KR930011227A - 롬 제조방법 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래 롬의 동작을 나타낸 회로도
제 2 도는 제 1 도에 따른 롬의 실시예를 나타낸 단면도
제 3 도는 제 2 도에 따른 부분 평면도
제 4 도는 본 발명 롬의 일시예를 나타낸 단면도
제 5 도는 제 4 도에 따른 부분 평면도
제 6 도는 본 발명 롬의 다른 실시예를 나타낸 단면도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
20 : 산화막 21, 25, 30 : 금속
22, 28 : N형 폴리실리콘 23, 29 : 폴리실리콘
24 : 포토레지스트 26, 31 : P형 폴리실리콘
27 : 경계면
Claims (2)
- 기판상에 절연막을 증착하고 상기 절연막위 전면에 전도체를 증착한후 N형 폴리실리콘(22)을 일정 간격으로 패터닝하여 롬셀 영역을 정의하는 단계와, 상기 전도체와 N형 폴리실리콘(22) 상면이 도포되도록 폴리실리콘(23)을 증착하고 상기 폴리실리콘상의 롬셀 영역에 전도체를 형성하는 단계와, 포토레지스트(24)를 상기 롬셀 영역에 형성된 전도체 상면이 선택적으로 오픈되도록 패터닝하는 단계와, P형 이온을 주입하여 상기 폴리실리콘(23)중 롬셀 영역에 선택적으로 P형 폴리실리콘(26)을 형성하고 포토레지스트(24)를 제거하는 단계를 차례로 실시하여 이루어지는 롬 제조방법.
- 기판상에 절연막을 증착하고 상기 절연막 상부 전면에 N형 폴리실리콘(28)을 증착한후 상기 N형 폴리실리콘(28) 상부 전면에 폴리실리콘(29)을 증착하는 단계와, 상기 폴리실리콘(29) 상면에 전도체를 일정간격으로 형성하고 폴리실리콘(29)중 상기 전도체 하층 부위에 선택적으로 P형 이온을 주입하여 P형 폴리실리콘(31)을 형성하는 단계를 차례로 실시하여서 이루어지는 롬 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR (1) | KR940009643B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR20130141974A (ko) * | 2012-06-18 | 2013-12-27 | 위니아만도 주식회사 | 냉장고의 모터 제어 방법 |
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1991
- 1991-11-14 KR KR1019910020279A patent/KR940009643B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940009643B1 (ko) | 1994-10-15 |
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