KR960008987A - 리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법 - Google Patents

리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법 Download PDF

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KR960008987A
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허익범
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • H—ELECTRICITY
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 상의 소정부위에 감광막 패턴 형성시 감광막의 잔류로 인한 패턴불량을 방지하는 리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법에 관한 것으로, 감광막 패턴 형성부위의 전체구조 상부에 감광막(25)을 도포하는 단계; 포토리소그래피 공정을 통해 감광막 패턴(25′)을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 하층의 구조에 거의 영향이 없이 도포가 잘되는 물질로 상기 감광막 패턴(25′) 형성시 감광막이 함몰된 영역에 보호막을 형성하는 단계; 보호막(26)이 형성되지 않은 노출된 상기 감광막(25′)을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 방법에 따른 감광막 패턴 형성 공정 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 감광막 패턴 형성 공정단면도.

Claims (2)

  1. 웨이퍼 상의 소정부위에 감광막 패턴 형성시 감광막이 잔류로 인한 패턴불량을 방지하는 리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법에 있어서, 감광막 패턴 형성부위의 전체구조 상부에 감광막(25)을 도포하는 단계; 포토리소그래피 공정을 통해 감광막 패턴(25′)을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 하층의 구조에 거의 영향이 없이 도포가 잘되는 물질로 상기 감광막 패턴(25′) 형성시 감광막이 함몰된 영역에 보호막을 형성하는 단계; 보호막(26)이 형성되지 않은 노출된 상기 감광막(25′)을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호막(26)은 SOG막 또는 PMMA막 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940020534A 1994-08-19 1994-08-19 리소그래피 공정에 의한 감광막 패턴 형성방법 KR960008987A (ko)

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