KR920010823A - 필드산화막 형성방법 - Google Patents

필드산화막 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920010823A
KR920010823A KR1019900018274A KR900018274A KR920010823A KR 920010823 A KR920010823 A KR 920010823A KR 1019900018274 A KR1019900018274 A KR 1019900018274A KR 900018274 A KR900018274 A KR 900018274A KR 920010823 A KR920010823 A KR 920010823A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide film
nitride film
field oxide
field region
film formation
Prior art date
Application number
KR1019900018274A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930010728B1 (ko
Inventor
송명섭
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019900018274A priority Critical patent/KR930010728B1/ko
Publication of KR920010823A publication Critical patent/KR920010823A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930010728B1 publication Critical patent/KR930010728B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

필드산화막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정단면도.

Claims (1)

  1. 기판위에 통상의 방법으로 초기산화막과 질화막을 각각 일정두께로 차례로 형성하는 단계, 질화막위에 감광제를 이용하여 필드 영역을 한정하고 필드영역의 질화막을 제거하는 단계, 질화막이 제거된 필드영역의 초기산화막위에 감광제를 이용하여 필드영역의 양 테두리의 일정부분만이 드러나도록 감광제 패턴을 형성한 후 질소이온을 주입하는 단계, 양 테두리에 질소이온이 주입된 필드영역에 산화를 행하여 필드산화막을 형성하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 필드산화막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900018274A 1990-11-12 1990-11-12 필드산화막 형성방법 KR930010728B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900018274A KR930010728B1 (ko) 1990-11-12 1990-11-12 필드산화막 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900018274A KR930010728B1 (ko) 1990-11-12 1990-11-12 필드산화막 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920010823A true KR920010823A (ko) 1992-06-27
KR930010728B1 KR930010728B1 (ko) 1993-11-08

Family

ID=19305910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900018274A KR930010728B1 (ko) 1990-11-12 1990-11-12 필드산화막 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930010728B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100226743B1 (ko) * 1996-07-31 1999-10-15 구본준 소자 격리층 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR930010728B1 (ko) 1993-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910001971A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR920010823A (ko) 필드산화막 형성방법
KR890011051A (ko) 포토레지스트의 패턴형성방법
KR920022422A (ko) 패턴 형성 방법
KR920020603A (ko) 씨모스 소자 제조 방법
JPS5212579A (en) Ion injection method and ion injector
JPS5275188A (en) Mos field effect type transistor
KR920005417A (ko) 반도체레이저의 보호막형성방법
KR940015695A (ko) 반도체 소자의 패턴형성방법
KR910020833A (ko) 옥사이드 마스크에 의한 드라이 에칭 방법
KR980003803A (ko) 위상 반전 마스크 및 그의 제조 방법
KR920020636A (ko) 반도체 장치의 제조공정
KR920008976A (ko) 폴리전극의 경사를 이용한 ldd 제조방법
KR910019148A (ko) 감광제 제거방법
KR970023714A (ko) 반도체 소자의 콘택부 및 그의 형성방법
KR920015651A (ko) 고전압 소자 제조방법
KR920017181A (ko) 산소이온 주입을 이용한 locos 공정방법
KR970077681A (ko) 패턴 형성방법
KR920001678A (ko) 금속 배선의 알루미늄 산화막 형성 제조방법
KR930011227A (ko) 롬 제조방법
KR890016681A (ko) I^2l디지탈 소자 제조방법
KR960002538A (ko) 트윈 웰 형성 방법
KR910020493A (ko) 레지스트의 이중 도포에 의한 이중 노광방법
KR900005553A (ko) 반도체장치의 최소 접속창 형성방법
KR940010203A (ko) 반도체 장치에서의 콘택 홀 경사면 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20021018

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee