KR930011227A - 롬 제조방법 - Google Patents

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KR930011227A
KR930011227A KR1019910020279A KR910020279A KR930011227A KR 930011227 A KR930011227 A KR 930011227A KR 1019910020279 A KR1019910020279 A KR 1019910020279A KR 910020279 A KR910020279 A KR 910020279A KR 930011227 A KR930011227 A KR 930011227A
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polysilicon
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romsel
insulating film
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박성휘
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration

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Abstract

내용 없음

Description

롬 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래 롬의 동작을 나타낸 회로도
제 2 도는 제 1 도에 따른 롬의 실시예를 나타낸 단면도
제 3 도는 제 2 도에 따른 부분 평면도
제 4 도는 본 발명 롬의 일시예를 나타낸 단면도
제 5 도는 제 4 도에 따른 부분 평면도
제 6 도는 본 발명 롬의 다른 실시예를 나타낸 단면도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
20 : 산화막 21, 25, 30 : 금속
22, 28 : N형 폴리실리콘 23, 29 : 폴리실리콘
24 : 포토레지스트 26, 31 : P형 폴리실리콘
27 : 경계면

Claims (2)

  1. 기판상에 절연막을 증착하고 상기 절연막위 전면에 전도체를 증착한후 N형 폴리실리콘(22)을 일정 간격으로 패터닝하여 롬셀 영역을 정의하는 단계와, 상기 전도체와 N형 폴리실리콘(22) 상면이 도포되도록 폴리실리콘(23)을 증착하고 상기 폴리실리콘상의 롬셀 영역에 전도체를 형성하는 단계와, 포토레지스트(24)를 상기 롬셀 영역에 형성된 전도체 상면이 선택적으로 오픈되도록 패터닝하는 단계와, P형 이온을 주입하여 상기 폴리실리콘(23)중 롬셀 영역에 선택적으로 P형 폴리실리콘(26)을 형성하고 포토레지스트(24)를 제거하는 단계를 차례로 실시하여 이루어지는 롬 제조방법.
  2. 기판상에 절연막을 증착하고 상기 절연막 상부 전면에 N형 폴리실리콘(28)을 증착한후 상기 N형 폴리실리콘(28) 상부 전면에 폴리실리콘(29)을 증착하는 단계와, 상기 폴리실리콘(29) 상면에 전도체를 일정간격으로 형성하고 폴리실리콘(29)중 상기 전도체 하층 부위에 선택적으로 P형 이온을 주입하여 P형 폴리실리콘(31)을 형성하는 단계를 차례로 실시하여서 이루어지는 롬 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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