KR940015695A - 반도체 소자의 패턴형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 패턴형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940015695A
KR940015695A KR1019920026703A KR920026703A KR940015695A KR 940015695 A KR940015695 A KR 940015695A KR 1019920026703 A KR1019920026703 A KR 1019920026703A KR 920026703 A KR920026703 A KR 920026703A KR 940015695 A KR940015695 A KR 940015695A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
semiconductor device
formation method
pattern formation
forming
Prior art date
Application number
KR1019920026703A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960006170B1 (ko
Inventor
배상만
이철승
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019920026703A priority Critical patent/KR960006170B1/ko
Publication of KR940015695A publication Critical patent/KR940015695A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960006170B1 publication Critical patent/KR960006170B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 패턴형성방법에 관한 것으로 반도체 제조공정중 마스크를 이용한 패턴형성시 패턴의 밀집도와 형태에 따라서 현상후의 이미지 크기가 변하는 근사효과를 제거하기 위하여 패턴의 밀집도가 낮은부분에 보조패턴을 첨가시켜 공정의 여유를 증대시키는 반도체 소자의 패턴 형성방법이다.

Description

반도체 소자의 패턴형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 내지 제6도는 본 발명에 의하여 패턴을 형성한 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 패턴 형성방법에 있어서, 패턴의 밀집도에 따라서 패턴의 크기가 변하는 근사효과 제거를 위하여, 패턴의 밀집도가 낮은부분에 보조패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 보조패턴의 크기는 0.3㎛이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920026703A 1992-12-30 1992-12-30 반도체 소자의 패턴 형성방법 KR960006170B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920026703A KR960006170B1 (ko) 1992-12-30 1992-12-30 반도체 소자의 패턴 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920026703A KR960006170B1 (ko) 1992-12-30 1992-12-30 반도체 소자의 패턴 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940015695A true KR940015695A (ko) 1994-07-21
KR960006170B1 KR960006170B1 (ko) 1996-05-09

Family

ID=19347842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920026703A KR960006170B1 (ko) 1992-12-30 1992-12-30 반도체 소자의 패턴 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR960006170B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100437817B1 (ko) * 1997-10-25 2004-07-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의제조를위한노광방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100437817B1 (ko) * 1997-10-25 2004-07-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의제조를위한노광방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR960006170B1 (ko) 1996-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920018850A (ko) 메탈플러그의 형성방법
KR840000387A (ko) 전사지(轉寫紙) 및 이것을 사용한 화장재(化粧材)의 제조법
KR940015695A (ko) 반도체 소자의 패턴형성방법
KR970008372A (ko) 반도체장치의 미세 패턴 형성방법
KR920022422A (ko) 패턴 형성 방법
KR970022526A (ko) 반도체패턴 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크
KR940018938A (ko) 반도체장치의 게이트전극 패턴 레이아웃 및 이를 사용한 게이트전극의 형성방법
KR950021050A (ko) 웨이퍼의 단차 완화 방법
KR960002479A (ko) 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법
KR970016800A (ko) 사진 묘화 공정을 단순화 한 반도체 장치의 제조 방법
KR970018124A (ko) 미세 패턴 형성 방법
KR980003879A (ko) 반도체 소자의 마스크 패턴 형성 방법
KR970016786A (ko) 포토마스크
KR960026351A (ko) 스페이서절연층 형성방법
KR960026303A (ko) 미세패턴 형성방법
KR970016801A (ko) 양호한 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있는 사진 묘화 공정
KR900005553A (ko) 반도체장치의 최소 접속창 형성방법
KR940004719A (ko) 위상반전 마스크 형성방법
KR950025864A (ko) 포토마스크 제작방법
KR970017946A (ko) 반도체 소자의 미세패턴 형성방법
KR920010823A (ko) 필드산화막 형성방법
KR970048924A (ko) 반도체소자 제조용 포토마스크
KR970052550A (ko) 반도체장치의 콘택 형성방법
KR950004408A (ko) 반도체 장치의 폴리실리콘 패턴 형성방법
KR960026081A (ko) 포토마스크

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

G160 Decision to publish patent application
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110429

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee