에 형성된 포토레지스트의 단차를 갖는 두영역간의 패턴의 선폭을 균일하게 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 패턴 형성 방법을 보여주고 있는 순차 공정도.
Claims (4)
- 반도체 장치의 패턴 형성 방법에 있어서, 반도체기판(10)상에 형성되어 있는 포토레지스트(12)를 전면적으로 1차 노광하는 공정과; 상기 1차 노광된 포토레지스트(12)상에 상기 1차 노광시의 빛(15)의 위상과 180°의 위상차를 갖도록 후속 2차 노광시의 빛의 위상을 제어할 수 있는 수용성폴리머(14)를 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트(12)의 패턴 영역을 정의하여 부분적으로 2차 노광하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1차 노광공정에서의 노광량은 상기 포토레지스트(12)를 패터닝할 수 있는 적정노광량의 약50% 정도의 범위내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 2차 노광시의 빛(15a)의 위상은 상기 수용성폴리머(14)의 두께에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1차 노광시의 빛(15)과 상기 2차 노광시의 빛(15a)은 180°의 위상차를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950059343A KR970051898A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 장치의 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950059343A KR970051898A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 장치의 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970051898A true KR970051898A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66619851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950059343A KR970051898A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 장치의 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970051898A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100602129B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 다단계 노광공정을 이용한 패턴 형성 방법 |
-
1995
- 1995-12-27 KR KR1019950059343A patent/KR970051898A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100602129B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 다단계 노광공정을 이용한 패턴 형성 방법 |
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