KR970017946A - 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 미세패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 제조공정에서 미세패턴시 주변영향을 최소화 할 수 있는 반도체소자의 미세패턴의 형성방법에 관한 것으로, 쎌어레이와 주변회로의 경계면에서 패턴밀도의 차이가 큰 반도체소자에서 미세패턴을 형성하는 방법에 있어서, 쎌어레이의 가장자리와 주변회로의 경계에 셀어레이와 일정한 간격을 유지하는 일정한 너비로 이루어진 면적을 갖는 FOCP패턴을 형성하고, 상기 FOCP패턴은 당해 층에서의 쎌어레이와 주변회로를 연결하는 역할을 수행하지 아니하는 패턴임을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 쎌어레이의 가장자리와 주변회로의 경계에 FOCP패턴을 형성함으로써, 패턴의 밀도가 서로 다른 쎌어레이와 주변회로에서 노광조건 차이를 완충시켜 적절한 패턴노광을 할 수 있어 미세패턴시 주변영향을 최소화 할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 미세패턴 형성방법의 제1실시예를 설명하기 위한 도면.
Claims (3)
- 쎌어레이와 주변회로의 경계면에서 패턴밀도의 차이가 큰 반도체소자에서 미세패턴을 형성하는 방법에 있어서, 쎌어레이의 가장자리와 주변회로의 경계에 셀어레이와 일정한 간격을 유지하는 일정한 너비로 이루어진 면적을 갖는 FOCP패턴을 형성하고, 상기 FOCP패턴은 당해 층에서의 쎌어레이와 주변회로를 연결하는 역할을 수행하지 아니하는 패턴임을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 FOCP패턴은 쎌어레이의 가장자리 패턴과 붙여서 형성됨을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 FOCP패턴은 쎌어레이의 가장자리 레이아웃이 일정하지 않거나, 한가지 이상의 모양을 갖고 있을 경우에, 쎌어레이 가장자리의 모양에 따라 변형된 모양의 패턴으로 형성됨을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031104A KR970017946A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031104A KR970017946A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970017946A true KR970017946A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66616202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950031104A KR970017946A (ko) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970017946A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000043250A (ko) * | 1998-12-28 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
-
1995
- 1995-09-21 KR KR1019950031104A patent/KR970017946A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000043250A (ko) * | 1998-12-28 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
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